Fターム[5F052KB00]の内容
再結晶化技術 (1,137) | 接着型 (8)
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半導体装置及びその作製方法
本発明は、第1の基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第1の半導体素子を形成した後、前記第1の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第2の基板を接着したのち、前記第1の粘着材を除去して前記支持体を剥離し、前記第1の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第2の半導体素子を形成することを特徴とする。
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