【課題】現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産
上、不利と考えられる。
【解決手段】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウン
が実現でき、大面積基板にも対応できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装
置およびその作製方法に関する。例えば、有機発光素子を有する発光表示装置や、液晶表
示パネルに代表される電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
画像表示装置として、液晶表示装置が一般によく知られている。パッシブ型の液晶表示
装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多
く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マ
トリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成
される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印
加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行わ
れ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
【０００５】
これまで、一枚のマザーガラス基板から複数の液晶表示パネルを切り出して、大量生産
を効率良く行う生産技術が採用されてきた。マザーガラス基板のサイズは、１９９０年初
頭における第１世代の３００×４００ｍｍから、２０００年には第４世代となり６８０×
８８０ｍｍ、若しくは７３０×９２０ｍｍへと大型化して、一枚の基板から多数の表示パ
ネルが取れるように生産技術が進歩してきた。
【０００６】
また、近年、自発光型の発光素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化して
いる。この発光装置は有機ＥＬディスプレイ、又は有機発光ダイオードとも呼ばれている
。これらの発光装置は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの
特徴を有しているため、新世代の携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）をはじめ、次世代デ
ィスプレイとして大きく注目されている。
【０００７】
有機化合物を含む層を発光層とするＥＬ素子は、有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と
記す）が陽極と、陰極との間に挟まれた構造を有し、陽極と陰極とに電界を加えることに
より、ＥＬ層からルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が発光
する。また、ＥＬ素子からの発光は、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光
）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがある。
【０００８】
アクティブマトリクス型の表示装置の用途は広がっており、画面サイズの大面積化とと
もに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。
【０００９】
特許文献１には、複数のパネルをタイル状に配置して１つの表示画面を形成することに
よって大型ディスプレイを実現している。しかし、複数のパネルを使用するためコスト高
となり、駆動方法も特殊なものとなってしまう。
【００１０】
また、画面サイズの大面積化と同時に、生産性の向上や低コスト化の要求も高まってい
る。
【００１１】
また、成膜に要する液体の歩留まりを高めるため、レジスト液をノズルから細径の線状
に連続吐出できる装置を用いて半導体ウェハ上に成膜を行う技術が特許文献２に記載され
ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−２９８４４６
【特許文献２】特開２０００−１８８２５１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今
後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回
転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産上、不利
と考えられる。また、矩形の基板をスピンコートさせると回転軸を中心とする円形のムラ
が塗布膜に生じやすい。本発明は、大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用
いた製造プロセスを提供する。
【００１４】
また、本発明は、液滴吐出法で形成された配線を用いた大画面ディスプレイ、およびそ
の作製方法を提供する。また、本発明は、液滴吐出法で形成された配線を所望の電極幅と
してチャネル長が１０μｍ以下のＴＦＴを画素に配置した発光装置をも提供する。
【００１５】
また、本発明は、液滴吐出法で形成された配線を所望の電極幅としてチャネル長が１０μ
ｍ以下のＴＦＴをスイッチング素子とした液晶表示装置をも提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選
択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導
体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の
削減も図れるため大幅なコストダウンが実現でき、大面積基板にも対応できる。
【００１７】
導電膜材料液は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの金属或いは合金と、有機
高分子樹脂、光重合開始剤、光重合単量体、または溶剤などからなる感光性樹脂とを含ん
でいる。有機高分子樹脂としては、ノボラック樹脂、アクリル系コポリマー、メタクリル
系コポリマー、セルローズ誘導体、環化ゴム系樹脂などを用いる。
【００１８】
感光性材料には大きくわけてネガ型とポジ型がある。ネガ型の場合は、露光された部分
で化学反応が生じ、現像液によって化学反応が生じた部分のみが残されてパターンが形成
される。また、ポジ型の場合は、露光された部分で化学反応が生じ、現像液によって化学
反応が生じた部分が溶解され、露光されなかった部分のみが残されてパターンが形成され
る。
【００１９】
また、配線幅は、レーザー光の照射精度によって決定されるため、滴下する液滴量や粘
度や、ノズル径に関係なく、所望の配線幅を得ることができる。通常、配線幅は、ノズル
から吐出された材料液と基板の接触角で変化する。例えば、標準的なインクジェット装置
の一つのノズル径（５０μｍ×５０μｍ）から吐出される量は３０ｐｌ〜２００ｐｌであ
り、得られる配線幅は６０μｍ〜３００μｍであるが、レーザー光で露光する本発明によ
り幅（例えば電極幅３μｍ〜１０μｍ）が狭い配線を得ることができる。また、標準より
細いノズル径では、一つのノズルから吐出される量は０．１ｐｌ〜４０ｐｌであり、得ら
れる配線幅は５μｍ〜１００μｍである。
【００２０】
また、液滴吐出法により配線パターンを形成する場合、ノズルから間欠的に吐出されて
導電膜材料液滴がドット状に滴下される場合と、ノズルから連続的に吐出されて繋がった
まま紐状の材料が付着される場合の両方がある。本発明においては、適宜、いずれか一方
で配線パターンを形成すればよい。比較的幅の大きい配線パターンを形成する場合には、
ノズルから連続的に吐出されて繋がったまま紐状の材料を付着させるほうが生産性に優れ
ている。
【００２１】
また、液滴吐出法により配線パターンを形成する前に、予め基板上に密着性を向上させ
る下地層の形成（または下地前処理）を全面または選択的に行うことが好ましい。下地層
の形成としては、スプレー法またはスパッタ法によって光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯ
_X）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タン
タル酸カリウム（ＫＴａＯ₃）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂
）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化タングス
テン（ＷＯ₃））を全面に滴下する処理、またはインクジェット法やゾルゲル法を用いて
有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨
格構造が構成され、置換基に水素、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少
なくとも１種を有する材料を用いた塗布絶縁膜）を選択的に形成する処理を行えばよい。
【００２２】
光触媒物質は、光触媒機能を有する物質を指し、紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下
、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせるものである。光触媒物
質上に、インクジェット法で代表される液滴吐出法により、溶媒に混入された導電体を吐
出すると、微細な描画を行うことができる。
【００２３】
例えば、ＴｉＯ_Xに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状
態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性
がない状態となる。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりう
る。
【００２４】
更に光触媒物質へ遷移金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、
Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４０
０ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。このように光の波長
は光触媒物質によって決定することができるため、光照射とは光触媒物質の光触媒活性化
させる波長の光を照射することを指す。
【００２５】
また、光照射を行いながら、インクジェット法で代表される液滴吐出法により、溶媒に
混入された導電体を吐出してもよい。
【００２６】
また、レーザー光の波長により光触媒活性を起こす光触媒物質を全面に形成した後、選
択的にレーザー光を照射することによって、照射した領域のみを改質することも可能であ
る。また、レーザー光照射を行いながら、インクジェット法で代表される液滴吐出法によ
り、溶媒に混入された導電体を吐出してもよい。
【００２７】
なお、親水性とは、水に濡れやすい状態を指し、接触角が３０度以下、特に接触角が５
度以下を超親水性という。一方、撥水性とは、水に濡れにくい状態を指し、接触角が９０
度以上のものを指す。同様に親油性とは、油に濡れやすい状態を指し、撥油性とは油に濡
れにくい状態を指す。なお接触角とは、滴下したドットのふちにおける、形成面と液滴の
接線がなす角度のことを指す。
【００２８】
導電膜材料液を用いて液滴吐出法で配線を形成する際、導電膜材料液が流動性を有して
いたり、ベーク時に流動性が増加するものであった場合、液だれによって精細なパターン
とすることが困難となる恐れがある。また、配線間隔が狭い場合、パターン同士が繋がっ
てしまう恐れもある。本発明においては、液だれによって幅広のパターンとなっても、導
電膜材料液に感光性材料を含ませて、レーザー光で精密に露光、現像を行うことで精細な
パターンを得ている。
【００２９】
例えば、大面積の表示を行うディスプレイを製造する際、ゲート配線のようなバスライ
ンは液滴吐出法で得られる幅の広い配線とすることが好ましいが、ゲート電極は幅の狭い
配線とすることが好ましい。このような場合、ポジ型の感光性材料を含ませた導電膜材料
液でゲート配線および第１のゲート電極を形成し、第１のゲート電極の部分（除去したい
部分）のみレーザー光を選択的に照射して、現像させることによって細く加工された第２
のゲート電極を形成することができる。また、ネガ型の感光性材料を含ませた導電膜材料
液でゲート配線および第１のゲート電極を形成した場合、ゲート配線および第１のゲート
電極の部分（残したい部分）のみレーザー光を選択的に照射して、現像させることによっ
て細く加工された第２のゲート電極を形成することができる。
【００３０】
また、ＴＦＴのゲート電極だけでなく、ソース電極、ドレイン電極、発光素子の陽極、
発光素子の陰極、電源線、引き回し配線などを形成することもできる。
【００３１】
また、レーザー光の波長によっては、ガラス基板を通過させることができ、そのレーザ
ー光を用いて裏面露光を行うことができる。基板の裏面から露光することによって、先に
界面付近の導電膜材料を露光することができ、配線と下地層との密着性、または配線と基
板との密着性を向上させることができる。
【００３２】
また、ボトムゲート型ＴＦＴを作製する場合、裏面露光によってゲート電極をマスクと
して、自己整合的（セルフアラインにソース電極、ドレイン電極を形成することもできる
。
【００３３】
本明細書で開示する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上にゲート配線またはゲート電極と、
前記ゲート配線またはゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む半導体層と、
前記半導体層上に形成されたソース電極またはドレイン電極と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極上に形成された画素電極とを有し、
前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極の幅と同一のチャネル長を有し、且つ、前記
ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔と同一であることを特徴とす
る半導体装置である。
【００３４】
上記構成において、前記薄膜トランジスタの活性層は、水素またはハロゲン水素が添加
された非単結晶半導体膜、または多結晶半導体膜であることを特徴としている。
【００３５】
また、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、ボトムゲー
ト型（逆スタガ型）ＴＦＴや、トップゲート型（順スタガ型）ＴＦＴを用いることが可能
