【課題】不揮発性記憶素子にフューズ素子を用いた半導体集積回路において、目的とするデータと、検査データとしての目的とするデータの論理否定データとを記憶し、フューズ素子の不可逆性を利用することで、記憶回路と検証回路の回路規模をあまり大きくすることなく、またデータ検証の処理時間の増大を招くことなく、記憶データの信頼性と正真性を保証する。
【解決手段】記憶すべき情報を示す特定データを不可逆的に記憶する不揮発性記憶回路１００ａを有する半導体集積回路１００において、該不揮発性記憶回路１００ａを、該特定データの非反転データを記憶する第１の記憶回路１０１と、該特定データの反転データを記憶する第２の記憶回路１０２とを有する構成とした。 （もっと読む）

本発明の様々な実施形態は、スタックされたメモリモジュールに向けられている。本発明の一実施形態において、メモリモジュール(100,600,1200,1400)は、少なくとも１つのメモリ層がスタックされた少なくとも１つのメモリコントローラ層(102,602,1204,1402)を備える。ファインピッチのスルー複数バイア（例えば、スルーシリコン複数バイア）(114,116)が、前記少なくとも１つのメモリコントローラ(401〜404)と、前記少なくとも１つのメモリ層との間の電気的な伝達を提供する前記スタックを通じて、前記少なくとも１つのメモリコントローラの表面に対してほぼ垂直に延在する。追加的には、前記メモリコントローラ層は、前記メモリモジュールに対して双方向にデータを伝達するよう構成された少なくとも１つの外部インターフェースを含む。更にまた、前記メモリモジュールには、光学層(602,1202)を含めることができる。該光学層を、前記スタック内に含めることができ、及び、該光学層は、前記少なくとも１つのメモリコントローラに対して双方向にデータを伝達するバス導波路を有する。前記外部インターフェースは、前記光学層とインターフェースする光学的な外部インターフェースとすることができる。
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【課題】 ＥＰＲＯＭを搭載するＩＣチップにおいて、データを消去するメモリ素子（書換え可能な）とデータを消去したくないメモリ素子（データ冗長用）を同時に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 特定のメモリ素子の上に紫外光線を反射、吸収する遮光物を形成する。このことによりデータ消去性を調整できるようなメモリ素子を形成できるようにする。また、遮光物に開口することで、より消去制御性のよりメモリ素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便にヒステリシス特性を回復させることのできる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュールを提供する。
【解決手段】強誘電体メモリモジュール１００を含む強誘電体メモリ装置のリサイクル方法であって、強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュールを取り外す工程と、前記強誘電体メモリモジュールを加熱する加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性が良く、安価な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置において、半導体記憶素子５がガラス基板１に取り付けられると共に、半導体記憶素子５の電極７がガラス基板１に設けられた配線パターン２に接続されるため、従来に比して部品点数が少なくなって、生産性が良く、安価なものが得られる。 （もっと読む）