【課題】トランジスタの閾値電圧を高くする。
【解決手段】フローティング電極１１０は半導体層１０２上に形成されており、絶縁層はフローティング電極１１０上に形成されている。バイアス電極１３４は、絶縁層を介してフローティング電極１１０の一部に対向することにより、フローティング電極１１０と容量結合し、かつフローティング電極１１０が半導体層１０２にチャネル領域を形成しない大きさの電圧が印加される。制御電極１３２は、絶縁層を介してフローティング電極１１０の他の部分に対向することにより、フローティング電極１１０と容量結合し、かつトランジスタのオン／オフを制御するための制御電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリオフ動作を実現するとともに、電流コラプス現象が抑制されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。半導体上層４０は、中間領域にマグネシウムを含むδドープ層４４を有する。 （もっと読む）

【課題】縦型チャネルを有するトランジスタにおいて、ドレインあるいはソース電極のコンタクト抵抗を低減し、かつ微細チャネル寸法とする。
【解決手段】 ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０４上に選択的にＳｉＯ_２薄膜１０７、タングステンゲート電極１０８、ＳｉＯ_２薄膜１０９がこの順に形成され、３層の多層膜構造にはストライプ状の開口部が形成されている。この開口部を介して、例えば有機金属気相成長法により再成長する状態でアンドープＧａＮ半導体層１０５、ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０６が形成されている。ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０６及びｎ＋型ＧａＮ半導体層１０４に接する形でそれぞれソース電極１１０及びドレイン電極１１２が形成される。再成長したアンドープＧａＮ半導体層１０５及びｎ＋型ＧａＮコンタクト半導体層１０６は横方向に成長した部分であり、開口部の面積よりも電極のコンタクト面積を大きくできる。 （もっと読む）