【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】ＳＩＰの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ３を表面非接触型のコレットでピックアップして第１のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるＡＳＩＣチップ４を表面接触型のコレットでピックアップして第２のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、２種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったＡＳＩＣチップ４の高い位置精度を実現するとともに、前記ＳＩＰの品質の安定化を図る。 （もっと読む）