【課題】本発明は、マイクロエレクトロニクス、ナノエレクトロニクス、又はマイクロテクノロジー、ナノテクノロジーの各分野で利用される基板（３）を形成するサポート（２）の表面上に形成される薄膜層（１）の特性を変化させるプロセスに関する。
【解決手段】このプロセスは、以下からなることを特徴としている。−特定の上面を有するナノ構造化サポート（２）上に少なくとも１つの薄膜層（１）を形成すること、及び、−特定の上面を有するナノ構造化サポート（２）を処理して、サポート内に内部歪みを発生させて、少なくとも薄膜層の平面内にその変形を引き起こすことによって、薄膜層の対応する変形を確実にして薄膜層の特性を変化させること、である。 （もっと読む）