【課題】 絶縁体上に形成される半導体層の配置位置に制約を伴うことなく、信頼性の高い半導体層を安価に絶縁体上に形成する。
【解決手段】 第１半導体層２上に第２半導体層３を形成し、開口部８を介してエッチングガスまたはエッチング液を第１半導体層２に接触させることにより、第１半導体層２の一部をエッチング除去し、半導体基板１と第２半導体層３との間に空洞部９を形成した後、化学気相成長法により酸化膜を堆積することにより、空洞部９内に酸化膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノワイヤを目的とする位置に配列するために、電気泳動可能な形態とすること。
【解決手段】金属（62）を触媒にして半導体ナノワイヤ（51）を成長し、前記ナノワイヤの周囲を酸化した後、前記金属（62）を触媒として金属膜（53）を無電解めっきしたナノワイヤ構造体よりなり、電気泳動により電極（55）間に固着したナノワイヤ構造体を含むことを特徴とした半導体素子。 （もっと読む）