【課題】第１リードフレームと第２リードフレームとの間に搭載部品が３個のみ挟み込まれてなる半導体装置において、第１〜第３搭載部品と第２リードフレームとが未接合となることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部品３０〜５０におけるはんだ３１〜５１、３５〜５５が配置される部位の中心を搭載部品３０〜５０の中心点３０ａ〜５０ａとしたとき、３個の搭載部品３０〜５０のそれぞれの中心点３０ａ〜５０ａを結ぶ線分にて三角形１００が構成される状態で３個の搭載部品３０〜５０を挟み込む。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤの断線を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２００と、半導体チップ２００が搭載されたアイランド部３２０、および端子部３５０を有するリード３１０と、樹脂パッケージ４００と、を備えた半導体装置１０１であって、リード３００は、アイランド部３２０と端子部３５０とを繋ぐ連結部３３０と、端子部３５０に対して連結部３３０とは離間した位置に繋がり、端子部３５０側から樹脂パッケージ４００内方に進入するワイヤボンディング部３４０と、をさらに有しており、半導体チップ２００とワイヤボンディング部３４０とが、ワイヤ５００によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】寸法精度を向上したリードフレーム、該リードフレームを使用する半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップを載置する載置面を有するダイパッドと、インナーリード及びアウターリードを有する複数のリードと、ダイパッドから複数のリードの両端側にかけて延在し、インナーリードの端部が載置面の上部に位置するように、ダイパッドと複数のリードとを連結する連結部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂封止型の半導体パッケージ装置において、樹脂封止を行う際に、樹脂による成形性を安定化させることができるようにする。
【解決手段】たとえば、ボンディングパッド群が一辺に設けられたチップ１０をリードフレーム１１上に搭載し、樹脂１５で封止した半導体パッケージ装置において、リードフレーム１１は一対の内部リード群１１ａ，１１ｂを有し、チップ１０は裏面の有機系絶縁膜１２を介して、長い方の内部リード１１ｂ群および吊りピン部１１ｆ上に搭載されている。吊りピン部１１ｆは、長い方の内部リード１１ｂの、最も外側の内部リードに接続されるとともに、チップ１０の裏面に固着されて、チップ１０を安定にホールドする構成となっている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて製造される半導体装置において大電流を流せるようにリードの板厚を確保しながら、半導体装置の製造の際には巻き癖がつかないようにリードフレームをリールに巻きつけることができるようにする。
【解決手段】帯板状に形成されると共に、互いに幅方向に間隔をあけて平行に配した状態で互いに連結された一対のレール板部２Ａ，２Ｂと、各レール板部２Ａ，２Ｂからこれに相対する別のレール板部２Ｂ，２Ａに向けて一体に張り出す板状のリード３Ａ，３Ｂとを備えるリードフレーム１において、レール板部２Ａ，２Ｂの板厚をリード３Ａ，３Ｂよりも薄く設定する。また、各リード３の張出方向の基端部３１を、レール板部２の板厚と同一に設定された薄肉部３３と、薄肉部３３よりも板厚の厚い厚肉部３４とを前記張出方向に順番に配列して構成し、薄肉部３３と厚肉部３４との間に、リード３の板厚方向に延びる段差面３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体パッケージにおいて、半導体チップ搭載用のダイボンディング材のクラックを防止する。
【解決手段】半導体チップＣＰ１を、ダイボンディング材ＤＢ１を介してダイパッドＤＰ１の上面ｆ１に搭載し、絶縁性樹脂ＩＲ１によって封止する。前記絶縁性樹脂ＩＲ１と接触するダイパッドＤＰ１の上面ｆ１を粗面化し、ダイパッドＤＰ１の裏面ｆ２およびアウターリード部ＯＬ１は粗面化しない。 （もっと読む）

【課題】一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたＤＩＰ型の半導体モジュールの信頼性を高くする。
【解決手段】この曲げ加工により、ダイパッド１０１、１０２と、連結リード１３０のダイパッド１０１、１０２に挟まれた部分とは、図２（ａ）の状態から平行に下側に移動する。これにより、ダイパッド１０１、１０２、連結リード１３０は、外枠部１９０から吊り下げられた形態となる。この曲げ加工の際には、連結部１４０、１５０、連結リード１３０には歪みが生じ、特にこれらは長手方向において長くなるように変形する。連結部１４０においては環状部１４１、連結部１５０においては環状部１５１、連結リード１３０においては環状部１３１、１３２において、特にこの変形が行われる。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドが底面から露出した半導体装置において、ダイパッドへの樹脂バリの付着がなく、放熱性能のよいリードフレーム、リードフレームの製造方法、及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２１を載せるダイパッド１１の裏面が露出するタイプの半導体装置２０に使用するリードフレーム１０において、ダイパッド１１の裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第１の金属バリ１６が形成され、しかも第１の金属バリ１６の先端が平坦となっている。そして、ダイパッド１１の周辺にダイパッド１１の裏面と同一面を有する複数の外部端子２６が形成され、複数の外部端子２６の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第２の金属バリ２７を形成し、前記第２の金属バリ２７の先端が平坦となっている。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の極めて低い半導体装置を量産でき、さらに装置の小型化が実現する実装構造を提供する。
