【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。この半導体素子の微細パターン形成方法は、被エッチング層が形成された半導体基板の上に第１フォトレジストパターンを形成するステップと、前記第１フォトレジストパターンの上に層間鏡膜組成物をコーティングして層間鏡膜を成膜するステップと、前記結果物の上に第２フォトレジスト膜を成膜するステップと、前記第２フォトレジスト膜に露光マスクなしに第２フォトレジスト膜のしきい値エネルギーＥ_ｔｈよりも低い値のエネルギーを有する光により露光および現像を行うことにより、前記第１フォトレジストパターンの間に層間鏡膜の乱反射による第２フォトレジストパターンを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】テーパーを有するレジストパターン形成が容易に可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】通常反射率の高い材質に使用する程度の吸光剤濃度を有するフォトレジスト３を低反射率膜２に使用することで、低反射率膜２の反射率に基づいたテーパー角を有するフォトレジストパターンを形成することができる。また、断面にテーパーを有するフォトレジストパターンを形成したため、異方性エッチングにより低反射率膜２の断面をテーパー状にエッチング可能となり、等方性エッチングに比べ寸法制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】マスク全面で均一な露光を行うことができ、高精細な微細パターンを形成することが可能となる近接場露光に用いられる被露光物の形成方法、近接場露光方法及び近接場露光方法による素子の製造方法を提供する。
【解決手段】露光光の波長サイズ以下の微小開口を有する遮光膜を密着させ、露光光源から光を照射してパタンを転写する近接場露光に用いられる被露光物の形成方法であって、
凹凸を有する基板２０１上に、該基板の凹凸を埋め込むように形状緩衝層２０２を形成し、該基板表面を平坦化する工程と、
前記形状緩衝層上に、前記露光光を反射する光反射層２０３を形成する工程と、
前記光反射層上に、感光性レジスト層２０４を形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 湿式現像可能な反射防止膜組成物及びその使用方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面とポジ型フォトレジスト組成物の間に塗布する反射防止膜組成物を開示する。反射防止膜組成物は、水性アルカリ性現像液中で現像可能である。この反射防止膜組成物は、ラクトン、マレイミド、及びＮ−アルキルマレイミドから成る群から選択される１つ又は複数の部分を含む少なくとも１つのモノマー単位と、１つ又は複数の吸光性部分を含む少なくとも１つのモノマー単位とを含むポリマーを含む。このポリマーは酸に不安定な基を含まない。本発明はまた、フォトリソグラフィにおいて本発明の反射防止膜組成物を用いて、レリーフ像を形成し転写する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィにおけるレジストへの露光時間を短くすることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上にレジストマスク２１０ａを形成するフォトリソグラフィ工程（ｂ）に先立ち、外側表面ＯＳ上に、反射膜としてのＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２を形成する（ａ）。レジスト２１０は、フォトリソグラフィ工程における露光光Ｅと、レジスト２１０を透過した後にＷＳｉ膜２０１により反射された反射光Ｒとにより露光されるため、レジスト２１０へ露光するための露光光Ｅの強度を弱くすることができる。 （もっと読む）

【課題】高開口数結像ツールを使用したリソグラフィ・プロセスにおいて感光性領域を有するレジスト層を像に露出するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】結像ツールの放射を反射する層を有する基板が使用され、空中像を含む放射の一部分はレジスト層を通過しレジスト層へ再び反射する。反射された放射は、レジスト層の中に、レジスト層の厚さを貫いて、投影された空中像の干渉パターンを形成する。レジスト層の感光性領域での空中像のコントラストを向上させるため、レジスト層の感光性領域の反射層に対する厚さおよび位置は、干渉パターンのうち、レジスト層の厚さの方向において相対的にコントラストが高い干渉パターンの部分を含み、レジスト層の厚さの方向において相対的にコントラストが低い干渉パターンの部分を前記レジスト層の前記感光性領域から除外するように選択される。 （もっと読む）