である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有
するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
【００３６】
また、ＴＦＴの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構
造を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにＴＦＴの活性層として、
非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に
安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な
領域を含んでいるセミアモルファス半導体膜（微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導
体膜とも呼ばれる）も用いることができる。
【００３７】
また、上記各構成において、前記ソース電極または前記ドレイン電極は、感光性材料を
含んでいることを特徴としている。
【００３８】
液滴吐出法を用いた導電層などのパターン形成方法では、粒子状に加工されたパターン形
成材料を吐出し、焼成によって融合や融着接合させ固化することでパターンを形成する。
よって、そのパターンは、スパッタ法などで形成したパターンが、多くは柱状構造を示す
のに対し、多くの粒界を有する多結晶状態を示すことが多い。
【００３９】
また、液滴吐出法を用いて得られた導電層は、樹脂を含む材料であることを特徴の一つ
としている。この樹脂は導電材料を含む液滴に含まれるバインダーなどの材料であり、こ
の樹脂と、溶媒と、金属のナノ粒子とを混合させることによってインクジェット法で吐出
可能なものとしている。
【００４０】
また、上記各構成において、前記半導体装置は、第１の基板と、第２の基板と、前記第
１の基板と前記第２の基板とからなる一対の基板間に保持された液晶とを有している。或
いは、前記半導体装置は、陰極と、有機化合物を含む層と、陽極と、薄膜トランジスタと
を有する発光素子を複数有することを特徴としている。
【００４１】
また、上記各構成において、前記半導体装置は、図３３（Ｄ）にその一例を示す映像音
声双方向通信装置、または汎用遠隔制御装置である。
【００４２】
また、作製方法に関する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に、感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第１
の導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１の導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光する工程と、
露光された第１の導電膜パターンを現像して、第１の導電膜パターンよりも幅の狭い第
２の導電膜パターンを形成する工程と、
前記第２の導電膜パターンを覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置
の作製方法。
【００４３】
また、上記構成において、前記感光性材料を含む導電膜材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ａｌ、Ｐｔの化合物あるいは単体のいずれかが含まれていることを特徴としている。
【００４４】
また、上記構成において、前記感光性材料は、ネガ型、或いはポジ型であることを特徴
としている。
【００４５】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板表面上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を
形成する工程と、
前記第２の半導体膜上にポジ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して
第１の導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１の導電膜パターンに対して、前記基板の表面側からレーザー光を選択的に照射
して露光する工程と、
露光された第１の導電膜パターンを現像して、ソース電極およびドレイン電極を形成す
る工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、前記第１の半導体膜および第２の
半導体膜のエッチングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００４６】
また、作製方法に関する他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板表面上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を
形成する工程と、
前記第２の半導体膜上にネガ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して
第１の導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１の導電膜パターンに対して、前記基板の裏面側から前記ゲート電極をマスクと
してレーザー光を照射して露光する工程と、
露光された第１の導電膜パターンを現像して、前記ゲート電極の幅と同一間隔を有して
自己整合的にソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、前記第１の半導体膜および第２の
半導体膜のエッチングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【発明の効果】
【００４７】
本発明により液滴吐出法でも微細な配線パターンを得ることができる。また、本発明によ
りパターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウンが
実現でき、大面積基板にも対応できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】アクティブマトリクス型の発光装置の作製工程を示す断面図。
【図２】アクティブマトリクス型の発光装置の作製工程を示す断面図。
【図３】画素上面図を示す図。
【図４】レーザビーム描画装置を示す図。
【図５】発光装置の作製工程を示す図。（実施の形態２）
【図６】発光装置の作製工程を示す図。（実施の形態３）
【図７】発光装置の作製工程を示す図。（実施の形態４）
【図８】チャネルストップ型ＴＦＴを示す断面図。（実施の形態５）
【図９】順スタガ型ＴＦＴを示す断面図。（実施の形態６）
【図１０】本発明の発光表示装置の上面図。（実施の形態１）
【図１１】本発明の発光表示装置の上面図。（実施例１）
【図１２】発光装置の一例を示す断面図。（実施例２）
【図１３】本発明のＥＬ表示パネルに適用できる画素の構成を説明する回路図。（実施例３）
【図１４】発光表示モジュールの断面図である。（実施例４）
【図１５】表示パネルの上面図および断面図である。（実施例５）
【図１６】液滴吐出装置を示す斜視図。
【図１７】ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す断面図。（実施の形態７）
【図１８】ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す断面図。（実施の形態７）
【図１９】画素上面図を示す図。（実施の形態７）
【図２０】液晶表示装置の作製工程を示す図。（実施の形態８）
【図２１】液晶表示装置の作製工程を示す図。（実施の形態９）
【図２２】液晶表示装置の作製工程を示す図。（実施の形態１０）
【図２３】チャネルストップ型ＴＦＴを示す断面図。（実施の形態１１）
【図２４】順スタガ型ＴＦＴを示す断面図。（実施の形態１２）
【図２５】液晶滴下を液滴吐出法で行う斜視図および断面図である。（実施例６）
【図２６】プロセス上面図を示す図。（実施例６）
【図２７】貼りあわせ装置および貼りあわせ工程を示す断面図。（実施例６）
【図２８】液晶モジュールの上面図。（実施例６）
【図２９】アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。（実施例６）
【図３０】駆動回路を示すブロック図。（実施例６）
【図３１】駆動回路を示す回路図。（実施例６）
【図３２】駆動回路を示す回路図。（実施例６）
【図３３】電子機器の一例を示す図。（実施例７）
【発明を実施するための形態】
【００４９】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５０】
（実施の形態１）
ここではチャネルエッチ型のＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型
発光表示装置の作製例を図１、図２に示す。
【００５１】
まず、基板１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるための
下地層１１を形成する。下地層１１は、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持
っていなくても良く、下地前処理とみなすこともできる。スプレー法またはスパッタ法に
よって光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯ_X）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、
セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ₃）、硫化カドミウム
（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化タングステン（ＷＯ₃））を全面に滴下する処理、また
はインクジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シ
リコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に水素、フッ素、ア
ルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いた塗布絶縁膜
）を選択的に形成する処理を行えばよい。
【００５２】
また、ここでは基板上に導電性材料を吐出する場合に密着性を良くする下地前処理を行
う例を示したが、特に限定されず、材料層（例えば、有機層、無機層、金属層）、或いは
、吐出した導電性層の上にさらに液滴吐出法で材料層（例えば、有機層、無機層、金属層
）を形成する場合において、材料層と材料層との密着性向上のためのＴｉＯ_X成膜処理を
行っても良い。つまり、液滴吐出法で導電性材料を吐出して描画する場合、その導電性材
料層の上下界面で下地前処理を挟み、その密着性を良くすることが望ましい。
【００５３】
また、下地層１１は、光触媒材料に限らず、３ｄ遷移金属（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ等）、または、その酸化物、窒化物、酸窒化物を用い
ることができる。
【００５４】
なお、基板１０は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアル
ミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス
基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いる
ことができる。
【００５５】
次いで、液滴吐出法、代表的にはインクジェット法により導電膜材料液を滴下して導電
膜パターン１２を形成する。（図１（Ａ））導電膜材料液に含ませる導電材料としては、
金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステ
ン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、イン
ジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニウム（
Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒子を用
いる。特に、ゲート配線は、低抵抗化することが好ましいので、比抵抗値を考慮して、金
、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、
より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。但し、銀、銅を用いる場合には、不純物
拡散防止対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステ
ル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。
表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する
。
【００５６】
ここで、液滴吐出装置の一例を図１６に示す。
【００５７】
図１６において、１５００は大型基板、１５０４は撮像手段、１５０７はステージ、１５
１１はマーカー、１５０３は１つのパネルが形成される領域を示している。１つのパネル
の幅と同じ幅のヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０５ｃを備え、ステージを移動させ
てこれらのヘッドを走査、例えばジグザグまたは往復させて適宜、材料層のパターンを形
成する。大型基板の幅と同じ幅のヘッドとすることも可能であるが、図１６のように１つ
のパネルサイズに合わせるほうが操作しやすい。また、スループット向上のためには、ス
テージを動かしたままで材料の吐出を行うことが好ましい。
【００５８】
また、ヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０５ｃやステージ１５０７には温度調節機
能を持たせることが好ましい。
【００５９】
なお、ヘッド（ノズル先端）と大型基板との間隔は、約１ｍｍとする。この間隔を短く
することによって着弾精度を高めることができる。
【００６０】
図１６において、走査方向に対して３列としたヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０
５ｃはそれぞれ異なる材料層を形成することを可能としてもよいし、同一材料を吐出して
もよい。３つのヘッドで同一材料を吐出して層間絶縁膜をパターン形成する場合にはスル
ープットが向上する。
【００６１】
なお、図１６に示す装置は、ヘッド部を固定し、基板１５００を移動させて走査させる
ことも、基板１５００を固定し、ヘッド部を移動させて走査させることも可能である。
【００６２】
液滴吐出手段の個々のヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０５ｃは制御手段に接続され