【解決手段】第１のフレーム材料により形成されたアイランド２とアイランド２から延在する第１リード３ａと、アイランド２に固着され上面に第１電極５および第２電極２０が設けられた半導体チップ１と、第２のフレーム材料により形成され第１電極５に固着される電極当接部６と電極当接部６から延在する第２リード３ｂと、第２のフレーム材料により形成され第２電極１０と電気的に接続されるポスト８とポスト８から延在する第３リード３ｃと、アイランド２、電極当接部６、ポスト８および半導体チップ１と、第１?第３リード３ａ?３ｃのそれぞれの一部とを一体に被覆する絶縁樹脂層とを具備し、ポスト８とアイランド２とを第１および第２のフレーム材料の打ち抜き加工に必要な離間距離より近接して対向配置する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、製造工程上にのみ用いる粘着シートを用いていたため、製造コストを低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リードフレーム２の裏面に樹脂シート１を貼り合せた後、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程、樹脂パッケージの個片化工程を行う。そして、樹脂シート１は、樹脂モールドされた樹脂と一体化し、樹脂パッケージの一部として用いられる。この製造方法により、樹脂シート１は破棄されることはなく、製造コストが低減され、また、樹脂パッケージの薄型化も実現される。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】材料歩留まりの高いリードフレーム、及び、パワーモジュールを提供する。
【解決手段】リードフレームは、平面視において、半導体素子が配置される領域の一の側に延伸する複数の第１リードと、平面視において、前記半導体素子が配置される領域の前記一の側とは反対側の他の側に延伸する複数の第２リードと、平面視において、前記複数の第１リードのうち端に位置する第１リードの外側に並べられる第３リードと、前記第３リードに接続され、前記第１リード、前記第２リード、及び前記第３リードのガイドフレーム１１９の一部であるとともに、前記ガイドフレーム１１９の当該一部以外の部分を切除した後に、前記第３リードに接続される配線になる配線部５００とを含む。 （もっと読む）

【課題】集積回路パッケージ内に集積回路チップを積層する改良された方法を提供する。
【解決手段】改良された方法は、集積回路パッケージ内の集積回路密度を増大することを可能にしつつ、得られる集積回路パッケージは薄く、かつ低プロファイルである。これら改良された方法は、特に集積回路パッケージ内で同一サイズ（かつしばしば同一機能）の集積回路チップを積層するために特に有用である。そのような集積回路パッケージの一例は、リードフレームの片側面または両側面上に積層された複数の類似のサイズのメモリ記憶集積回路チップを備える不揮発性メモリ集積回路パッケージである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの搭載時における位置ずれや短絡不良の発生が抑制される半導体装置を提供する。
【解決手段】端面ＣＥＧを有し、電気回路を含む半導体素子ＣＨＰと、半導体素子ＣＨＰの電気回路と電気的に接続される複数のリードフレームＬＦと、半導体素子ＣＨＰを覆うように形成される樹脂材料ＭＲとを備えている。上記リードフレームＬＦの半導体素子ＣＨＰ側の端部には半導体素子ＣＨＰの端面ＣＥＧに沿って延びるとともに半導体素子ＣＨＰの端面ＣＥＧに連なる裏面ＣＨＰｂに対向する位置にまで延びる半導体素子保持部ＩＬ１，ＩＬ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズを大きくしつつ、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、切り欠き部３ａを有し且つ表面の上に第１のめっき層２ａが形成されたダイパッド３と、ダイパッド３の切り欠き部３ａから離間して設けられ、表面の上に第１のめっき層２ｂが形成された第１のボンディング部４と、第２のボンディング部５と、第１のボンディング部４から延びる第１のリード７と、半導体チップ９と、第１の接続部材１０と、第１の接続部材１０と異なる材料からなる第２の接続部材１１と、樹脂封止１２とを備えている。第１のボンディング部４は、ダイパッド３の切り欠き部３ａを含む領域よりも外側の領域に配置されている。半導体チップ９は、ダイパッド３の切り欠き部３ａからはみ出すように搭載されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載しない非搭載面側の封止樹脂の厚みを可及的に薄くしつつ、封止樹脂の欠けおよび封止樹脂の充填不良を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップを備える。インナーリードは、第１面と該第１面に対して反対側の第２面とを有し、半導体チップを第１面上に搭載する。第１の樹脂部は、第１面上において半導体チップを封止する。第２の樹脂部は、第２面上に設けられている。アウターリードは、インナーリードに接続し、第１および第２の樹脂部から外部へ突出している。アウターリードが突出している第１の方向における第２の樹脂部の幅は、第１の方向における第１の樹脂部の幅よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】幅方向の撓みが少ないリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部１１，１２と、レール部と直交する第２の方向に沿ってレール部から延出された複数のセクションバー１７、１８と、複数のセクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレーム２０と、を備え、複数のセクションバーのうちの少なくとも１つは、半抜き加工によって形成された第２の方向に沿って延びるリブ３２を備えた。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低く放熱性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、複数の電極を有する半導体素子１と、前記半導体素子が第１の半田２を介して搭載され、前記半導体素子を囲む外周部に位置合わせピン３ａを有する導電性のベッド３と、前記ベッドから外側に向かって延伸し、前記半導体素子の前記複数の電極と電気的に接続された複数のリード４と、位置合わせ孔５ａを先端に有し、前記リードと同じ導電性材料からなり、前記位置合わせ孔に前記位置合わせピンが挿入されて前記ベッドの前記外周部に係合された吊りピン５と、前記半導体素子、前記ベッド、前記リードの一端、及び前記吊りピンを内包し、その外部に前記リードの他端が突出して延伸するモールド樹脂８と、を備える。前記吊りピンは、第２の半田６により前記ベッドの前記外周部に固定されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）