【課題】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを構成するｐ型及びｎ型ＴＦＴの各しきい値電圧を独立に効率良く（最小限のフォトリソグラフィーで）高精度に制御する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを製造するに際して、しきい値電圧（Ｖthp ，Ｖthn ）制御として極低濃度にｐ型不純物（Ｂ：ボロン）の非選択的添加（ｐ型及びｎ型ＴＦＴの双方に添加）及び選択的添加（ｎ型ＴＦＴのみに添加）を連続的に行なう。具体的には、当初図４（ａ）のようにＩd −Ｖg 特性がｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に負シフトした状態から、非選択的添加により図４（ｂ）のようにｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に正シフトさせてＶthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりｎ型ＴＦＴのみ正シフトさせてＶthn を仕様値に調整する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。ＴＦＴ（３０）の下側には、第１遮光膜（１１ａ）が設けられている。データ線（６ａ）は、遮光性の材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）及びチャネル隣接領域（１ａ”）を対向基板（２０）の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部（６ｂ）とを有する。 （もっと読む）