、それがコンピュータで制御することにより予めプログラミングされたパターンを描画す
ることができる。吐出量は印加するパルス電圧により制御する。描画するタイミングは、
例えば、基板上に形成されたマーカーを基準に行えば良い。或いは、基板の縁を基準にし
て基準点を確定させても良い。これをＣＣＤなどの撮像手段で検出し、画像処理手段にて
デジタル信号に変換したものをコンピュータで認識して制御信号を発生させて制御手段に
送る。勿論、基板上に形成されるべきパターンの情報は記憶媒体に格納されたものであり
、この情報を基にして制御手段に制御信号を送り、液滴吐出手段の個々のヘッドを個別に
制御することができる。
【００６３】
次いで、レーザー光を選択的に照射して、導電膜パターンの一部を露光させる。（図１
（Ｂ））吐出する導電膜材料液には、予め感光性材料を含ませておき、照射するレーザー
光によって化学反応させる。ここで感光性材料は、照射して化学反応させた部分を残すネ
ガ型とした例を示している。レーザー光の照射によって、正確なパターン形状、特に細い
幅の配線を得ることができる。
【００６４】
ここで、レーザビーム描画装置について、図４を用いて説明する。レーザビーム描画装置
４０１は、レーザビームを照射する際の各種制御を実行するパーソナルコンピュータ（以
下、ＰＣと示す。）４０２と、レーザビームを出力するレーザ発振器４０３と、レーザ発
振器４０３の電源４０４と、レーザビームを減衰させるための光学系（ＮＤフィルタ）４
０５と、レーザビームの強度を変調するための音響光学変調器（ＡＯＭ）４０６と、レー
ザビームの断面の拡大又は縮小をするためのレンズ、光路の変更するためのミラー等で構
成される光学系４０７、Ｘステージ及びＹステージを有する基板移動機構４０９と、ＰＣ
から出力される制御データをデジタルーアナログ変換するＤ／Ａ変換部４１０と、Ｄ／Ａ
変換部から出力されるアナログ電圧に応じて音響光学変調器４０６を制御するドライバ４
１１と、基板移動機構４０９を駆動するための駆動信号を出力するドライバ４１２とを備
えている。
【００６５】
レーザ発振器４０３としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレ
ーザ発振器を用いることができる。レーザー発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、
ＸｅＣｌ、Ｘｅ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ
等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ₄、ＹＶＯ₄、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ₃などの結晶に
Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を使った固体レー
ザー発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器
を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波の第１高調波〜第５
高調波を適用するのが好ましい。
【００６６】
レーザビーム直接描画装置を用いた感光材料の感光方法について以下に述べる。なお、
ここで言う感光材料とは、導電膜パターンとなる導電膜材料（感光材料含む）を指してい
る。
【００６７】
基板４０８が基板移動機構４０９に装着されると、ＰＣ４０２は図外のカメラによって、
基板に付されているマーカの位置を検出する。次いで、ＰＣ４０２は、検出したマーカの
位置データと、予め入力されている描画パターンデータとに基づいて、基板移動機構４０
９を移動させるための移動データを生成する。この後、ＰＣ４０２が、ドライバ４１１を
介して音響光学変調器４０６の出力光量を制御することにより、レーザ発振器４０３から
出力されたレーザビームは、光学系４０５によって減衰された後、音響光学変調器４０６
によって所定の光量になるように光量が制御される。一方、音響光学変調器４０６から出
力されたレーザビームは、光学系４０７で光路及びビーム形を変化させ、レンズで集光し
た後、基板上に形成された感光材料に対して該ビームを照射して、感光材料を感光する。
このとき、ＰＣ４０２が生成した移動データに従い、基板移動機構４０９をＸ方向及びＹ
方向に移動制御する。この結果、所定の場所にレーザビームが照射され、感光材料の露光
が行われる。
【００６８】
なお、感光材料に照射されたレーザ光のエネルギーの一部は、熱に変換され、感光材料の
一部を反応させる。従って、パターン幅は、レーザビームの幅より若干大きくなる。また
、短波長のレーザ光ほど、ビーム径を小さく集光することが可能であるため、微細な幅の
パターンを形成するためには、短波長のレーザビームを照射することが好ましい。
【００６９】
また、レーザビームの感光材料表面でのスポット形状は、点状、円形、楕円形、矩形、
または線状（厳密には細長い長方形状）となるように光学系で加工されている。なお、ス
ポット形状は円形であっても構わないが、線状にした方が、幅が均一なパターンを形成す
ることができる。
【００７０】
また、図４に示した装置は、基板の表面側からレーザー光を照射して露光する例を示し
たが、光学系や基板移動機構を適宜変更し、基板の裏面側からレーザー光を照射して露光
するレーザビーム描画装置としてもよい。
【００７１】
なお、ここでは、基板を移動して選択的にレーザビームを照射しているが、これに限定
されず、レーザビームをＸ−Ｙ軸方向に走査してレーザビームを照射することができる。
この場合、光学系４０７にポリゴンミラーやガルバノミラーを用いることが好ましい。
【００７２】
次いで、エッチャント（または現像液）を用いて現像を行い、余分な部分を除去して、
本焼成を行ってゲート電極またはゲート配線となる金属配線１５を形成する。（図１（Ｃ
））
【００７３】
また、金属配線１５と同様に端子部に伸びる配線４０も形成する。なお、ここでは図示
しないが、発光素子に電流を供給するための電源線も形成してもよい。また、保持容量を
形成するための容量電極または容量配線も必要であれば形成する。
【００７４】
なお、ポジ型の感光性材料を用いる場合には、除去したい部分にレーザー照射を行って
化学反応させ、その部分をエッチャントで溶解させればよい。
【００７５】
また、導電膜材料液を滴下した後、室温乾燥または仮焼成を行ってからレーザー光の照
射による露光を行ってもよい。
【００７６】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜１８、半導体膜
、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。
【００７７】
ゲート絶縁膜１８としては、ＰＣＶＤ法により得られる酸化珪素、窒化珪素、または窒
化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。また、ゲート絶縁膜１８をシロキサン系ポリマ
ーを用いた液滴吐出法により吐出、焼成してアルキル基を含むＳｉＯｘ膜としてもよい。
【００７８】
半導体膜は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパ
ッタリング法や熱ＣＶＤ法で作製されるアモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス
半導体膜で形成する。
【００７９】
アモルファス半導体膜としては、ＳｉＨ₄、若しくはＳｉＨ₄とＨ₂の混合気体を用いた
ＰＣＶＤ法により得られるアモルファスシリコン膜を用いることができる。また、セミア
モルファス半導体膜としては、ＳｉＨ₄をＨ₂で３倍〜１０００倍に希釈した混合気体、Ｓ
ｉ₂Ｈ₆とＧｅＦ₄のガス流量比を２０〜４０：０．９（Ｓｉ₂Ｈ₆：ＧｅＦ₄）で希釈した混
合気体、或いはＳｉ₂Ｈ₆とＦ₂の混合気体、或いはＳｉＨ₄とＦ₂の混合気体を用いたＰＣ
ＶＤ法により得られるセミアモルファスシリコン膜を用いることができる。なお、セミア
モルファスシリコン膜は、下地との界面により結晶性を持たせることができるため好まし
い。
【００８０】
また、ＳｉＨ₄とＦ₂の混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるセミアモルファスシ
リコン膜にレーザー光を照射して、さらに結晶性を向上させてもよい。
【００８１】
ｎ型の半導体膜は、シランガスとフォスフィンガスを用いたＰＣＶＤ法で形成すれば良
く、アモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成することができる。
ｎ型の半導体膜２０を設けると、半導体膜と電極（後の工程で形成される電極）とのコン
タクト抵抗が低くなり好ましいが、必要に応じて設ければよい。
【００８２】
次いで、マスク２１を設け、半導体膜と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチングして
島状の半導体膜１９、ｎ型の半導体膜２０を得る。（図１（Ｄ））マスク２１の形成方法
は、液滴吐出法や印刷法（凸版、平板、凹版、スクリーンなど）を用いて形成する。直接
、所望のマスクパターンを液滴吐出法や印刷法で形成してもよいが、高精細度に形成する
ために液滴吐出法や印刷法で大まかなレジストパターンを形成した後、レーザー光を用い
て選択的に露光を行って精細なレジストパターンを形成してもよい。
【００８３】
図４に示すレーザビーム描画装置を用いれば、レジストの露光も行うこともできる。そ
の場合、感光材料をレジストとしてレーザー光により露光を行ってレジストマスク２１を
形成すればよい。
【００８４】
次いで、マスク２１を除去した後、マスク（図示しない）を設けてゲート絶縁膜を選択
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。また、端子部においてはゲート絶縁膜
を除去する。マスクの形成方法は、通常のフォトリソ技術、或いは、液滴吐出方法による
レジストパターン形成、或いは、全面にポジ型のレジスト塗布を行った後、レーザー光に
よる露光、現像を行うレジストパターン形成でもよい。アクティブマトリクス型の発光装
置においては一つの画素に複数のＴＦＴが配置され、ゲート電極とゲート絶縁膜を介して
上層の配線との接続箇所を有する。
【００８５】
次いで、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タ
ングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース配線
またはドレイン配線２２、２３、および引出電極１７を形成する。なお、同様に、発光素
子に電流を供給するための電源線や、端子部において接続配線（図示しない）も形成する
。（図１（Ｅ））
【００８６】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２２、２３をマスクとしてｎ型の半導体膜、お
よび半導体膜の上層部をエッチングして、図２（Ａ）の状態を得る。この段階で、活性層
となるチャネル形成領域２４、ソース領域２６、ドレイン領域２５を備えたチャネルエッ
チ型のＴＦＴが完成する。
【００８７】
次いで、チャネル形成領域２４を不純物汚染から防ぐための保護膜２７を形成する。（
図２（Ｂ））保護膜２７としては、スパッタ法、またはＰＣＶＤ法により得られる窒化珪
素、または窒化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。ここでは保護膜を形成した例を示
したが、特に必要でなければ設ける必要はない。
【００８８】
次いで、液滴吐出法により層間絶縁膜２８を選択的に形成する。層間絶縁膜２８は、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン
樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレ
ア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によって
できた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いて液
滴吐出法で形成する。層間絶縁膜２８の形成方法は、特に液滴吐出法に限定されず、塗布
法やＰＣＶＤ法などを用いて全面に形成してもよい。
【００８９】
次いで、層間絶縁膜２８をマスクとして保護膜をエッチングし、ソース配線またはドレ
イン配線２２、２３上の一部に導電性部材からなる凸状部（ピラー）２９を形成する。凸
状部（ピラー）２９は、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タング
ステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって
積み重ねてもよい。
【００９０】
次いで、層間絶縁膜２８上に凸状部（ピラー）２９と接する第１の電極３０を形成する
。（図２（Ｃ））なお、同様に配線４０と接する端子電極４１も形成する。ここでは駆動
用のＴＦＴはｎチャネル型とした例であるので第１の電極３０は陰極として機能させるこ
とが好ましい。発光を通過させる場合、第１の電極３０としては、液滴吐出法または印刷
法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ
）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）などを含む組成物からなる所定のパター
ンを形成し、焼成して第１の電極３０および端子電極４１を形成する。また、発光を第１
の電極で反射させる場合、液滴吐出法によりＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（
タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物からなる所
定のパターンを形成し、焼成して第１の電極３０および端子電極４１を形成する。他の方
法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電膜を形成して
、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて第１の電極３０
を形成しても良い。
【００９１】
図２（Ｃ）の段階での画素の上面図の一例を図３に示す。図３中において、鎖線Ａ−Ａ
’断面が図２（Ｃ）中の画素部右側の断面図と対応し、鎖線Ｂ−Ｂ’が図２（Ｃ）中の画
素部左側の断面図と対応している。なお、図３中において、図１および図２に対応する部
位には同じ符号を用いている。また、図３において、後に形成される隔壁３４の端部とな
る箇所は点線で示している。
【００９２】
また、ここでは保護膜２７を設けた例としたため、層間絶縁膜２８と凸状部（ピラー）
２９とを別々に形成したが、保護膜を設けない場合、液滴吐出法により同じ装置で形成す
