【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産
上、不利と考えられる。
【解決手段】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウン
が実現でき、大面積基板にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素を有し且つ非晶質構造の中で結晶領域を有する半導体層をバッファ層として有する。非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】分子長軸が長いことから高性能であり、優れた耐酸化性を有し、さらに塗布法による半導体活性相形成が可能な、ビ（アントラカルコゲノフェニル）誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とするビ（アントラカルコゲノフェニル）誘導体。


（ここで、置換基Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄原子、セレン原子、テルル原子を示し、置換基Ｒ^１〜Ｒ^８は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数２〜３０のアルケニル基を示し、記号ｍは０又は１の整数である。） （もっと読む）

【課題】表示装置の作製のコストの低減を課題の一とする。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、ゲート端子及び第１端子が高電源電位を供給する配線に接続された第１の薄膜トランジスタと、第１の薄膜トランジスタの第２端子が第１端子に接続され、第２端子が低電源電位を供給する配線に接続され、ゲート端子に入力信号が供給される第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは同じ極性であり、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極に接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する微結晶半導体層と、微結晶半導体層に接する混合層と、混合層に接する非晶質半導体を含む層と、配線とを有し、混合層において、錐形状の微結晶半導体領域と、錐形状の微結晶半導体領域を充填する非晶質半導体領域とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】サイズの大型化を抑制しつつ必要な電流を得ることの可能な薄膜トランジスタおよびこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極１１およびゲート絶縁膜１２を介してシリコン膜１３を有している。シリコン膜１３のゲート電極１１に対応する領域には絶縁保護膜１４が形成され、絶縁保護膜１４の上面両端からシリコン膜１３上にかけて、非晶質シリコン膜（ソース領域）１５Ａおよび非晶質シリコン膜（ドレイン領域）１５Ｂが形成され、それぞれソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂにより覆われている。シリコン膜１３はチャネル領域１３Ｃを有し、このチャネル領域１３Ｃにおいて長さ方向に沿って結晶化領域１３Ｂおよび非結晶領域１３Ａが形成されている。結晶化領域１３Ｂの幅ｄ₁が調整されることにより、必要電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】ソースのコンタクト抵抗を低く抑えて高性能なトランジスタ特性をえると同時に高いブレークダウン電圧を実現できるなど、トランジスタ特性のきめ細かな調整を行える電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ソース・ドレイン間のチャネル領域２３が少なくとも２つ以上の直列に接続された細分化チャネル領域２３１〜２３２からなり、少なくとも２つの細分化チャネル領域２３１〜２３２の半導体材料のバンドギャップが異なっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲートと、ゲートに対応する位置に形成され、Ｚｎ原子と、Ｈｆ及びＣｒ原子のうちの少なくとも一つを含む物質からなる酸化物半導体を含んで形成されたチャンネルと、ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層と、チャンネルの各々の側部に接触して形成されたソース及びドレインと、を備える。本発明によれば、酸化物半導体を利用してＬＣＤ、ＯＬＥＤなど平板ディスプレイの駆動トランジスタ、メモリ素子の周辺回路構成のためのトランジスタなどの多様な電子素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く、かつ短時間に、半導体薄膜の結晶化率を測定する方法を提供する。
【解決手段】基体上に形成された半導体薄膜に、半導体薄膜と基体との間に光学的干渉共鳴を起こす波長を含む光Ｌ２を照射し、光の透過光Ｌ３の光強度、或いは、光の反射光の光強度を、測定することにより、半導体薄膜の結晶化率を測定する。 （もっと読む）

【課題】新規なナノワイヤ構造を提供し、電子デバイスに応用する。
【解決方法】本発明のナノワイヤ１０１は、第１の材料から形成された結晶性半導体のナノワイヤ本体１０４と、前記半導体を構成する元素を一部に含む第２の材料から形成され、ナノワイヤ本体１０４の表面の少なくとも一部に位置する複数の微粒子１０３とを備え、ナノワイヤ本体１０４の表面が平滑である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の径時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、トランジスタ特性が高精度に制御された薄膜半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ光Ｌｈの照射によって多結晶化した活性領域５ａを有する半導体薄膜５と、活性領域５ａを横切るように設けられたゲート電極９とを備えた薄膜半導体装置において、活性領域５ａのうち、少なくともゲート電極９と重なるチャネル部Ｃでは、結晶状態がチャネル長Ｌ方向に周期的に変化している。そして、略同一の結晶状態がチャネル部Ｃを横切っている。チャネル部Ｃには、結晶状態の変化の周期が２周期以上の所定数で設けられており、周期毎に非晶質帯５１と結晶質帯５２とが交互に設けられている。 （もっと読む）

【課題】形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、レーザ光Ｌｈの照射径ｒ以下のピッチｐを保ってレーザ光Ｌｈを平行に走査させることで、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向に帯状の結晶粒ｂを成長させる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、トランジスタ特性が高精度に制御された薄膜半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ光Ｌｈの照射によって多結晶化した活性領域５ａを有する半導体薄膜５と、活性領域５ａを横切るように設けられたゲート電極９とを備えた薄膜半導体装置において、ゲート電極９と重なる活性領域５ａのチャネル部Ｃには、ゲート電極９に沿って一連の結晶粒界ａが延設されている。この結晶粒界ａは、チャネル部Ｃを横切ると共に、チャネル長Ｌ方向に周期的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度が高く、形成が容易な半導体層を有する半導体素子を得ることを可能にする。
【解決手段】ＴｅＩ_４からなる半導体層を備え、前記ＴｅＩ_４がクラスター構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 低温処理でも優れた特性を有すると共に、ゲート電圧が０のときに電流が流れ、ゲート電圧が＋になっていくと電流が減少する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）を形成する。次に、ゲート絶縁膜を形成した基板の上に、ソース電極及びドレイン電極となる金薄電極を形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極の間の基板上に、ナノチタニア層を形成する。ナノチタニア層の形成は、ナノチタニア粒子を水又はエタノール中に分散した後、スキージで塗布し、その後、乾燥させることによって、ナノチタニア粒子膜を製造する。 （もっと読む）

本発明の有機薄膜トランジスタは、基板（１１）と、基板（１１）上に設けられた有機半導体からなる半導体層（１４）とを有し、半導体層（１４）は、前記有機半導体の結晶から構成され、前記結晶の結晶相は、前記有機半導体のエネルギー的に最安定なバルク結晶の結晶相と同一である。また、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板（１１）上に有機半導体を蒸着して半導体層（１４）を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体を蒸着する際、基板（１１）の温度を４０〜１５０℃の範囲に保持し、０．１〜１ｎｍ／分の蒸着速度で蒸着することを特徴とする。
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【課題】素子の微細化が可能でスイッチング性能の高い立体構造を有する電界効果型トランジスタである半導体素子を提供する。
【解決手段】ソース領域と、前記ソース領域の上部に配置された半導体機能層と及び、前記半導体機能層の上部に配置されたドレイン領域とを備え、前記半導体機能層は、前記ソース領域に対してほぼ垂直に配列した、複数の柱状あるいは円筒状の半導体物質からなる第１の部材と、前記第１の部材を取り囲み、前記ソース領域と絶縁体を介して配置された第２の部材から構成され、前記第２の部材はゲート領域と、絶縁体領域とから構成されており、前記第１の部材の平均直径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、前記第１の部材の平均間隔が３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記半導体層の酸素を除く主成分がシリコン、またはゲルマニウム、またはシリコンとゲルマニウムの混合物のいずれかである半導体素子を用いる。 （もっと読む）