【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜からなる第１フローティングゲート１６上に、窒化膜２６又は酸窒化膜２８を介してＨＴＯ膜を成膜し、酸素アニール処理を施して、トンネル酸化膜１８（ＨＴＯ膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂系絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】 原料ガスとして、芳香族化合物あるいは複素環式化合物を含む原料ガスを採用し、プラズマＣＶＤ法により有機樹脂系絶縁膜４を形成する。
【効果】 有機樹脂系絶縁膜中の低分子量の揮発性成分が充分除去され、コンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止される。このため、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。 （もっと読む）