【課題】優れた動作性能を持ち高集積化可能な不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。
【解決手段】基板電極と、基板電極上に離隔配置された半導体チャンネル層と、半導体チャンネル層と対向するように、基板電極上に離隔配置されたフローティングゲート電極と、フローティングゲート電極上の制御ゲート電極と、を備え、フローティングゲート電極の一部分と基板電極との離隔距離は、電荷のトンネリングを許容するように半導体チャンネル層と基板電極との離隔距離より短い不揮発性メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】その場で消去する能力を有し、従来のＣＭＯＳプロセスに適合する単一ポリのフローティングゲートメモリデバイスを提供する。
【解決手段】従来のロジックプロセスに適合する単一ポリシリコンゲートを有する不揮発性フローティングゲートメモリセルは、第１導電型の基板を備えている。第２導電型の第１及び第２領域は、基板内にあって、互いに離間されて、それらの間にチャンネル領域を画成する。第１ゲートが基板から絶縁され、チャンネル領域の第１部分の上及び第１領域の上に配置されて、それに実質的に容量性結合される。第２ゲートは、基板から絶縁され、第１ゲートから離間されると共に、第１部分とは異なるチャンネル領域の第２部分の上に配置され、第２領域にほとんど又は全く重畳しない。 （もっと読む）