【課題】新規な多層膜構造体及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコンを含む基板上に、ゲルマニウム錫混晶からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に表面保護層を形成する表面保護層形成工程と、前記半導体層に熱処理を施すことにより、前記ゲルマニウム錫混晶と前記シリコンを含む基板との固相反応を進め、シリコンゲルマニウム錫混晶からなる半導体歪印加層を形成する半導体歪印加層形成工程と、前記表面保護層を除去する除去工程と、前記半導体歪印加層の上方に、前記除去工程後に、歪半導体層を積層する積層工程とを含むことを特徴とする多層膜構造体の形成方法。 （もっと読む）

【課題】露光時における炭化珪素への光の入射が防止され、露光工程のパターン露光時における反射光による光量変動を回避して安定した露光を可能とする。
【解決手段】４Ｈ−ＳｉＣウエハ１１の表面に低光透過性のＳｉ膜１２を設け、フォトレジスト膜１３を露光する光をＳｉ膜１２で吸収もしくは反射する。 （もっと読む）