【課題】少ない工程数で製造可能であり、かつゲート電極付近の電界集中を緩和させる。
【解決手段】下地１１上に第１及び第２絶縁膜１３及び１５を順次形成し、第２絶縁膜に表面から第１開口パターン、及び第１絶縁膜を露出させ、かつ第１開口パターンよりも開口端の第１方向に沿った長さが短い第２開口パターンを形成し、第１開口パターンを厚み方向に沿って拡大することによって第１開口部１９、第１及び第２開口パターンからの露出面から第１絶縁膜を部分的に除去することによって、第１開口部から連続し、かつ第１開口部１９よりも開口端の第１方向に沿った長さが短い第２開口部２１、及び第２開口部から連続した、下地面を露出させ、かつ第２開口部よりも開口端の第１方向に沿った長さが短い第３開口部２３を形成し、第１〜第３開口部を含む電極形成用開口部１７を埋め込むとともに、電極形成用開口部周辺の第２絶縁膜の表面を被覆する電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート長の短い微細デバイスの量産を容易にする。
【解決手段】先ず、第１領域２２及び第２領域２４が設定された半導体基板２０の１の主表面２０ａ上に、絶縁膜を形成する。次に、絶縁膜上に、第１領域の絶縁膜を覆い、かつ、第２領域の絶縁膜を露出するレジストパターン４２を形成する。次に、絶縁膜の第２領域の部分を除去して、絶縁膜の第１領域の部分を第１絶縁膜３２として残存させる。次に、第１絶縁膜の側面３２ａ上に、金属を堆積させて金属膜５０を形成する。次に、半導体基板の、第２領域の１の主表面上に、第２絶縁膜を形成する。 （もっと読む）