【課題】半導体素子の傾きや位置を、簡易かつ安価に制御することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。第１および第２電極パッド３ａ、５ａは、対応する裏面または表面電極２３、２５と実質的に同一の形状を有する部分と、該部分の四隅に相当する位置から半導体素子２０の対角線に沿って外向きに距離Ｄ_１だけ突出した４つの突出部分とからなっている。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、小型軽量化が実現可能なパワーモジュール及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】作動により発熱するパワー素子１を内蔵し対向する２つの側面５１ａ，５１ｂにて規定される厚みｔを有するパワーモジュール５１であって、少なくとも一対の金属ブロック２−１，２−２を備え、該金属ブロックを構成する各側面形成部２ｂに挟まれて上記パワー素子が保持され、これらの側面形成部を露出させて放熱面としてパワーモジュールの対向する側面を形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱を効率良く放熱することができると共に、半導体装置の発熱を抑制することができる半導体装置、半導体モジュール、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の貫通孔１４が形成された半導体素子１１と、前記第１の貫通孔１４に対応した位置に第２の貫通孔１５が形成され、半導体素子１１に接する放熱板１３と、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５を貫通する突起部１７が形成され、突起部１７は、絶縁層１８を介し、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５の順に嵌合される電極板１２とを有する半導体装置１０、及び第１の絶縁部材５１と第２の絶縁部材５２とを介して半導体装置１０と接する第１の冷却器５３と第２の冷却器５４を有する半導体モジュール５０、並びにこれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧接型の半導体装置の構造で中間端子板等の特別な別部品を用意することなく、半導体装置全体として薄型を実現し、複数の半導体素子を同時に圧接実装する際に、半導体素子と端子板との接触を確実にし、半導体素子の厚みバラツキが大きい場合でも当該厚みバラツキを緩和することができる圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】この圧接型半導体装置１０は、複数の半導体素子１１，１２と、複数の半導体素子のそれぞれを表裏の両面から加圧接触する２つの端子板２２，２３とを備える構造を有する。各半導体素子の電極１１Ａ，１２Ａの表面に複数の柱状電極部２１が形成されており、２つの端子板の各々を加圧状態で保持する放熱板５７，５９を備える。複数の柱状電極部２１は塑性変形して端子板２２に接触する。 （もっと読む）