【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）