【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜パターンの端部におけるバリ発生を確実に防止できる金属薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定パターンの金属薄膜パターン８を形成するための方法であって、下地の上に、前記パターンのエッジに対応する位置近傍に壁面を有する段差パターン３を形成する工程と、段差パターン３を含む下地全体にレジスト４を塗布する工程と、塗布したレジスト４に対して、前記パターンの反転パターンとなるようにパターニングを施す工程と、レジスト４および段差パターン３を含む下地全体に金属薄膜５を形成する工程と、溶剤を塗布して、レジスト４および該レジスト４上に位置する金属薄膜５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層にボイドが発生することを防止して、良好なレーザ特性を有する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２上にクラッド層３と、活性層４と、第１のクラッド層５と、第２のクラッド層７からなるリッジ部８と、キャップ層９とが順次積層され、更に、第１のクラッド層５上にあって、リッジ部８及びキャップ層９を挟持する電流ブロック層１０と、キャップ層９及び電流ブロック層１０上に形成されたコンタクト層１２を有し、キャップ層９の上部の幅をＷ₁、キャップ層９の下部の幅をＷ₂、リッジ部８の上部の幅をＷ₃とするとき、Ｗ₁＞Ｗ₂＝Ｗ₃の関係を満たす構成とする。 （もっと読む）