【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】微弱磁場、低磁場に対する高い感度と早い応答性を備えた磁場応答性の分子性素子と、それを利用した磁場測定技術を提供する。
【解決手段】光励起により伝導性を示し、電荷再結合蛍光や電気抵抗が磁場の印加によっても変化する素子であって、任意に設定した強度の照射光の下で印加磁場の強さ:Ｂを下げていくとゼロでない有限の強さの磁場Ｂａで次式で表わされる対磁場蛍光強度変化率：Ｒが極小値あるいは極大値Ｒｍとなり、さらに下げると逆にＲが上昇あるいは減少してゼロ磁場でゼロとなる性質を有することを特徴とする磁場応答性の分子性素子。
Ｒ＝〔Φ（Ｂ）−Φ（０）〕／Φ（０）
〔Φ（Ｂ）は、予め設定した強度の照射光の下で、磁場の強さ：Ｂの時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示し、Φ（０）は、同じ照射光の下で、ゼロ磁場の時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示す。〕 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は磁気/非磁気/磁気多層フィルムに用いられるコア複合膜に関し、自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層を包含する。当該コア複合膜はただ隔離層がLB膜層であり、当該隔離層が絶縁性、導電的又は有半導体性質の材料からなる有機LB膜である。当該コア複合膜は前記の自由磁気層、隔離層とピンニングされた磁気層がすべてLB膜層であってもよい。その中にピンニングされた磁気層と自由磁気層が磁気のある材料有機膜で構成された。当該コア複合膜が磁気抵抗スピンバルブセンサーに応用され、磁気抵抗スピンバルブセンサーの磁誘導単位を構成でき、磁気抵抗ランダムアクセスメモリに応用され記憶単位とされる。当該コア複合膜が大面積範囲に均一性と一致性を保持し、そのプロセスが簡単で、コスト廉価であり、かつLB有機膜を利用し従来の隔離層と磁気層に代えて、デバイスを更に軽くし、さらに薄くし、更に加工と集積化させることができる。 （もっと読む）