【課題】光電変換層にＺｎイオンの高濃度拡散を行い、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】少なくとも１種のＺｎ源と、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも１種のアルカリ剤とを含み、Ｚｎ源の濃度が０．１Ｍ以上、アルカリ剤の濃度が２Ｍ以下であるｐＨ９〜１３の反応液を用意し、２０℃から４５℃の所定温度に調整した反応液中に、下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して所定時間維持することにより、光電変換層中にＺｎイオンを拡散させ、その後、５５℃から９０℃の所定温度に調整した反応液中に、拡散工程を経た下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して、光電変換層上に高抵抗酸化物層としてＺｎＯ層を析出させる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）