説明

Fターム[5F092BD21]の内容

Fターム[5F092BD21]の下位に属するFターム

基板 (5)
動作層 (55)
電極 (7)
保護層 (1)
層間絶縁膜

Fターム[5F092BD21]に分類される特許

1 - 1 / 1


【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の磁区を有する磁性ワイヤーを備える半導体装置において、磁性ワイヤーは、パルス磁場及びパルス電流のうち何れか一つにより移動する磁壁を備えてノッチフリーであることを特徴とする半導体装置である。これにより、該半導体装置の磁性ワイヤーは、パルス磁場またはパルス電流の強度及び幅によって移動距離が制御される磁壁を備えるので、磁壁の移動の制御のための別途のノッチが不要である。 (もっと読む)


1 - 1 / 1