基板上に多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法は、ホウ素原子をドープされた基板を提供することを含み、基板は前面の基板表面を含む。この方法は、前面の基板表面にインクパターンでインクを堆積することをさらに含み、インクは、１組のシリコン含有粒子および１組の溶媒を含む。この方法は、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、ベーキングアンビエント中で基板を第１の温度へ、および第１の期間、加熱することも含む。この方法は、基板を堆積アンビエントを有する拡散炉内でドーパント源にさらし、この堆積アンビエントが第２の温度で、および第２の期間、ＰＯＣＩ₃、キャリアＮ２ガス、メインＮ２ガスおよび反応性Ｏ２ガスを含む工程であり、ＰＳＧ層が、前面の基板表面および高密度の薄膜インクパターンの上に形成される工程と、第３の温度および第３の期間へ、ドライブインアンビエント（ｄｒｉｖｅ−ｉｎ ａｍｂｉｅｎｔ）中で基板を加熱する工程とをさらに含み、第１のシート抵抗を有する第１の拡散領域が、高密度の薄膜インクパターンによって覆われた前面の基板表面の下で形成され、また、第２のシート抵抗を有する第２の拡散領域が、高密度の薄膜インクパターンで覆われていない前面の基板表面の下で形成され、ここで第１のシート抵抗が第２のシート抵抗より実質的に小さい。
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多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法は、第１の基板および第２の基板を提供することを含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第１の表面に第１のインクを堆積することも含み、第１のインクは、ナノ粒子の第１の組および溶媒の第１の組を含み、ナノ粒子の第１の組は、第１のドーパントの第１の濃度を含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第２の表面に第２のインクを堆積することをさらに含み、第２のインクは、ナノ粒子の第２の組および溶媒の第２の組を含み、ナノ粒子の第２の組は、第２のドーパントの第２の濃度を含む。
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シリコン基板上の１組の高濃度ドープ領域を１組の低濃度ドープ領域から識別する方法が開示される。この方法は、シリコン基板を提供することを含み、このシリコン基板は、１組の低濃度ドープ領域および１組の高濃度ドープの領域で構成されている。この方法は、電磁放射源でシリコン基板を照明することをさらに含み、この電磁放射源は、約１１００ｎｍを超える波長の光を送出する。この方法は、１組の低濃度ドープ領域、および１組の高濃度ドープ領域の波長吸収をセンサーで測定することも含み、約１１００ｎｍを超えるいかなる波長に対しても、低濃度ドープ領域中の波長の吸収百分率は、高濃度ドープ領域中の波長の吸収百分率より相当に下回る。
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基体上に多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法では、基体の前面にホウ素原子をドープするステップと、あるパターンでインクを堆積するステップであって、インクが１組のナノ粒子および１組の溶媒を含むステップと、緻密化膜インクパターンを形成するために、基体を焼き付け雰囲気中で約２００℃〜約８００℃の間の第１の温度まで約３分〜約２０分の間の第１の時間の間加熱するステップと、堆積雰囲気を有する拡散炉中、第２の温度において、第２の時間の間基体をドーパント源に曝露するステップであって、堆積雰囲気がＰＯＣｈ、アーナー（ｅａｒｎｅｒ）Ｎ２ガス、主Ｎ２ガス、および反応性Ｏ２ガスを含み、Ｎ２ガス対Ｏ２ガスの比が約１：１〜約１．５：１の間であるステップとが提供される。
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ＩＶ族系ナノ粒子流体が開示される。ナノ粒子流体が、ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量において存在する一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含有する。また、ナノ粒子流体は、ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量において存在する一群のＨＭＷ分子を含有する。さらに、ナノ粒子流体は、少なくとも一部のキャッピング剤分子が一群のシリコンナノ粒子に結合している一群のキャッピング剤分子を含有する。
