【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉱化剤を含有する溶液を入れた容器１内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器１および容器１内に設置される部材５、６の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ｔａ）、タングステン(Ｗ)およびチタン(Ｔｉ)からなる群より選択される１種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ（Ｒａ）が１．８０μｍ未満となるようにする。 （もっと読む）

【課題】塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】鎖状の高次シラン化合物Ｂと、金属Ｍを含有する化合物と、高次シラン化合物Ｂよりも沸点が低く金属Ｍと相互作用する化合物からなる溶媒Ｃとを混合した塗布液を調整する。塗布液を用いて基板１上に塗布膜３を形成する。塗布膜３中から溶媒Ｃを除去して乾燥させる。この際塗布膜３を加熱する。これにより、表面側において金属Ｍの含有量が多いシリコン薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化を抑制してＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を製造する、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ６内に、原料９、１０と封止剤１２とドーパント１１とを配置する。原料９、１０を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤１２の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤１２の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント１１として配置する。 （もっと読む）

ＩＶ族系ナノ粒子流体が開示される。ナノ粒子流体が、ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量において存在する一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含有する。また、ナノ粒子流体は、ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量において存在する一群のＨＭＷ分子を含有する。さらに、ナノ粒子流体は、少なくとも一部のキャッピング剤分子が一群のシリコンナノ粒子に結合している一群のキャッピング剤分子を含有する。
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【課題】本発明は、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜とその製造法、ならびにそれらを用いて製造される有機デバイスを提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解し、導電性を高めるために1次粒子を分割して粒径の小さく揃った溶液を基板の表面に供給すると共に、当該基板を回転させ、前記基板の表面に１次コロイド粒子の単層又は数層からなる塗布膜を形成する。続いて前記基板を加熱して前記塗布膜中の溶媒を除去し、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜を形成する。また前記溶液を基板の中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板の漏れ性を高めるためにプリウエット液を基板の表面に塗布してもよい。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】新規な不純物ドープ窒化ガリウムからなる高抵抗材料を提供する。
【解決手段】少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶（ＭｎドープＧａＮ）からなり、ホール測定による比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料であって、マンガンのドープ量が１×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上であることが好ましい。また、この高抵抗材料は、いわゆるフラックス法により製造することが好ましい。前記高抵抗材料において、窒化ガリウム結晶は、マンガンに加えて、鉄、クロム、カルシウムのうち、少なくとも１つの元素が共添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高抵抗材料として有用なＭｎドープＧａＮ結晶のＭｎドープ量を制御したＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｎドープＧａＮ結晶の製造方法は、（ａ）粉末状のＭｎが添加されたＮａとＧａとの混合融液にＧａＮ種結晶基板５２が浸漬された育成容器５０を用意する工程と、（ｂ）該育成容器５０を密閉して真空引きしたあと窒素ガスを導入して該育成容器内５０を加圧窒素ガスの雰囲気にすると共に、育成容器５０の内容物を所定の結晶成長温度に加熱しつつ攪拌することにより、ＧａＮ種結晶基板上にＭｎドープＧａＮ結晶を成長させる工程と、を含むものである。この製造方法では、育成容器５０を密閉して真空引きするとき、育成容器５０内の粉末状のＭｎはＮａとＧａとの混合融液に添加されているため飛散することなく育成容器５０内にとどまる。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】常温で溶液処理方式に金属酸化物を形成する方法及びこれを含むトランジスタ構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属酸化物の形成方法に関する。本発明の実施形態による金属酸化物の形成方法は、ドーパント化学種を含む金属酸化物前駆体溶液を用意することと、塩基性化学種を含むアルコール系溶液を用意することと、金属酸化物前駆体溶液及びアルコール系溶液を反応させて反応物を形成することと、反応物を精製して金属酸化物を形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する供給手段を有する。例えば、カバーに供給された不活性ガスは、カバーの側壁の底部の空間から排出される。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造し、有害環境問題を解決し、性能を向上させることができるうえ、特定類型の電子機器に広く適用できるようにする、酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を形成する段階と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて活性層を形成する段階と、前記活性層上に絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）