Fターム[5F102HB03]の内容
接合型電界効果トランジスタ (42,929) | セルフアライン、複数の素子部分の形成 (18) | 形成する部分 (14)
Fターム[5F102HB03]の下位に属するFターム
チャネル
リセス (5)
ゲート不純物領域(pn接合ゲート)
ゲート電極 (4)
ソース・ドレイン領域 (3)
ソース・ドレイン電極 (1)
ダミーゲート (1)
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接合型電界効果トランジスタ (42,929) | セルフアライン、複数の素子部分の形成 (18) | 形成する部分 (14)
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ゲート電極 (4)
ソース・ドレイン領域 (3)
ソース・ドレイン電極 (1)
ダミーゲート (1)
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