【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）