【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面１１０と、主面１１０を取り囲む側面とを有する下地板１００が準備される。側面は、先端部１２１と、先端部１２１につながる側方部１３１と、先端部１２１に対向する後端部１４１とを有する。後端部１４１は側方部１３１に後端角部１５１を介してつながっている。後端角部１５１は、側方部１３１と後端部１４１との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面１１０を浸漬することによって、主面１１０上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部１２１を引き上げた後に後端部１４１を引き上げることによって、融液から主面１１０が取り出される。融液から取り出された主面１１０から薄板が取り外される。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＥ法を用いて、不純物濃度の面内分布のバラツキが充分に抑制されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】準安定溶媒エピタキシャル法により、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法であって、基板設置治具上に、複数の底面スペーサを所定の間隔を設けて配置し、底面スペーサ上に、炭素原子供給基板、複数の上部スペーサ、Ｓｉ板および単結晶ＳｉＣ種基板を、順に積み重ね、その後、Ｓｉの融点よりも高い所定の温度まで昇温して、単結晶ＳｉＣ種基板上に、単結晶ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させて、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 基板９表面に結晶を成長させる空間となるチャンバ２と、チャンバ２に向けて基板９が搬出されるリフター室３との間には、基板９がリフター室３からチャンバ２に向けて搬送される通路となる搬送路形成部４が形成される。そして、搬送路形成部４内には、基板９が搬送される搬送方向に平行に延びる筒状であり、基板９が通過可能な案内管５が形成される。そして、気体供給手段６から供給されてチャンバ２内に充填される不活性ガスが、案内管５を通過して搬送される基板９の表面に沿うように接触して流れる。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、製造装置の破損のおそれの少ない固相シートの製造方法およびそれに用いる固相シート成長用基体を提供する。
【解決手段】固相シート成長用基体は、主面と、主面を取り囲む側面とを有する。主面は周縁溝によって周縁溝より外側の周辺部と周縁溝より内側の内側部とに区画され、周辺部の側面には周縁溝から分離されたスリット溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の融液の湯面における湧出し位置が、基板の浸漬方向に対して直交する方向で対称の位置になるように、また湯面の盛上がり高さが０になるように調整して薄板の板厚分布を均一にする。
【解決手段】 坩堝２２内に収容される半導体材料の融液２１に基板２５を浸漬し引上げて薄板を生成する薄板生成装置２０は、坩堝２２に対するコイル２３の相対位置を修正するコイル設定位置修正手段２８と、融液２１の湧出し位置２９を検出する湧出位置検出手段３０と、融液２１の湯面２１ａの盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段３１とを備え、制御手段３２によって、湧出し位置２９の検出結果に応じて、基板２５の浸漬位置と湧出し位置２９との配置が好適になるようにコイル２３の設定位置を修正するとともに、湯面２１の盛り上がり高さを調整する。 （もっと読む）

【課題】 冷却体の表面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する際に、冷却体表面に均一な厚みの析出板を形成することができる冷却体、ならびにそれを用いる析出板製造装置および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】 冷却体１を構成する基体部２１の一方の表面部２１ａを、厚み方向２９に垂直な仮想平面４０に対して傾斜する傾斜部分を有するように、たとえば凹曲面状に形成する。冷却体１を用いることによって、たとえば、溶湯の表面が凸状になる場合であっても、溶湯に浸漬されている時間を冷却体１の一方の表面部である基体部２１の一方の表面部２１ａ全体にわたって均一にすることができる。したがって、基体部２１の一方の表面部２１ａに形成される析出板の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）