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Fターム[5F110EE43]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ゲート (57,237) | 製法 (12,530) | 堆積 (11,688) | 蒸着 (2,542)

Fターム[5F110EE43]に分類される特許

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【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量2000以上のπ共役系ポリマー及び分子量2000以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】 第1絶縁基板と、第1絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第1接触孔を有する保護膜と、第1接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第1絶縁基板と第2絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 (もっと読む)


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