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Fターム[5F047BC09]の内容

ダイボンディング (10,903) | 接合構造 (181) | バインダー層、コンタクト層 (27) | Al (3)

Fターム[5F047BC09]に分類される特許

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【課題】例えば、アルミニウム系金属材料のように、常温で安定な酸化膜を表面に有する部材を含む接合を大気中で、しかもフラックスを用いることなく、低コストで強度に優れた接合が可能な接合方法と共に、このような接合方法を適用した各種の接合部品を提供する。
【解決手段】重ね合わせた被接合材1,1の間にインサート材2を介在させた状態で、当該被接合材1,1を相対的に加圧しつつ加熱して、被接合材1,1とインサート材2の間で共晶反応を生じさせ、共晶反応溶融物を被接合材の酸化皮膜1aと共に接合面から排出して被接合材1,1を接合するに際して、上記酸化皮膜1aと共に共晶反応溶融物を含む排出物Dを排出するための凹部1cを接合面に設ける。 (もっと読む)


【課題】結合構造の製造に応じて、構成要素を取り付ける後続の処理のための基板が提供される。
【解決手段】開示の基板は、金属部分と、この金属部分にレーザ焼結された下板とを備える。金属部分は、下板の焼結温度より低い融点を有する。結合構造20は、金属マトリックス複合材中のアルミニウム金属などの金属部分を有する構造部材22を含む。下板である金属層24が、構造部材22上に配置される。金属層24は、構造部材22と、構造部材22が結合材料28を介して結合される別の構成要素26との間に位置する。すなわち、金属層24は、結合材料28に関して下板になる。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基台11と、基台11上に載置されたアルミニウム膜12と、アルミニウム膜12上に載置された半導体チップ13とを具備し、基台11の上面11aとアルミニウム膜12の下面12aとが直接接合され、半導体チップ13の第1電極16とアルミニウム膜12の上面12bとが直接接合されている。
超音波を印加して室温で接合することにより、熱膨張の差に起因する信頼性の低下を防止する。 (もっと読む)


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