【課題】メモリ領域の配線層の露出を防止し、配線抵抗の変動や信頼性劣化を防止する紫外線消去型の不揮発性メモリセルを有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パッド電極２０及び層間絶縁膜２Ｃ上に紫外線を透過するエッチングストッパー膜として、ＳｉＯ_２膜２１を形成する。その後、パッド電極２０上のＳｉＯ_２膜２１を選択的にエッチング除去し、ＥＰＲＯＭ領域上についてはＳｉＯ_２膜２１を残す。その後、ＳｉＯ_２膜２１上及びＳｉＯ_２膜２１が除去されたパッド電極２０上に紫外線を透過しない保護膜として、シリコン窒化膜２３及びポリイミド膜２４を形成する。そして、パッド電極２０上及びＥＰＲＯＭ領域上のシリコン窒化膜２３及びポリイミド膜２４を選択的にエッチング除去する。このとき、ＳｉＯ_２膜２１はエッチングストッパーとして作用するので、コントロールゲートラインメタル層１９が露出するのを防止できる。 （もっと読む）