共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、構造化有機薄膜を製造するための混合溶媒法であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】結晶成長速度を小さくしても、再現性よく転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液６を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程において、結晶成長速度を０μｍ／ｈｒから１μｍ／ｈｒ²以下の速度変化率で徐々に増大させる。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】原料溶液中の酸化物を減少して、作製されるエピタキシャルウェハの上記酸化物起因の欠陥を低減させること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と基板ホルダ１３とを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、原料溶液１９Ａ、１９Ｂを収容する溶液溜１５Ａ、１５Ｂが設けられ、上記基板ホルダ１３には、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂ内の原料溶液１９Ａ、１９Ｂに接触可能に基板１６を載置する基板載置部１７が設けられ、上記溶液ホルダ１２と上記基板ホルダ１３をスライドさせて上記原料溶液を上記基板１６に接触させることにより、当該基板１６にエピタキシャル層を成長させる液相成長装置１０であって、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂの内壁面２０の表面粗さが、Ｒａ＝１．０〜３．０μｍに設定されて構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ金属の拡散が防止された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 III族元素窒化物結晶基板１３の上にIII族元素窒化物結晶層１８が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスにおいて、前記基板１３が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの前記窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板１３上に、前記基板１３における前記基板１３中の不純物の拡散係数よりも小さい、前記基板１３中の不純物の拡散係数を有する薄膜層１５を形成する。 （もっと読む）

窒素を含む雰囲気下において、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎから選ばれる少なくとも一つのＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含むフラックスに、Ｍｇを含有させ、そのフラックス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長し、ＩＩＩ族窒化物基板を形成する。Ｍｇは、ＩＩＩ族窒化物結晶のＰ型ドーピング材料であるため、結晶にＭｇが混入しても、結晶はＰ型若しくは半絶縁性の電気特性を示し、電子デバイス応用において問題となることがない。また、前記フラックスにＭｇを含有させることで、フラックス中への窒素の溶解量が増大し、速い成長レートでの結晶成長が可能となり、結晶成長の再現性も向上する。 （もっと読む）