【課題】複数のコンデンサを内蔵したチップを用いることなく、かつ、回路基板上においてコンデンサの配置スペースが必要とされることなく、高周波ノイズ除去を行うことが可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ構造部２を形成し、それを半導体チップ１のパッド４１、４２の上に単体で実装する。つまり、半導体チップ１の複数の場所にキャパシタ構造部２を実装する場合には、各場所に一対で、つまり１つずつキャパシタ構造部２を備えるようにする。このような構造のキャパシタ構造部２を備えるようにしても、高周波ノイズ除去を行うことができる。また、複数のコンデンサを内蔵したチップを用いなくても済むし、キャパシタ構造部２を必要な場所に個々に配置することができることから、回路基板上においてコンデンサの配置スペースが必要とされることもない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング作業を過度に困難にすることなく、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、ボンディングパッドが形成されている半導体基板を提供する。この半導体基板は、導電性の基板層と、基板層の表面の一部に積層されている絶縁性の絶縁体と、絶縁体の表面に積層されている固定部と、絶縁体の存在範囲を超えて伸びる張り出し部と、を有するボンディングパッドと、を備える。張り出し部は、張り出し部の裏面が基板層の表面に接するまで弾性変形可能である。 （もっと読む）

【課題】 双方向伝送において伝送電圧の変動の小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】 配線領域１０ｂとチップ搭載領域１０ａを有する配線基板１０と、チップ搭載領域１０ａに搭載され、表面に高速伝送回路に電気的接続された対をなす高速伝送用電極パッド３１を有する半導体チップ１と、配線領域１０ｂに設けられ、高速伝送回路に対して信号を伝送する対をなす高速伝送用配線パターン１１と、高速伝送用電極パッド３１と高速伝送用配線パターン１１を電気的接続する高速伝送用ボンディングワイヤ２０と、配線基板１０に設けられ、高速伝送用配線パターン１１と電気的接続された外部接続端子２３とを備え、高速伝送用ボンディングワイヤ２０に高速伝送用電極パッド３１の寄生容量Ｃｐを補償する補償インダクタンスＬｗを付加し、このＬｗを付加した箇所より外部接続端子２３側の高速伝送用配線パターン１１に寄生容量Ｃｐを補償する補償容量Ｃｃを付加した。 （もっと読む）