【課題】 シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法を提供する。
【解決手段】 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を６６．７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内に設定し、載置台２の電極４２に高周波電源４４から被処理体の面積当り０．１Ｗ／ｃｍ^２以上１．２Ｗ／ｃｍ^２以下の高周波電力を供給して行う。この高周波電力によってウエハＷへバイアス電圧が印加され、高いＳｉ／ＳｉＯ_２選択比が得られる。 （もっと読む）