【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。アンドープＩｎＰ窓層６の一部にｐ型不純物領域８が設けられている。直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを比較的小さくする。
【解決手段】フォトダイオードは、アバランシェダイオードを構成する中央部１０と、該中央部を隣接する中央部から隔離するガードリング部１２と、を含む。そして、中央部１０または前記ガードリング部１２に外部から所定の元素を導入して拡散する。例えば、中央部１０に炭素を導入する。これによって、中央部１０とガードリング部１２とのイオン化率の差がより大きくなるようにイオン化率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】埋め込みｎ電極構造のｎ形領域のドーピングプロファイルを高い精度で制御することなく、エッジブレークダウンを抑制できる構造の埋め込みｎ電極構造の電子注入形ＡＰＤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＡＰＤは、ｎ電極接続層３２となだれ増倍層３４との間にイオン化率の低いバッファ層３３を挿入することとした。具体的には、ｎ電極層３１、ｎ電極接続層３２、バッファ層３３、なだれ増倍層３４、電界制御層３５、バンドギャップ傾斜層３６、低濃度光吸収層３７ａ、ｐ形光吸収層３７ｂ及びｐ電極層３８が順次積層され、少なくとも低濃度光吸収層３７ａとｐ形光吸収層３７ｂからなる光吸収部３７がメサ形状をなす電子注入形のＡＰＤである。 （もっと読む）

【課題】簡易な素子構造で、エッジブレークダウンが発生する前に最低限必要なＭを得ることが可能な、またはＰＩＮ−ＰＤと同レベル低電圧・一定電圧環境にて動作する安価な半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１導電型を有する第１導電層（１２）と、第１導電層上に設けられた光吸収層（１４）と、光吸収層上に設けられたキャリア増倍層（２０）と、キャリア増倍層上に設けられノンドープまたは前記第１導電型を有する窓層（４０）と、窓層内に不純物拡散により形成され光吸収層よりバンドギャップの大きく第１導電型と異なる導電型の第２導電領域（４２）と、を具備し、光吸収層の下面からキャリア増倍層の上面までの膜厚をＷ、前記第２導電領域の膜厚をＸ、アバランシェ増倍率をＭとしたとき、 Ｘ／Ｗ ≧ （Ｍ−１）^２／（２Ｍ）であることを特徴とする半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】 例えばメサ型ＡＰＤのようなメサ構造を有する半導体受光装置において、エッジブレークダウンが発生しないようにして、信頼性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１導電型の第１半導体層２上に形成され、光を吸収する光吸収層３と、電界強度を降下させる電界降下層４と、アバランシェ増倍を生じさせるアバランシェ増倍層５と、第２導電型の第２半導体層６とを含むメサ構造体７を備え、アバランシェ増倍層５は、メサ構造体７の側面近傍部７Ａの厚さがメサ構造体７の中央部７Ｂの厚さよりも薄くなっている。 （もっと読む）