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Fターム[5F053KK00]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | ドーパント (71)

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Fターム[5F053KK00]に分類される特許

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【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および/または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30<Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質:溶媒=5〜30mol%:95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO:Bi2O3=0.1〜95mol%:99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μm以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 (もっと読む)


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