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基板表面を備える基板上の１組のパターンを位置合わせする方法において、基板が、１組のシリコンナノ粒子が堆積した基板表面を含み、ナノ粒子の組が、１組の炭素原子を含む１組の配位子分子を含み、シリコンナノ粒子が堆積されるところに領域の第１の組が形成され、基板表面の残りの部分が、領域の第２の組を画定する。この方法は、シリコンナノ粒子の組の密度を高めて薄膜にするステップも含み、前記基板表面上に１組の有機シリコン区域が形成され、領域の第１の組が第１の反射率値を有し、領域の第２の組が第２の反射率値を有する。この方法は、照明光源で基板表面を照光するステップをさらに含み、第２の反射率値と第１の反射率値の比は、約１．１より大きい。
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粒子捕集装置が開示される。該装置は、入口ポート、捕集ポート、前記入口ポートおよび前記捕集ポート間に構成されたバグハウス、および前記バグハウスに連結された真空ポートを備えるバグハウスハウジングを含む。前記装置はまた、前記捕集ポートに連結された捕集機構と、前記バグハウスに連結された圧縮機構と、を含む。
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多重ドープ接合を基板上に形成する方法が開示される。方法には、ホウ素でドープされた基板を提供することであって、基板が、第１の表面領域および第２の表面領域を備えた第１の基板表面を含むことが含まれる。方法にはまた、第１のナノ粒子セットを第１の表面領域上に堆積することであって、第１のナノ粒子セットが第１のドーパントを含むことが含まれる。方法には、不活性環境において、基板を、第１の温度まで第１の期間にわたって加熱して第１の高密度膜を生成すること、およびさらに、第１の表面領域下の基板に、第１の拡散深さを備えた第１の拡散領域を生成することがさらに含まれる。方法にはまた、基板を、第２の温度で第２の期間にわたって、リンを含む拡散ガスにさらして、第１の基板表面上にＰＳＧ層を生成すること、およびさらに、第２の表面領域下の基板に第２の拡散深さを備えた第２の拡散領域を生成することが含まれるが、この場合に、第１の拡散領域は、第２の拡散領域に隣接している。方法には、さらに、基板を、第３の温度で第３の期間にわたって酸化ガスにさらすことが含まれ、この場合に、ＳｉＯ_２層が、ＰＳＧ層と基板表面との間に形成され、ここで、第１の拡散深さは、第２の拡散深さよりかなり大きい。
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太陽光で発電するためのデバイスが開示される。デバイスは、第１のドーパントでドープされたウェハであって、前面と裏面とを含み、前面が、太陽光にさらされるように構成されたウェハを含む。このデバイスは、また、前面に堆積された融合ＩＶ族ナノ粒子薄膜であって、ナノ粒子薄膜が第２のドーパントを含み、第２のドーパントが逆ドーパントであるナノ粒子薄膜も含む。このデバイスは、ナノ粒子薄膜に堆積された第１の電極と、裏面に堆積された第２の電極とをさらに含み、太陽光が前面に当てられるときに、電流が発生する。
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前駆体ガスからＩＶ族半導体ナノ粒子の組を生成するためのプラズマ処理装置が開示される。この装置は、外側チューブ内面と外側チューブ外面とを含み、外側チューブ内面は外側チューブ内面エッチング速度を有する、外側誘電体チューブを含む。この装置はまた、内側チューブ外面を含み、外側チューブ内面及び内側チューブ外面は環状チャネルを定め、さらに内側チューブ外面は内側チューブ外面エッチング速度を有する、内側誘電体チューブも含む。この装置は、外側チューブ外面上に配置された第１の外側電極内面を有する、第１の外側電極をさらに含む。この装置はまた、内側誘電体チューブの内部に配置され、第１のＲＦエネルギー源が第１の外側電極及び第１の中央電極の一方に加えられたとき、第１の外側電極に結合されるようにさらに構成された第１の中央電極と、第１の外側電極と第１の中央電極との間に定められた第１の反応域とを含む。 （もっと読む）