ることもできる。
【００９３】
次いで、第１の電極３０の周縁部を覆う隔壁３４を形成する。隔壁（土手ともいう）３
４は、珪素を含む材料、有機材料及び化合物材料を用いて形成する。また、多孔質膜を用
いても良い。但し、アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材料を用いて形成する
と、その側面は曲率半径が連続的に変化する形状となり、上層の薄膜が段切れせずに形成
されるため好ましい。
【００９４】
以上の工程により、基板１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう）のＴＦＴおよ
び第１の電極が形成された発光表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【００９５】
次いで、電界発光層として機能する層、即ち、有機化合物を含む層３６の形成を行う。
有機化合物を含む層３６は、積層構造であり、それぞれ蒸着法または塗布法を用いて形成
する。例えば、陰極上に電子輸送層（電子注入層）／発光層／正孔輸送層／正孔注入層と
順次積層する。
【００９６】
電子輸送層は、電荷注入輸送物質を含んでおり、特に電子輸送性の高い電荷注入輸送物
質としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリ
ス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−
ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）
など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正
孔輸送性の高い物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’
−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、
４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ト
リフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒
素の結合を有する）の化合物が挙げられる。
【００９７】
また、電荷注入輸送物質のうち、特に電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアル
カリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Ａｌｑ₃のような
電子輸送性の高い物質とマグネシウム（Ｍｇ）のようなアルカリ土類金属との混合物であ
ってもよい。
【００９８】
また、発光層は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形
成し、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物（昇華性を有さず、且つ
分子数が２０以下、又は連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機化合物を指していう）
、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔
注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。
【００９９】
発光材料には様々な材料がある。低分子系有機発光材料では、４−ジシアノメチレン−２
−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−
ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７
，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＰＡ）、ペ
リフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テ
トラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略
称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン
（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）等を
用いることができる。また、この他の物質でもよい。
【０１００】
高分子系有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また
塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。高分子系有
機発光材料を用いた発光素子の構造は、低分子系有機発光材料を用いたときと基本的には
同じであり、陰極／有機発光層／陽極となる。しかし、高分子系有機発光材料を用いた発
光層を形成する際には、低分子系有機発光材料を用いたときのような積層構造を形成させ
ることは難しく、多くの場合２層構造となる。具体的には、陰極／発光層／正孔輸送層／
陽極という構造である。
【０１０１】
発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示
す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の電界
発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系
、ポリフルオレン系が挙げられる。
【０１０２】
ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリ（パラフェニレンビニレン） ［ＰＰＶ］ の
誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン） ［ＲＯ−ＰＰＶ
］、ポリ（２−（２’−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニ
レン）［ＭＥＨ−ＰＰＶ］、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１，４−フェニレン
ビニレン）［ＲＯＰｈ−ＰＰＶ］等が挙げられる。ポリパラフェニレン系には、ポリパラ
フェニレン［ＰＰＰ］の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）［
ＲＯ−ＰＰＰ］、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）等が挙げられる。
ポリチオフェン系には、ポリチオフェン［ＰＴ］の誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェ
ン）［ＰＡＴ］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［ＰＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシ
ルチオフェン）［ＰＣＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）［Ｐ
ＣＨＭＴ］、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）［ＰＤＣＨＴ］、ポリ［３−
（４−オクチルフェニル）−チオフェン］［ＰＯＰＴ］、ポリ［３−（４−オクチルフェ
ニル）−２，２ビチオフェン］［ＰＴＯＰＴ］等が挙げられる。ポリフルオレン系には、
ポリフルオレン［ＰＦ］の誘導体、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）［ＰＤＡＦ］
、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）［ＰＤＯＦ］等が挙げられる。
【０１０３】
なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の
間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセ
プター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒
には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。正孔輸送性
の高分子系有機発光材料としては、ＰＥＤＯＴとアクセプター材料としてのショウノウス
ルホン酸（ＣＳＡ）の混合物、ポリアニリン［ＰＡＮＩ］とアクセプター材料としてのポ
リスチレンスルホン酸［ＰＳＳ］の混合物等が挙げられる。
【０１０４】
さらに、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用い
ても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素の
うち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他
を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度
を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場
合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消
費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形
成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い
緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることが
できる。
【０１０５】
三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、
第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金
属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られるこ
とはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の８〜１０属に属する元素を有する化
合物を用いることも可能である。
【０１０６】
また、正孔輸送層は、電荷注入輸送物質を含んでおり、正孔注入性の高い物質としては
、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸
化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金
属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）や銅フタロシ
アニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。
【０１０７】
なお、有機化合物を含む層３６の形成前に、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や真空雰囲
気下での加熱処理を行うとよい。蒸着法を用いる場合、予め、抵抗加熱により有機化合物
は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化さ
れた有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着
される。また、フルカラー化するためには、発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ごとにマスクのアライ
メントを行えばよい。
【０１０８】
発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、フルカラー表示を行う構成
とすれば良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形
成する。この場合に、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター（着色
層）を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を
図ることができる。フィルター（着色層）を設けることで、従来必要であるとされていた
円偏光版などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすこと
ができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減す
ことができる。
【０１０９】
また、塗り分けを行わず、有機化合物を含む層３６として単色の発光を示す材料を用い
、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うことがで
きる。例えば、白色又は橙色の発光を示す電界発光層を形成する場合、画素の光放射側に
カラーフィルター、又はカラーフィルター、色変換層、カラーフィルターと色変換層とを
組み合わせたものを別途設けることによってフルカラー表示ができる。カラーフィルター
や色変換層は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ張り合わせればよい。ま
た上述したように、単色の発光を示す材料、カラーフィルター、及び色変換層のいずれも
液滴吐出法により形成することができる。
【０１１０】
白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Ａｌｑ₃、部分的に赤色発光色素である
ナイルレッドをドープしたＡｌｑ₃、Ａｌｑ₃、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン
）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。また、スピンコートを用
いた塗布法によりＥＬを形成する場合には、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ま
しい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（
スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発
光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエ
ン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。
【０１１１】
