【課題】 実装時に負荷される高温高荷重による実装位置ずれによる接続信頼性不良や半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部や層間膜へのダメージを低減する。
【解決手段】 回路形成面に配列された複数のパッド電極部２を有する半導体素子１と、複数の配線電極部７を有する半導体キャリア基板６と、半導体素子１と半導体キャリア基板６の間に介在されるシート状の封止樹脂材３とを備え、パッド電極２の配置に応じて封止樹脂材３の中に複数の金属バンプ４を埋め込み、半導体素子１のパッド電極部２と金属バンプ４の一端部にある接触部位５、および半導体キャリア基板６の配線電極部７と金属バンプ４の他端部にある接触部位５とが導電性接着剤８で硬化接続されている。これにより、金属バンプ４を用いて、低温低荷重で電気的に接続させることが実現でき、高い接続信頼性を確保できる。 （もっと読む）