Fターム[5F047BB04]の内容
Fターム[5F047BB04]に分類される特許
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ハンダ形状仕上装置
【課題】構成の簡略化を図ることができて、消耗品であるツール(圧印部)を一般的なものを使用でき、しかも、安定してハンダを均一な肉厚の扁平形状に形成することができるハンダ形状仕上装置を提供する。
【解決手段】上下動手段を介して上下動する本体枠20と、本体枠20の下部に付設されてハンダWを上方から押えて扁平状とする押え部材21と、本体枠20に内装されて押え部材を下方へ押圧する弾発手段とを備えたハンダ形状仕上装置である。押え部材21は、本体枠20の下方開口部に上方から係止すると共に下方からの弾発手段22の弾発力に抗した押圧力付与によって下方開口部への係止が解除されてその軸心の揺動が可能な押え本体30と、押え本体30に取付られてハンダWを上方から押える押えブロック体31とを備える。本体枠20に加熱手段45を付設して、押え本体30の本体枠係止状態でこの加熱手段45からの熱伝導にて押え本体30が加熱される。
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リードフレームおよび半導体装置ならびに半導体装置の製造方法
【課題】リードフレームのダイパッド上の微小領域にはんだを供給しても、チップ側面への這い上がりを抑制することを目的とする。
【解決手段】リードフレームのダイパッド16に規則的に配列された凹部18を設け、あるいはダイパッド16の表面から裏面への貫通孔を設けることにより、微小なサイズのチップに対して接合に適した量のはんだを安定して供給でき、チップの接合時のチップ側面からチップ表面へのはんだの這い上がりを抑制することが可能となる。
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非鉛系の合金接合材、接合方法および接合体
【課題】安価で汎用性があり、従来のPb含有の高温系はんだの代替が可能になる新規な合金接合材を提供する。
【解決手段】第1金属被接合材1と第2金属被接合材2とを薄層接合材3を介して積層し積層体4を形成する。薄層接合材3は、TeとAgとを主成分にし、Sn、ZnおよびCoからなる群から選択された1種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材、あるいはTeとAgとを主成分にし、Al、Ti、Ni、Au、Mg、Pt、MnおよびFeからなる群から選択された1種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材の例えばシートハンダである。この積層体4を350℃〜450℃の範囲の温度で加熱することによって、高耐熱性を有する接合層5を通して接合された接合体6が得られる。
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接合材料
【課題】鉛を使用することなく、比較的低温で被接合部材同士を高強度に迅速かつ高強度に接合することができる接合材料を提供する。
【解決手段】接合材料は、被接合部材を接合するために使用される。銀を含む無機物からなる微小粒子の周囲を有機物で被覆した複合型銀ナノ粒子に活性酸素を放出する炭酸銀を接触または近接させた状態で介在させる。上記銀を含む無機物は金属銀であることが好ましく、上記複合型銀ナノ粒子と上記炭酸銀を合わせた重量に対する上記炭酸銀の重量の比は32〜97wt%であることが好ましい。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】 十分な信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ15が接合される基板13のマウントベッド11上で、且つ半導体チップ15のサイズより広い領域に、複数の接着剤粒16を離間して塗布する工程と、半導体チップ15を接着剤粒16上に載置して接着剤粒16を連結し、接着剤層14を介して半導体チップ15をマウントベッド11に接合する工程と、基板13のインナーリード12にワイヤ17を介して半導体チップ15を電気的に接続する工程とを具備する。マウントベッド11の全面に均一に接着剤粒16を塗布しておくことにより、半導体チップ15のマウント位置のばらつきによる接合不良を防止する。
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ナノサイズの金属及び合金、並びにこれらを含むパッケージのアセンブリ方法
ナノサイズの金属粒子組成物は、約20nm以下の粒径を有する第1金属を有する。前記ナノサイズの粒子は、前記第1金属の殻を形成する第2金属を有して良い。前記ナノサイズの金属粒子組成物を用いたマイクロエレクトロニクスパッケージについても開示されている。マイクロエレクトロニクスパッケージのアセンブリ方法についても開示されている。前記ナノサイズの金属粒子組成物を有する演算システムについても開示されている。
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