【課題】本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】基板と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネル層と、電荷蓄積層と、ゲート電極と、前記チャネル層及び前記電荷蓄積層の間に設けられたトンネル絶縁層と、前記電荷蓄積層及び前記ゲート電極の間に設けられた、中間絶縁層と、を備え、前記中間絶縁層、前記電荷蓄積層、及び前記トンネル絶縁層が酸化ガリウムを含み、前記チャネル層が有機半導体層である不揮発性記憶素子である。 （もっと読む）

【課題】高速処理が可能で、かつ電荷保持特性の高いチャージトラップ型フラッシュメモリを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００の表面を酸化してシリコン酸化膜１４０を形成するシリコン酸化膜形成工程と、プラズマ状態の窒素含有ガスをシリコン酸化膜１４０に供給してシリコン酸化膜１４０の表面近傍に窒素ピーク濃度が２０原子％以上６０原子％以下の窒化層１４１を形成する窒化層形成工程と、窒化層１４１が形成されたシリコン酸化膜１４０上に電荷保持膜１５０を形成する電荷保持膜形成工程と、電荷保持膜１５０上に、絶縁膜１６０と電極膜１７０を形成する電極膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

フラッシュメモリデバイス及びフラッシュメモリデバイスを形成する方法を提供する。１つのバージョンでは、フラッシュメモリデバイスは、炭素、ホウ素、又は酸素を含むドーパントを有するドープト窒化シリコン層を含む。ドープト窒化シリコン層は、層中に発生する窒素ダングリングボンド及びシリコンダングリングボンドの数及び濃度を増大させ、不揮発性メモリデバイスのユニットセルの電荷保有能力及び電荷保持時間を増加させる。
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【課題】下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】第１絶縁膜２と、第１絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層４ａと、アモルファスシリコン層上に形成された第１窒化シリコン層４ｂと、第１窒化シリコン層上に形成された第２絶縁膜１０と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力の不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】直列に接続された複数の不揮発性メモリ素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記不揮発性メモリ素子は互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層の上層部であって、前記チャネル形成領域と略重なる位置に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートとを有し、前記不揮発性メモリ素子へのデータの書き込み、消去、第１の読み出し及びベリファイ機能における第２の読み出しは当該不揮発性メモリ素子の制御ゲートに印加される電圧を変化させることにより行われ、前記消去に伴うベリファイ機能における第２の読み出しは前記複数の不揮発性メモリ素子のうち選択された前記不揮発性メモリ素子の制御ゲートの電位のみを変動することにより行われ、当該電位には第１の読み出し電位とは異なる電位を供給する。 （もっと読む）