【課題】 結晶のサイズが大きく表面の平坦性が高い半導体結晶薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された半導体薄膜１１にレーザを照射して半導体結晶薄膜を製造する方法であって、主レーザビームから形成される第１種のスリットビーム群１１１と、第１種のスリットビーム群１１１を含む照射領域を有する副レーザビーム１２０とを用いて、半導体薄膜１１を結晶化させることにより半導体結晶薄膜を形成する工程と、主レーザビームから形成される第２種のスリットビーム群１１２を用いて、半導体結晶薄膜に生じたリッジの高さを低減する工程とを含む半導体結晶薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ等の半導体装置において半導体膜のエッジ部分における電界集中を回避して信頼性を向上させることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板(10,11)の上に半導体膜(12)を島状に形成する第１の工程と、半導体膜(12)のエッジ部を含んで半導体膜(12)を第１の絶縁膜(13)で覆う第２の工程と、半導体膜(12)上部の第１の絶縁膜(13)を該半導体膜のエッジ部を避けて開口する第３の工程と、少なくとも絶縁膜(13)の開口部の半導体膜(12)上に第１の絶縁膜(13)よりも相対的に薄い厚さの第２の絶縁膜(14)を形成する第４の工程と、第２の絶縁膜(14)上に電極配線膜(18)を形成する第５の工程と、を含む。 （もっと読む）