発光層は単層で形成することもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ
）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。
また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン
６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
【０１１２】
以上に掲げる有機化合物を含む層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔
輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの
機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各
層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。発光層の層構造は変化しうるもので
あり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電
極を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲において許容されうるものである。
【０１１３】
もちろん単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光を用いてエリアカラータイ
プの発光表示装置を形成してもよい。エリアカラータイプは、パッシブマトリクス型の表
示部が適しており、主に文字や記号を表示することができる。
【０１１４】
次いで、第２の電極３７を形成する。発光素子の陽極として機能する第２の電極３７は
光を透過する透明導電膜を用いて形成し、例えばＩＴＯ、ＩＴＳＯの他、酸化インジウム
に２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。発光素子は、有機化
合物を含む層３６を第１の電極と第２の電極で挟んだ構成になっている。なお、第１の電
極及び第２の電極は仕事関数を考慮して材料を選択する必要があり、そして第１の電極及
び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。
【０１１５】
上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光素
子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリ
クス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミン
グで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態とな
っている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向上
させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画素
内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆方
向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ、
発光装置の信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
また、第２の電極３７の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２の電極上
に補助電極を設けてもよい。
【０１１７】
また、第２の電極３７を保護する保護層を形成してもよい。例えば、珪素からなる円盤
状のターゲットを用い、成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気と
することによって窒化珪素膜からなる保護膜を形成することができる。また、炭素を主成
分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）を保護膜として形成しても
よく、別途、ＣＶＤ法を用いた成膜室を設けてもよい。ダイヤモンドライクカーボン膜（
ＤＬＣ膜とも呼ばれる）は、プラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マ
イクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ
法など）、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成する
ことができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス（例えばＣＨ₄
、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₆Ｈ₆など）とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがか
かったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、ＣＮ膜は反応ガスとしてＣ₂
Ｈ₄ガスとＮ₂ガスとを用いて形成すればよい。なお、ＤＬＣ膜やＣＮ膜は、可視光に対し
て透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜
１００％であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％で
あることを指す。なお、この保護膜は、必要がなければ特に設けなくともよい。
【０１１８】
次いで、封止基板３５をシール材（図示しない）で貼り合わせて発光素子を封止する。
なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材３８を充填する。充填材３８としては、
透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化の
エポキシ樹脂を用いればよい。ここでは屈折率１．５０、粘度５００ｃｐｓ、ショアＤ硬
度９０、テンシル強度３０００ｐｓｉ、Ｔｇ点１５０℃、体積抵抗１×１０¹⁵Ω・ｃｍ、
耐電圧４５０Ｖ／ｍｉｌである高耐熱のＵＶエポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５
００Ｃｌｅａｒ）を用いる。また、充填材３８を一対の基板間に充填することによって、
全体の透過率を向上させることができる。
【０１１９】
最後にＦＰＣ４６を異方性導電膜４５により公知の方法で端子電極４１と貼りつける。
（図２（Ｄ））
【０１２０】
以上の工程により、アクティブマトリクス型発光装置が作製できる。
【０１２１】
図１０はＥＬ表示パネル構成の一例を示す上面図である。図１０は、走査線及び信号線
へ入力する信号を、外付けの駆動回路により制御する発光表示パネルの構成を示している
。絶縁表面を有する基板７００上に画素７０２をマトリクス上に配列させた画素部７０１
、走査線側入力端子７０３、信号線側入力端子７０４が形成されている。画素数は種々の
規格に従って設ければ良く、ＸＧＡであれば１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）、ＵＸＧＡ
であれば１６００×１２００×３（ＲＧＢ）、フルスペックハイビジョンに対応させるの
であれば１９２０×１０８０×３（ＲＧＢ）とすれば良い。
【０１２２】
画素７０２は、走査線側入力端子７０３から延在する走査線と、信号線側入力端子７０
４から延在する信号線とが交差することで、マトリクス状に配設される。画素７０２のそ
れぞれには、スイッチング素子とそれに接続する画素電極が備えられている。スイッチン
グ素子の代表的な一例はＴＦＴであり、ＴＦＴのゲート電極側が走査線と、ソース若しく
はドレイン側が信号線と接続されることにより、個々の画素を外部から入力する信号によ
って独立して制御可能としている。
【０１２３】
なお、第１の電極を透明材料、第２の電極を金属材料とすれば、基板１０を通過させて
光を取り出す構造、即ちボトムエミッション型となる。また、第１の電極を金属材料、第
２の電極を透明材料とすれば、封止基板３５を通過させて光を取り出す構造、即ちトップ
エミッション型となる。また、第１の電極および第２の電極を透明材料とすれば、基板１
０と封止基板３５の両方を通過させて光を取り出す構造とすることができる。本発明は、
適宜、いずれか一の構造とすればよい。
【０１２４】
以上示したように、本実施の形態では、液滴吐出法を用いた導電膜パターンに対してレー
ザー光で露光し、現像することによって微細なパターンを実現している。また、液滴吐出
法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍ
を超える第５世代以降のガラス基板を用いても、ＥＬ表示パネルの製造を容易なものとす
ることができる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、スピンコートを行わず、フォトマスクを利用した光露光工程
を極力行わない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを
利用した光露光工程により行ってもよい。
【０１２６】
（実施の形態２）
実施の形態１では、ゲート配線をレーザービーム描画装置で露光した例を示したが、こ
こではソース配線やドレイン配線の形成にレーザービーム描画装置を用いる工程例を図５
に示す。
【０１２７】
なお、実施の形態１とは工程が一部異なるだけであるので、同一工程である説明は簡略
化のため省略する。
【０１２８】
まず、実施の形態１と同様に半導体膜のパターニング工程までを行う。次いで、液滴吐
出法により導電膜パターン２２０を形成する。（図５（Ａ））導電膜パターン２２０には
ポジ型の感光性材料を含ませておく。
【０１２９】
次いで、図４に示す装置を用いてレーザー光で選択的に露光する。（図５（Ｂ））この
際、レーザー光照射した部分２２１は化学反応を起こす。
【０１３０】
次いで、現像を行ってレーザー光照射した部分２２１を除去してソース配線またはドレ
イン配線２２２、２２３を形成する。（図５（Ｃ））
【０１３１】
こうして形成されたソース配線またはドレイン配線２２２、２２３の間隔は、レーザー
光の照射により決定されるため、実施者が自由に設定することができる。ソース配線また
はドレイン配線２２２、２２３の間隔は、チャネル形成領域の長さ（Ｌ）を決定するため
、自由に設定することは有用である。
【０１３２】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２２２、２２３をマスクとしてｎ型の半導体膜
、および半導体膜の上層部をエッチングして、図５（Ｄ）の状態を得る。この段階で、活
性層となるチャネル形成領域２２４、ソース領域２２６、ドレイン領域２２５を備えたチ
ャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるため、詳細
な説明は省略する。
【０１３３】
液滴吐出法を用いてソース配線またはドレイン配線を形成した場合、液だれなどのマー
ジンを考慮すると、ある程度間隔を確保しなければならず、チャネル形成領域の長さ（Ｌ
）を短くすることが困難であった。本実施の形態で示したようにレーザー光で露光すれば
、チャネル形成領域の長さ（Ｌ）を短くする、例えば１０μｍ以下とすることが実現でき
る。
【０１３４】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【０１３５】
（実施の形態３）
また、他の工程例を図６に示す。図６では、ゲート絶縁膜２６０として平坦化膜を用い
た例を示している。その他の部分は実施の形態２と同一である。
【０１３６】
ここでは、ゲート電極を形成した後、スパッタ法、ＣＶＤ法で得られる膜に施す平坦化
処理、または塗布法によって表面が平坦なゲート絶縁膜２６０を形成している。なお、平
坦化処理は、代表的にはＣＭＰ処理などである。
【０１３７】
大面積の画面を有する発光表示装置を形成する場合には、低抵抗なゲート配線を形成す
ることが望ましく、厚さを厚く、例えば１μｍ〜５μｍとすればよい。また、配線膜厚を
厚くして断面積を増大させた場合には基板表面と厚膜配線表面との間に段差が生じ、カバ
レッジ不良の原因となる。このようにゲート配線の厚さを厚くする場合に平坦なゲート絶
縁膜２６０は有用である。
【０１３８】
通常、金属配線が形成された基板の表面は、金属配線がその厚さ分だけ凸状に突き出た
構造となるが、本実施の形態では平坦なゲート絶縁膜２６０としており基板の表面は平坦
であるため、半導体膜を薄膜化してもカバレッジ不良なども生じにくい。
【０１３９】
次いで、実施の形態１と同様に半導体膜、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。そして、
マスクを設け、半導体膜と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチングして島状の半導体膜
、ｎ型の半導体膜を得る。
【０１４０】
次いで、実施の形態２と同様に、液滴吐出法により導電膜パターン２５０を形成する。
（図６（Ａ））
【０１４１】
次いで、図４に示す装置を用いてレーザー光で選択的に露光する。（図６（Ｂ））
【０１４２】
次いで、現像を行ってレーザー光照射した部分２５１を除去してソース配線またはドレ
イン配線２５２、２５３を形成する。（図６（Ｃ））
【０１４３】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２５２、２５３をマスクとしてｎ型の半導体膜
、および半導体膜の上層部をエッチングして、図６（Ｄ）の状態を得る。この段階で、活
性層となるチャネル形成領域２５４、ソース領域２５６、ドレイン領域２５５を備えたチ
ャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるため、詳細
な説明は省略する。
【０１４４】
また、本実施の形態は実施の形態１、または実施の形態２と自由に組み合わせることが
できる。
【０１４５】
（実施の形態４）
ここでは、ゲート電極をマスクとして、ソース配線またはドレイン配線の形成を裏面露
光によって自己整合的に形成する工程例を図７に示す。
【０１４６】
まず、基板上に下地絶縁膜３０１を形成する。下地絶縁膜３０１としては、酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する
。なお、必要でなければ、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。
【０１４７】
次いで、下地絶縁膜３０１上に膜厚１００〜６００ｎｍの導電膜をスパッタ法で形成す
る。なお、導電膜は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記
