Fターム[5F083GA07]の内容
Fターム[5F083GA07]に分類される特許
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半導体記憶装置、及び半導体記憶装置の製造方法
【課題】半導体記憶装置の面積を縮小する技術を提供する。
【解決手段】高抵抗付加型ラッチ回路(12)と、その高抵抗付加型ラッチ回路(12)に保持されるデータの読み出しと書込みとを制御する選択回路(13)とを具備する半導体記憶装置(11)を構成する。その高抵抗付加型ラッチ回路(12)は、第1駆動トランジスタ(22)と、第2駆動トランジスタ(24)と、第1抵抗(121)と、第2抵抗(123)とを備えることが好ましい。また、その選択回路(13)は、第1選択トランジスタ(31)と、第2選択トランジスタ(32)とを備えることが好ましい。ここにおいて、その第1抵抗(121)と第2抵抗(123)とは、サイドウォール状の導電性材料(21)(23)で形成されるものである。
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強誘電体、圧電体及びこれらの製造方法
【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。
【解決手段】BiFeO3を主成分とする強誘電体及び圧電体13は、BiFeO3の複数のFeサイトが、Tiと、Mn、Ni及びCuのいずれかとに元素置換されている。BiとFeとTiとMn、Ni及びCuのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板11上に、BiとFeとTiとMn、Ni及びCuのいずれかとを堆積させることにより、BiFeO3を主成分とする強誘電体又は圧電体13の製造方法。
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