【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、アライメントマークの上部に形成された平坦化層を除去する工程と、アライメントマークの上部が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上部から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ時のフォトマスクの位置合わせを十分な精度で行うことが可能となる位置合わせ用の目合わせパターンを形成することを課題とする。
【解決手段】基板１上に第１絶縁層２を形成する工程と、第１絶縁層２に、１つ以上の接続孔４と、接続孔４よりも幅が広い位置合わせ用の目合わせパターンを形成するための目合わせ孔３と、を形成する工程と、第１絶縁層２の上に、接続孔４が金属で完全に埋まり、かつ、目合わせ孔３が金属で完全に埋まらないよう金属膜５を形成する工程と、金属膜５の上に、少なくとも目合わせ孔３が完全に埋まるように第１フォトレジスト膜６を形成する工程と、第１絶縁層２をストッパーとしてＣＭＰ処理を行うことで、第１フォトレジスト膜６及び金属膜５の一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との位置合わせを安定して処理可能な露光技術を提供する。
【解決手段】 アライメントマークを使用してマスクに対し処理基板を移動させて当該マスクと処理基板との位置合わせをして露光を行う技術である。画像でのマスク側のアライメントマークＭ２の画素数が、予め設定した基準閾値と一致若しくは当該基準閾値以上となるように撮像装置１６の焦点を調整してマスク側の基準位置を演算する。同様にして、基板側の基準位置を演算する。上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークＭ１の画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、複数層のマスクを形成して加工を行う際に高精度な位置計測が可能なマーク形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のマスク層を形成する第１のマスク層形成工程と、前記第１のマスク層に周期性を有する少なくとも３個以上の第１のパターンを形成する第１のパターン形成工程と、前記第１のパターンを形成した前記第１のマスク層上に第２のマスク層を形成する第２のマスク層形成工程と、前記３個以上の前記第１のパターンのうち少なくとも端部の２個のパターンが覆われるように前記第２のマスク層に開口を形成し、露出した前記第１のパターンから構成されるマークを形成するマーク形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【目的】高精度なアライメントマークを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、ＳｉＯ_２膜２１０に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１０４）と、開口部にアライメントマーク用のＷを埋め込む埋め込み工程（Ｓ１０８）と、Ｗが埋め込まれた基板上にＡｌ膜２６０を形成する膜形成工程（Ｓ１１６）と、Ｗが埋め込まれた位置を含む所定の領域上に形成されているＡｌ膜２６０に加工光１６０を照射して、所定の領域上にＡｌ膜２６０の一部が残留膜３２０として残る程度にＡｌ膜２６０を除去する除去工程（Ｓ１２２）と、残留膜３２０をエッチングするエッチング工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。
【解決手段】 被加工膜１０７上に有機樹脂で構成された有機膜１４９を形成する工程と、有機膜１４９の内部応力を小さくする工程と、有機膜１４９に加工光を照射し、加工領域の有機膜１４９を選択除去する工程と、有機膜１４９をマスクとして、被加工膜１０７をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜の加工に際して、パーティクルの発生を無くし、欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液２０６を供給して基板主面に液膜２０４を形成する工程と、液膜２０４中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜２０７を形成する工程と、被加工膜２０７の加工領域に加工光を選択照射して、被加工膜２０７を選択除去する工程と、加工光照射後に、被加工膜２０７中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された被加工膜の加工領域を選択的に加工する際、基板上にパーティクルが付着することを抑制する。
【解決手段】 基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第１の加工光１１０を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第２の加工光１１２を照射して加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体素子やプリント配線板などにおけるフォトリソグラフィ工程或いは単に感光性樹脂を硬化させる工程における露光技術に関し、小型化、高性能化に伴ない高い位置精度が必要とされる場合でも、的確にアライメントマークの検出し、パターンを形成することができる、パターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行なうことにより解決した。 （もっと読む）