元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成して
もよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導
体膜を用いてもよい。
【０１４８】
次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウ
ェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜を
エッチングして、図７（Ａ）に示すように、ゲート電極３０２を得る。
【０１４９】
次いで、実施の形態１と同様にプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート
絶縁膜、半導体膜、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。次いで、マスクを設け、半導体膜
と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチングして島状の半導体膜、ｎ型の半導体膜を得る
。
【０１５０】
次いで、実施の形態２と同様にして、液滴吐出法により導電膜パターン３２０を形成す
る。（図７（Ａ））導電膜パターン３２０にはネガ型の感光性材料を含ませておく。
【０１５１】
次いで、レーザビーム描画装置を用いてレーザー光で自己整合的に裏面露光する。（図
７（Ｂ））この際、導電膜パターンにおいてレーザー光照射した部分は化学反応を起こす
。なお、基板は透光性の基板を用い、レーザー光はその基板を通過する波長のものを選択
する。また、レーザー光の波長によっては半導体膜やｎ型の半導体膜にもレーザー光が照
射され、レーザーアニールを行うことができる。
【０１５２】
次いで、現像を行ってレーザー光が照射されなかった部分を除去してソース配線または
ドレイン配線３２２、３２３を形成する。（図７（Ｃ））
【０１５３】
こうして形成されたソース配線またはドレイン配線３２２、３２３の間隔は、ゲート電
極幅により決定される。
【０１５４】
次いで、ソース配線またはドレイン配線３２２、３２３をマスクとしてｎ型の半導体膜
、および半導体膜の上層部をエッチングして、図７（Ｄ）の状態を得る。この段階で、活
性層となるチャネル形成領域３２４、ソース領域３２６、ドレイン領域３２５を備えたチ
ャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるため、詳細
な説明は省略する。
【０１５５】
本発明により、ＴＦＴのチャネル形成領域が自己整合的に形成されるため、パターンず
れが生じず、個々のＴＦＴのバラツキを低減することができる。また、本発明により、作
製工程も簡略なものとすることができる。
【０１５６】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み
合わせることができる。
【０１５７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、チャネルストップ型のＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブ
マトリクス型発光表示装置の作製方法を示す。
【０１５８】
まず、図８に示すように、上記実施の形態１と同様に基板８１０上に下地膜８１１を形
成する。下地膜８１１として光触媒物質ＴｉＯ₂を全体に形成する。
【０１５９】
次いで、所望の領域、本実施の形態では配線を形成する領域の両端のＴｉＯ₂に光触媒
活性させる波長を有する光を照射し、照射領域を形成する。光触媒活性させる波長を有す
る光はレーザー光であってもよく、図４の装置を用いて所望の領域へ選択的に照射する。
すると照射領域は撥油性を示す。
【０１６０】
インクジェット法を用いて、非照射領域上から又は非照射領域にむかって、溶媒中に導
電体が混入したドットを滴下して、ゲート電極８１５として機能する導電膜を形成する。
同時に端子部においては端子電極８４０を形成する。
【０１６１】
次いで、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜８１８を形成する。その後、プラズマＣＶＤ
法等により半導体膜を形成する。そしてチャネル保護膜８２７を形成するため、例えば、
プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、所望の領域に、所望の形状となるようにパター
ニングする。このとき、ゲート電極をマスクとして基板の裏面から露光することにより、
チャネル保護膜８２７を形成することができる。またチャネル保護膜は、インクジェット
法を用いてポリイミド又はポリビニルアルコール等を滴下してもよい。その結果、露光工
程を省略することができる。
【０１６２】
その後、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体膜、例えばＮ型を有する半
導体膜を形成する。
【０１６３】
次いで、Ｎ型半導体膜上に、インクジェット法によりポリイミドからなるマスクを形成
する。該マスクを用いて、半導体膜８２４、Ｎ型を有する半導体膜８２５、８２６をパタ
ーニングする。その後、マスクを除去するため洗浄する。
【０１６４】
次いで、配線８２３、８２２を形成する。配線８２３、８２２は、インクジェット法に
より形成することができる。配線８２３、８２２は、いわゆるソース配線、又はドレイン
配線として機能する。
【０１６５】
次いで、層間絶縁膜８２８を形成する。そして、層間絶縁膜に配線８２２に達するコン
タクトホールを形成し、コンタクトホールに電極８３０を形成する。
【０１６６】
次いで、電極８３０を介して配線８２２と電気的に接続する電極８２９を形成する。同
時に端子部において電極８４１を形成する。電極８２９、８４１はインクジェット法によ
り形成することができる。電極８２９は、発光表示装置において発光素子の陽極または陰
極として機能する。電極８２９として、水系の溶媒中に導電体が混入したドットを用いる
ことができ、特に透明導電体を用いることにより透明導電膜を形成することができる。
【０１６７】
この段階で、図８に示すチャネルストップ型のＴＦＴおよび第１の電極が形成された発
光パネル用のＴＦＴ基板が完成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるため、詳細
な説明は省略する。
【０１６８】
本実施の形態において、インクジェット法で得られる配線、または電極は、実施の形態
１で示したように、感光材料を含ませた導電膜材料液を用いて吐出した後、レーザー光で
露光を行うことによって形成することもできる。また、レジストマスクもレーザー光で露
光を行うことによって形成することもできる。
【０１６９】
また、本実施の形態は、実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることが
できる。
【０１７０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、液滴吐出法により作製される順スタガ型のＴＦＴをスイッチング素
子とするアクティブマトリクス型発光表示装置の作製方法を示す。
【０１７１】
まず、基板９１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるため
の下地膜９１１を形成する。
【０１７２】
次いで、下地膜９１１上に液滴吐出法により、ソース配線層９２３及びドレイン配線層
９２４を形成する。
【０１７３】
また、端子部において端子電極９４０を形成する。これらの層を形成する導電性材料と
しては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニ
ウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。特に、ソース及びド
レイン配線層は、低抵抗化することが好ましいので、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅の
いずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適に
は、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピル
アルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は、
溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【０１７４】
次いで、ｎ型の半導体層を全面に形成した後、ソース配線層９２３及びドレイン配線層
９２４の間にあるｎ型の半導体層をエッチングして除去する。
【０１７５】
次いで、半導体膜を全面に形成する。半導体膜は、シランやゲルマンに代表される半導
体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体膜、
或いはセミアモルファス半導体膜で形成する。
【０１７６】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、半導体膜とｎ型の半導体層のパタ
ーニングを行って、図９に示す半導体層９２７、ｎ型の半導体層９２５、９２６を形成す
る。半導体層９２７は、ソース配線層９２３及びドレイン配線層９２４の両方に跨るよう
に形成される。また、ソース配線層９２３及びドレイン配線層９２４と半導体層９２７の
間にはｎ型の半導体層９２５、９２６が介在している。
【０１７７】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜を単層又は積層
構造で形成する。特に好ましい形態としては、窒化珪素からなる絶縁層、酸化珪素からな
る絶縁層、窒化珪素からなる絶縁層の３層の積層体をゲート絶縁膜として構成させる。
【０１７８】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、ゲート絶縁層９１８のパターニン
グを行う。
【０１７９】
次いで、ゲート配線９１５を液滴吐出法で形成する。ゲート配線９１５を形成する導電
性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（
アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。ゲート配線
９１５は端子部まで延在させ、対応する端子部の端子電極９４０と接して形成される。
【０１８０】
次いで、塗布法による平坦な層間絶縁膜９２８を形成する。また、層間絶縁膜は、塗布
法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機
絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法
で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。
【０１８１】
次いで、層間絶縁膜に配線９２４に達するコンタクトホールを形成し、コンタクトホー
ルに電極９３０を形成する。
【０１８２】
次いで、電極９３０を介して配線９２４と電気的に接続する電極９２９を形成する。同
時に端子部において電極９４１を形成する。電極９２９、９４１はインクジェット法によ
り形成することができる。電極９２９は、発光表示装置において発光素子の陽極または陰
極として機能する。電極９２９として、水系の溶媒中に導電体が混入したドットを用いる
ことができ、特に透明導電体を用いることにより透明導電膜を形成することができる。
【０１８３】
この段階で、図９に示すトップゲート型（順スタガ型）のＴＦＴおよび第１の電極が形
成された発光パネル用のＴＦＴ基板が完成する。以降の工程は実施の形態１と同一である
ため、詳細な説明は省略する。
【０１８４】
本実施の形態において、インクジェット法で得られる配線、または電極は、実施の形態
１で示したように、感光材料を含ませた導電膜材料液を用いて吐出した後、レーザー光で
露光を行うことによって形成することもできる。また、レジストマスクもレーザー光で露
光を行うことによって形成することもできる。
【０１８５】
また、本実施の形態は、実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることが
できる。
【０１８６】
（実施の形態７）
ここではチャネルエッチ型のＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置の作製例を図１７、図１８に示す。
【０１８７】
実施の形態１と同様にして、基板２０１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と
密着性を向上させるための下地層２０１１を形成する。
【０１８８】
なお、基板２０１０は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくは
アルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガ
ラス基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用
いることができる。また、反射型の液晶表示装置とする場合、単結晶シリコンなどの半導
体基板、ステンレスなどの金属基板、またはセラミック基板の表面に絶縁層を設けた基板
を適用しても良い。
【０１８９】
次いで、実施の形態１と同様に、液滴吐出法、代表的にはインクジェット法を用いた図
１６に示す装置により導電膜材料液を滴下して導電膜パターン２０１２を形成する。（図
１７（Ａ））
【０１９０】
次いで、実施の形態１と同様に、図４に示す装置を用いてレーザー光を選択的に照射し
て、導電膜パターンの一部を露光させる。（図１７（Ｂ））
【０１９１】
次いで、エッチャント（または現像液）を用いて現像を行い、余分な部分を除去して、
本焼成を行ってゲート電極またはゲート配線となる金属配線２０１５を形成する。（図１
７（Ｃ））
【０１９２】
また、金属配線２０１５と同様に端子部に伸びる配線２０４０も形成する。なお、ここ
では図示しないが、保持容量を形成するための容量電極または容量配線も必要であれば形
成する。
【０１９３】
なお、ポジ型の感光性材料を用いる場合には、除去したい部分にレーザー照射を行って
化学反応させ、その部分をエッチャントで溶解させればよい。
【０１９４】
また、導電膜材料液を滴下した後、室温乾燥または仮焼成を行ってからレーザー光の照
射による露光を行ってもよい。
【０１９５】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜２０１８、半導
体膜、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。
【０１９６】
ゲート絶縁膜２０１８としては、ＰＣＶＤ法により得られる酸化珪素、窒化珪素、また
