Fターム[5F102HC23]の内容
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Fターム[5F102HC23]に分類される特許
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化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】ゲート−ソース間の容量低減及びソース抵抗を低減させ、且つ耐圧向上、高出力化及び高周波化を、容易且つ確実に可能とする量産化に優れた信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極19を形成する際に、4層の電子線レジスト11〜14を用いてゲート開口17を形成し、ゲート開口17内に、キャップ層5の表面との接触面を含む幹状の下方部分19aと下方部分19aから傘状に拡がる上方部分19bとが一体形成されてなり、下方部分19aの接触面がドレイン電極7に比べてソース電極6に偏倚した位置に設けられており、上方部分19bの傘状の下端面のうちソース電極6側の部位がドレイン電極7側の部位よりもキャップ層5の表面からの高さが高いゲート電極19を形成する。
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