【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、閾値電圧を高くする。
【解決手段】第２窒化物半導体層２００は、Ａｌの組成比が互いに異なる複数の窒化物半導体層を順次積層した構造を有するため、Ａｌ組成が階段状に変化している。第２窒化物半導体層２００を形成する複数の半導体層は、それぞれが同一方向に分極している。そしてゲート電極４２０に近い半導体層は、ゲート電極４２０から遠い半導体層よりも、分極の強度が強く（又は弱く）なっている。すなわち複数の半導体層は、ゲート電極４２０に近づくにつれて、分極の強度が一方向に変化している。この分極の方向は、複数の半導体層内の界面において負の電荷が正の電荷よりも多くなる方向である。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタの耐圧を高くする。
【解決手段】第１の高電子移動度トランジスタ４と、負の閾値電圧を有する第２の高電子移動度トランジスタ６とを有し、第２の高電子移動度トランジスタ６のソースＳ２は、第１の高電子移動度トランジスタ４のゲートＧ１に接続され、第２の高電子移動度トランジスタ６のゲートＧ２は、第１の高電子移動度トランジスタ４のソースＳ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型ＨＦＥＴを製造することができるリセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合部を有し、ＡｌＧａＮ層上にゲート電極が形成されているリセスゲート型ＨＦＥＴを製造する方法であって、基板上にＧａＮ層を形成する第１工程と、ＧａＮ層上に第１のＡｌＧａＮ層を１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さに形成する第２工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のうちゲート電極形成領域以外の領域の少なくとも一部の表面上に第２のＡｌＧａＮ層を再成長により形成する第３工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のゲート電極形成領域にゲート電極を形成する第４工程と、を含む、リセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ゲートリセス構造を有する高周波素子等の半導体装置を良好な歩留まりで製造することのできる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 第２の絶縁膜４を堆積する膜厚を所定のあらかじめ厚さとし、この第２の絶縁膜をエッチングする時間を所定の時間とすることによって、開口３の周縁に形成されるサイドウォール５の断面幅を調整し、後の工程にてこのリセス７が形成される半導体基板１の露出部位６の幅を所望の値に制御する。また、この半導体基板１の露出部位６にリセスを形成する際は、そのエッチング時間を制御することによって形成されるリセス７の深さを所望の値に制御する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有し、歩留が改善する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電子供給層１３およびキャップ層１４を設けた半導体基板１０上に第１絶縁膜１５を堆積する第１工程と、半導体基板１０上にレジスト膜１６を形成する第２工程と、レジスト膜１６に開口１６ａを形成する第３工程と、開口１６ａを通して第１絶縁膜１５をエッチングし開口１５ａを形成する第４工程と、レジスト膜１６を剥離する第５工程と、第１絶縁膜１５の開口１５ａを通して、電子供給層１３と選択的にキャップ層１４をエッチングし開口１４ａを形成する第６工程と、キャップ層１４の開口１４ａを塞がない膜厚の第２絶縁膜１７を堆積する第７工程と、第２絶縁膜１７にエッチバック処理を行い電子供給層１３を露出させる第８工程と、第２絶縁膜１７をマスクにして電子供給層１３を所定の深さまでエッチングする第９工程と、電子供給層１３上にゲートメタル２０を形成する第１０工程とからなる。 （もっと読む）