は窒化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。また、ゲート絶縁膜２０１８をシロキサン
系ポリマーを用いた液滴吐出法により吐出、焼成してアルキル基を含むＳｉＯｘ膜として
もよい。
【０１９７】
半導体膜は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパ
ッタリング法や熱ＣＶＤ法で作製されるアモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス
半導体膜で形成する。
【０１９８】
ｎ型の半導体膜は、シランガスとフォスフィンガスを用いたＰＣＶＤ法で形成すれば良
く、アモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成することができる。
ｎ型の半導体膜２０２０を設けると、半導体膜と電極（後の工程で形成される電極）との
コンタクト抵抗が低くなり好ましいが、必要に応じて設ければよい。
【０１９９】
次いで、マスク２０２１を設け、半導体膜と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチング
して島状の半導体膜２０１９、ｎ型の半導体膜２０２０を得る。（図１７（Ｄ））マスク
２０２１の形成方法は、液滴吐出法や印刷法（凸版、平板、凹版、スクリーンなど）を用
いて形成する。
【０２００】
次いで、マスク２０２１を除去した後、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａ
ｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を
選択的に吐出して、ソース配線またはドレイン配線２０２２、２０２３を形成する。なお
、同様に、端子部において接続配線（図示しない）も形成する。（図１７（Ｅ））
【０２０１】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２０２２、２０２３をマスクとしてｎ型の半導体
膜、および半導体膜の上層部をエッチングして、図１８（Ａ）の状態を得る。この段階で
、活性層となるチャネル形成領域２０２４、ソース領域２０２６、ドレイン領域２０２５
を備えたチャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。
【０２０２】
次いで、チャネル形成領域２０２４を不純物汚染から防ぐための保護膜２０２７を形成
する。（図１８（Ｂ））保護膜２０２７としては、スパッタ法、またはＰＣＶＤ法により
得られる窒化珪素、または窒化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。ここでは保護膜を
形成した例を示したが、特に必要でなければ設ける必要はない。
【０２０３】
次いで、液滴吐出法により層間絶縁膜２０２８を選択的に形成する。層間絶縁膜２０２
８は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、
メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。層間絶縁膜２０２８の形成方法は、
特に液滴吐出法に限定されず、塗布法やＰＣＶＤ法などを用いて全面に形成してもよい。
【０２０４】
次いで、層間絶縁膜２０２８をマスクとして保護膜をエッチングし、ソース配線または
ドレイン配線２０２２、２０２３上の一部に導電性部材からなる凸状部（ピラー）２０２
９を形成する。凸状部（ピラー）２０２９は、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃ
ｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物の吐出と焼成を
繰り返すことによって積み重ねてもよい。また、保護膜をエッチングした後、端子部にお
いては、さらに層間絶縁膜をマスクとしてエッチングを行って、ゲート絶縁膜も選択的に
除去する。
【０２０５】
次いで、層間絶縁膜２０２８上に凸状部（ピラー）２９と接する画素電極２０３０を
形成する。（図１８（Ｃ））なお、同様に配線２０４０と接する端子電極２０４１も形成
する。透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法または印刷法によりイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、
焼成して画素電極２０３０および端子電極２０４１を形成しても良い。
【０２０６】
また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、画素電極２０３０および端子電極
２０４１を液滴吐出法によりＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）
、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いて形成することがで
きる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電
膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて画
素電極を形成しても良い。
【０２０７】
図１８（Ｃ）の段階での画素の上面図の一例を図１９に示す。図１９中において、鎖線
Ａ−Ｂ断面が図１８（Ｃ）の断面図と対応している。なお、対応する部位には同じ符号を
用いている。
【０２０８】
以上の工程により、基板２０１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦ
Ｔおよび画素電極が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０２０９】
次いで、画素電極２０３０を覆うように、配向膜２０３４ａを形成する。なお、配向膜２
０３４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後
、配向膜２０３４ａの表面にラビング処理を行う。
【０２１０】
そして、対向基板２０３５には、着色層２０３６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）２
０３６ｂ、及びオーバーコート層２０３７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電
極からなる対向電極２０３８と、その上に配向膜２０３４ｂを形成する。そして、閉パタ
ーンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように
形成する。ここでは液晶２０３９を滴下するため、閉パターンのシール材を描画する例を
示すが、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現
象を用いて液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。また、カラーフィ
ルタも液滴吐出法により形成することができる。
【０２１１】
次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる
。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。液晶の配向モード
としては、液晶分子の配列が光の入射から出射に向かって９０°ツイスト配向したＴＮモ
ードを用いる場合が多い。ＴＮモードの液晶表示装置を作製する場合には、基板のラビン
グ方向が直交するように貼り合わせる。
【０２１２】
なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサ
を形成したり、シール材にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状の
スペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主
成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一種の
材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。
【０２１３】
次いで、必要でない基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する
。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、
分断工程を省略することもできる。
【０２１４】
そして、異方性導電体層２０４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ２０４６を貼りつ
ける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図１８（Ｄ））また、必要があれば光
学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、アクティブマト
リクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０２１５】
以上示したように、本実施の形態では、液滴吐出法を用いた導電膜パターンに対してレー
ザー光で露光し、現像することによって微細なパターンを実現している。また、液滴吐出
法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍ
を超える第５世代以降のガラス基板を用いても、液晶表示パネルの製造を容易なものとす
ることができる。
【０２１６】
また、本実施の形態では、スピンコートを行わず、フォトマスクを利用した光露光工程
を極力行わない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを
利用した光露光工程により行ってもよい。
【０２１７】
また、本実施の形態は実施の形態１と組み合わせることができる。
【０２１８】
（実施の形態８）
実施の形態７では、ゲート配線をレーザービーム描画装置で露光した例を示したが、ここ
ではソース配線やドレイン配線の形成にレーザービーム描画装置を用いる工程例を図２０
に示す。
【０２１９】
なお、実施の形態７とは工程が一部異なるだけであるので、同一工程である説明は簡略
化のため省略する。
【０２２０】
まず、実施の形態７と同様に半導体膜のパターニング工程までを行う。次いで、液滴吐
出法により導電膜パターン２１２０を形成する。（図２０（Ａ））導電膜パターン２１２
０にはポジ型の感光性材料を含ませておく。
【０２２１】
次いで、図４に示す装置を用いてレーザー光で選択的に露光する。（図２０（Ｂ））こ
の際、レーザー光照射した部分２１２１は化学反応を起こす。
【０２２２】
次いで、現像を行ってレーザー光照射した部分２１２１を除去してソース配線またはド
レイン配線２１２２、２１２３を形成する。（図２０（Ｃ））
【０２２３】
こうして形成されたソース配線またはドレイン配線２１２２、２１２３の間隔は、レー
ザー光の照射により決定されるため、実施者が自由に設定することができる。ソース配線
またはドレイン配線２１２２、２１２３の間隔は、チャネル形成領域の長さ（Ｌ）を決定
するため、自由に設定することは有用である。
【０２２４】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２１２２、２１２３をマスクとしてｎ型の半導
体膜、および半導体膜の上層部をエッチングして、図２０（Ｄ）の状態を得る。この段階
で、活性層となるチャネル形成領域２１２４、ソース領域２１２６、ドレイン領域２１２
５を備えたチャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態７と同一であ
るため、詳細な説明は省略する。
【０２２５】
液滴吐出法を用いてソース配線またはドレイン配線を形成した場合、液だれなどのマー
ジンを考慮すると、ある程度間隔を確保しなければならず、チャネル形成領域の長さ（Ｌ
）を短くすることが困難であった。本実施の形態で示したようにレーザー光で露光すれば
、チャネル形成領域の長さ（Ｌ）を短くする、例えば１０μｍ以下とすることが実現でき
る。
【０２２６】
また、本実施の形態は実施の形態１と実施の形態７と自由に組み合わせることができる
。
【０２２７】
（実施の形態９）
また、他の工程例を図２１に示す。図２１では、ゲート絶縁膜２１６０として平坦化膜
を用いた例を示している。その他の部分は実施の形態８と同一である。
【０２２８】
ここでは、ゲート電極を形成した後、スパッタ法、ＣＶＤ法で得られる膜に施す平坦化
処理、または塗布法によって表面が平坦なゲート絶縁膜２１６０を形成している。なお、
平坦化処理は、代表的にはＣＭＰ処理などである。
【０２２９】
大面積の画面を有する液晶表示装置を形成する場合には、低抵抗なゲート配線を形成す
ることが望ましく、厚さを厚く、例えば１μｍ〜５μｍとすればよい。また、配線膜厚を
厚くして断面積を増大させた場合には基板表面と厚膜配線表面との間に段差が生じ、液晶
の配向不良の原因となる。このようにゲート配線の厚さを厚くする場合に平坦なゲート絶
縁膜２１６０は有用である。
【０２３０】
通常、金属配線が形成された基板の表面は、金属配線がその厚さ分だけ凸状に突き出た
構造となるが、本実施の形態では平坦なゲート絶縁膜２１６０としており基板の表面は平
坦であるため、半導体膜を薄膜化してもカバレッジ不良なども生じにくい。
【０２３１】
次いで、実施の形態１と同様に半導体膜、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。そして、
マスクを設け、半導体膜と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチングして島状の半導体膜
、ｎ型の半導体膜を得る。
【０２３２】
次いで、実施の形態８と同様に、液滴吐出法により導電膜パターン２１５０を形成する
。（図２１（Ａ））
【０２３３】
次いで、図４に示す装置を用いてレーザー光で選択的に露光する。（図２１（Ｂ））
【０２３４】
次いで、現像を行ってレーザー光照射した部分２１５１を除去してソース配線またはド
レイン配線２１５２、２１５３を形成する。（図２１（Ｃ））
【０２３５】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２１５２、２１５３をマスクとしてｎ型の半導
体膜、および半導体膜の上層部をエッチングして、図２１（Ｄ）の状態を得る。この段階
で、活性層となるチャネル形成領域２１５４、ソース領域２１５６、ドレイン領域２１５
５を備えたチャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態７と同一であ
るため、詳細な説明は省略する。
【０２３６】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態７、または実施の形態８と自由に組み
