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Fターム[5F038EZ09]の内容

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Fターム[5F038EZ09]に分類される特許

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【課題】 アナログセルレイアウトの設計制約を設計者の熟練度に依らずに回路図データから自動予測することができるようにすること。
【解決手段】 回路図作成部1にて作成されたアナログ回路図のデータが回路図記憶部2に書き込まれる。回路接続情報抽出部3では、回路図記憶部2に記憶されるアナログ回路図データから抽出された回路接続情報が回路接続情報記憶部4に書き込まれる。設計制約予測抽出部5では、回路接続情報記憶部4に記憶される回路接続情報からペアリングの必要な素子が予測・抽出され、回路接続情報に設計制約として付加され、回路接続情報記憶部6に書き込まれる。自動配置部9では、回路接続情報記憶部6に記憶される設計制約を含む回路接続情報に基づきレイアウトセルの配置が実行される。自動配線部11では、配置後レイアウト記憶部10に記憶されたレイアウトセル間の配線が実行される。 (もっと読む)


【課題】階層構造を有する場合に、消費電力を軽減するためのゲーテッドクロックを簡単に選択することによって、容易に低消費電力の半導体集積回路装置を得ることである。
【解決手段】3つの階層構造を有するとともに、各階層ごとに上位階層から下位階層に動作制御信号(CTL1_2、CTL1_1、CTL1_1_1)が出力される複数の回路ブロック1〜4を備え、第3階層の回路ブロック4に入力されるゲーテッドクロックとして、異なる階層に出力される2つの動作制御信号(CTL1_1、CTL1_1_1)をゲート信号として生成した2つのゲーテッドクロック、および、最上位階層の回路ブロック1に入力されるゲーテッドクロックであるマスタークロックからなる3つのゲーテッドクロックを含むグループより選択される1つのゲーテッドクロックを用いる。 (もっと読む)


【課題】 ハードマクロブロックの周辺のようにバッファセル等を挿入することが困難なセル混雑部分や、隣接配線の間隔を広げることが困難な配線混雑部分での、隣接配線間容量値を削減してクロストークノイズを低減させる。
【解決手段】 外部インタフェースを有する複数種類のクロストークノイズ改善用セルをハードマクロブロックの内部の隙間部分に埋め込み、そのクロストークノイズ改善用セルを選択して半導体集積回路の配線に挿入する。隣接する配線の信号遷移期間が重なる場合、改善用セルを遷移期間の長い方の配線に挿入する。または、隣接する配線のうち一方の配線を他の配線層に移動させ、それにより空いた領域にシールド線を配線する。 (もっと読む)


【課題】 データをフレキシブルに利用しうる状態で格納した集積回路装置の設計用データベース及びこれを利用した集積回路装置の設計方法を提供する。
【解決手段】 設計データの格納層であるVCDB100(VCデータベース)と、制御システムであるVCDBMS200(VCDBマネージメントシステム)とを備えている。VCDB100には、VCクラスタ300と、テストベクタクラスタ304と、目的別機能検証モデル320とが含まれている。VCDB100内には、共用テストクラスタ410と周辺モデルクラスタ420とを含むシステム検証用データベース402が配置されている。VCDBMS200内には、テストシナリオ,目的別機能検証モデル,システム検証モデルなどの生成を行なう機能検証支援手段500や、VCインターフェース合成手段700などが配設されている。 (もっと読む)


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