【課題】 新たなメモリセルの選択方式を導入することによって、上述した諸問題を解決し安価なＤＲＡＭを提供することである。さらには、本選択方式は、その他のＤＲＡＭセル、あるいはスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の高性能化にも寄与する。
【解決手段】 アレーを構成する行線Ｘと列線Ｙの交点にメモリセルＭＣが接続され、該１個のメモリセルは行線Ｘと列線Ｙで制御され、行線Ｘと列線Ｙのそれぞれにパルス電圧が印加されることによって該メモリセルＭＣが選択されてデータ線ＤＬと信号の授受を行う。 （もっと読む）

【課題】 データ保持時間を長くしつつセル電流を向上した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 埋め込み絶縁膜１０１を有する半導体基板１００の埋め込み絶縁膜１０１上に、フローティングウェル領域１０２とフローティングウェル領域１０２を挟むソース／ドレイン領域１０３と、フローティングウェル領域１０２内に設けられたトレンチ１０６ａ内部にゲート絶縁膜１０５を介して形成されたゲート電極１０６とを備えることにより、ソース／ドレイン領域１０３の不純物イオン濃度を低濃度に保ちリーク電流を抑えてデータ保持時間を長くしつつセル電流を向上する。 （もっと読む）