Fターム[5F103KK00]の内容
半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | ドーパント (179)
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Fターム[5F103KK00]に分類される特許
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半導体製造方法
本発明はIII−V族半導体の製造方法に関するものである。本発明によれば、前記方法は、電子アクセプタであるp型ドーパントで、原子価xが0と1の間に含まれる数を表す、一般式AlxGa1-xNの半導体をドーピングする、少なくとも一つのドーピング過程と、価電子帯の構造を変えることのできる共ドーパントによる共ドーピング過程とから成る。本発明は、半導体、ならびに電子産業または光電子産業におけるその使用にも関するものである。本発明はさらに、かかる半導体を使用するデバイスならびにダイオードに関するものである。 (もっと読む)
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