合わせることができる。
【０２３７】
（実施の形態１０）
ここでは、ゲート電極をマスクとして、ソース配線またはドレイン配線の形成を裏面露光
によって自己整合的に形成する工程例を図２２に示す。
【０２３８】
まず、基板上に下地絶縁膜２２０１を形成する。下地絶縁膜２２０１としては、酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成
する。なお、必要でなければ、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。
【０２３９】
次いで、下地絶縁膜２２０１上に膜厚１００〜６００ｎｍの導電膜をスパッタ法で形成
する。なお、導電膜は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前
記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成し
てもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半
導体膜を用いてもよい。
【０２４０】
次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウ
ェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜を
エッチングして、図２２（Ａ）に示すように、ゲート電極２２０２を得る。
【０２４１】
次いで、実施の形態７と同様にプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート
絶縁膜、半導体膜、ｎ型の半導体膜を順次、成膜する。次いで、マスクを設け、半導体膜
と、ｎ型の半導体膜とを選択的にエッチングして島状の半導体膜、ｎ型の半導体膜を得る
。
【０２４２】
次いで、実施の形態８と同様にして、液滴吐出法により導電膜パターン２２２０を形成
する。（図２２（Ａ））導電膜パターン２２２０にはネガ型の感光性材料を含ませておく
。
【０２４３】
次いで、レーザビーム描画装置を用いてレーザー光で自己整合的に裏面露光する。（図
２２（Ｂ））この際、導電膜パターンにおいてレーザー光照射した部分は化学反応を起こ
す。なお、基板は透光性の基板を用い、レーザー光はその基板を通過する波長のものを選
択する。
【０２４４】
次いで、現像を行ってレーザー光が照射されなかった部分を除去してソース配線または
ドレイン配線２２２２、２２２３を形成する。（図２２（Ｃ））
【０２４５】
こうして形成されたソース配線またはドレイン配線２２２２、２２２３の間隔は、ゲー
ト電極幅により決定される。
【０２４６】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２２２２、２２２３をマスクとしてｎ型の半
導体膜、および半導体膜の上層部をエッチングして、図２２（Ｄ）の状態を得る。この段
階で、活性層となるチャネル形成領域２２２４、ソース領域２２２６、ドレイン領域２２
２５を備えたチャネルエッチ型のＴＦＴが完成する。以降の工程は実施の形態７と同一で
あるため、詳細な説明は省略する。
【０２４７】
本発明により、ＴＦＴのチャネル形成領域が自己整合的に形成されるため、パターンず
れが生じず、個々のＴＦＴのバラツキを低減することができる。また、本発明により、作
製工程も簡略なものとすることができる。
【０２４８】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態７、実施の形態８、または実施の形態
９と自由に組み合わせることができる。
【０２４９】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、チャネルストップ型のＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の作製方法を示す。
【０２５０】
まず、図２３に示すように、上記実施の形態７と同様に基板２３１０上に下地膜２３１
１を形成する。下地膜２３１１として光触媒物質ＴｉＯ₂を全体に形成する。
【０２５１】
次いで、所望の領域、本実施の形態では配線を形成する領域の両端のＴｉＯ₂に光触媒
活性させる波長を有する光を照射し、照射領域を形成する。光触媒活性させる波長を有す
る光はレーザー光であってもよく、図４の装置を用いて所望の領域へ選択的に照射する。
すると照射領域は撥油性を示す。
【０２５２】
インクジェット法を用いて、非照射領域上から又は非照射領域にむかって、溶媒中に導
電体が混入したドットを滴下して、ゲート電極２３１５として機能する導電膜を形成する
。同時に端子部においては端子電極２３４０を形成する。
【０２５３】
次いで、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜２３１８を形成する。その後、プラズマＣＶ
Ｄ法等により半導体膜を形成する。そしてチャネル保護膜２３２７を形成するため、例え
ば、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、所望の領域に、所望の形状となるようにパ
ターニングする。このとき、ゲート電極をマスクとして基板の裏面から露光することによ
り、チャネル保護膜２３２７を形成することができる。またチャネル保護膜は、インクジ
ェット法を用いてポリイミド又はポリビニルアルコール等を滴下してもよい。その結果、
露光工程を省略することができる。
【０２５４】
その後、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体膜、例えばＮ型を有する半
導体膜を形成する。
【０２５５】
次いで、Ｎ型半導体膜上に、インクジェット法によりポリイミドからなるマスクを形成
する。該マスクを用いて、半導体膜２３２４、Ｎ型を有する半導体膜２３２５、２３２６
をパターニングする。その後、マスクを除去するため洗浄する。
【０２５６】
次いで、配線２３２３、２３２２を形成する。配線２３２３、２３２２は、インクジェ
ット法により形成することができる。配線２３２３、２３２２は、いわゆるソース配線、
又はドレイン配線として機能する。
【０２５７】
次いで、層間絶縁膜２３２８を形成する。そして、層間絶縁膜に配線２３２２に達する
コンタクトホールを形成し、コンタクトホールに電極２３３０を形成する。
【０２５８】
次いで、電極２３３０を介して配線２３２２と電気的に接続する電極２３２９を形成す
る。同時に端子部において電極２３４１を形成する。電極２３２９、２３４１はインクジ
ェット法により形成することができる。電極２３２９は、液晶表示装置において画素電極
として機能する。電極２３２９として、水系の溶媒中に導電体が混入したドットを用いる
ことができ、特に透明導電体を用いることにより透明導電膜を形成することができる。
【０２５９】
この段階で、図２３に示すチャネルストップ型のＴＦＴおよび画素電極が形成された液
晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。以降の工程は実施の形態７と同一であるため、
詳細な説明は省略する。
【０２６０】
本実施の形態において、インクジェット法で得られる配線、または電極は、実施の形態
７で示したように、感光材料を含ませた導電膜材料液を用いて吐出した後、レーザー光で
露光を行うことによって形成することもできる。また、レジストマスクもレーザー光で露
光を行うことによって形成することもできる。
【０２６１】
また、本実施の形態は、実施の形態１、実施の形態７乃至１１のいずれか一と自由に組
み合わせることができる。
【０２６２】
（実施の形態１２）
本実施の形態では、液滴吐出法により作製される順スタガ型のＴＦＴをスイッチング素
子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を図２４に示す。
【０２６３】
まず、基板２４１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるた
めの下地膜２４１１を形成する。
【０２６４】
次いで、下地膜２４１１上に液滴吐出法により、ソース配線層２４２３及びドレイン配
線層２４２４を形成する。
【０２６５】
また、端子部において端子電極２４４０を形成する。これらの層を形成する導電性材料
としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミ
ニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。特に、ソース及び
ドレイン配線層は、低抵抗化することが好ましいので、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅
のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適
には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピ
ルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は
、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【０２６６】
次いで、ｎ型の半導体層を全面に形成した後、ソース配線層２４２３及びドレイン配線
層２４２４の間にあるｎ型の半導体層をエッチングして除去する。
【０２６７】
次いで、半導体膜を全面に形成する。半導体膜は、シランやゲルマンに代表される半導
体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体膜、
或いはセミアモルファス半導体膜で形成する。
【０２６８】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、半導体膜とｎ型の半導体層のパタ
ーニングを行って、図２４に示す半導体層２４２７、ｎ型の半導体層２４２５、２４２６
を形成する。半導体層２４２７は、ソース配線層２４２３及びドレイン配線層２４２４の
両方に跨るように形成される。また、ソース配線層２４２３及びドレイン配線層２４２４
と半導体層２４２７の間にはｎ型の半導体層２４２５、２４２６が介在している。
【０２６９】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜を単層又は積層
構造で形成する。特に好ましい形態としては、窒化珪素からなる絶縁層、酸化珪素からな
る絶縁層、窒化珪素からなる絶縁層の３層の積層体をゲート絶縁膜として構成させる。
【０２７０】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、ゲート絶縁層２４１８のパターニ
ングを行う。
【０２７１】
次いで、ゲート配線２４１５を液滴吐出法で形成する。ゲート配線２４１５を形成する
導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａ
ｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。ゲート
配線２４１５は端子部まで延在させ、対応する端子部の端子電極２４４０と接して形成さ
れる。
【０２７２】
次いで、塗布法による平坦な層間絶縁膜２４２８を形成する。また、層間絶縁膜は、塗布
法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機
絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法
で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。
【０２７３】
次いで、層間絶縁膜にドレイン配線層２４２４に達するコンタクトホールを形成し、コ
ンタクトホールに電極２４３０を形成する。
【０２７４】
次いで、電極２４３０を介してドレイン配線層２４２４と電気的に接続する電極２４２
９を形成する。同時に端子部において電極２４４１を形成する。電極２４２９、２４４１
はインクジェット法により形成することができる。電極２４２９は、液晶表示装置におい
て画素電極として機能する。電極２４２９として、水系の溶媒中に導電体が混入したドッ
トを用いることができ、特に透明導電体を用いることにより透明導電膜を形成することが
できる。
【０２７５】
この段階で、図２４に示すトップゲート型（順スタガ型）のＴＦＴおよび画素電極が形
成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。以降の工程は実施の形態７と同一で
あるため、詳細な説明は省略する。
【０２７６】
本実施の形態において、インクジェット法で得られる配線、または電極は、実施の形態
７で示したように、感光材料を含ませた導電膜材料液を用いて吐出した後、レーザー光で
露光を行うことによって形成することもできる。また、レジストマスクもレーザー光で露
光を行うことによって形成することもできる。
【０２７７】
また、本実施の形態は、実施の形態１、実施の形態７乃至１０のいずれか一と自由に組
み合わせることができる。
【０２７８】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
【実施例１】
【０２７９】
本実施例は、最良の形態によって作製されるＥＬ表示パネルに駆動用のドライバ回路を
実装する例について説明する。
【０２８０】
まず、ＣＯＧ方式を採用した表示装置について、図１１を用いて説明する。基板１６０
０上には、文字や画像などの情報を表示する画素部１６０１、走査側の駆動回路１６０２
が設けられる。複数の駆動回路が設けられた基板を、矩形状に分断し、分断後の駆動回路
（以下ドライバＩＣと表記）１６０５ａ、１６０５ｂは、基板１６００上に実装される。
図１１は複数のドライバＩＣ１６０５ａ、１６０５ｂ、該ドライバＩＣ１６０５ａ、１６
０５ｂの先にテープ１６０４を実装する形態を示す。また、分割する大きさを画素部の信
号線側の辺の長さとほぼ同じにし、単数のドライバＩＣに、該ドライバＩＣの先にテープ
を実装してもよい。
【０２８１】
また、ＴＡＢ方式を採用してもよく、その場合は、複数のテープを貼り付けて、該テー
プにドライバＩＣを実装すればよい。ＣＯＧ方式の場合と同様に、単数のテープに単数の
ドライバＩＣを実装してもよく、この場合には、強度の問題から、ドライバＩＣを固定す
る金属片等を一緒に貼り付けるとよい。
【０２８２】
これらのＥＬ表示パネルに実装されるドライバＩＣは、生産性を向上させる観点から、
一辺が３００ｍｍから１０００ｍｍ以上の矩形状の基板上に複数個作り込むとよい。
【０２８３】
つまり、基板上に駆動回路部と入出力端子を一つのユニットとする回路パターンを複数
個形成し、最後に分割して取り出せばよい。ドライバＩＣの長辺の長さは、画素部の一辺
の長さや画素ピッチを考慮して、長辺が１５〜８０ｍｍ、短辺が１〜６ｍｍの矩形状に形
成してもよいし、画素領域の一辺、又は画素部の一辺と各駆動回路の一辺とを足した長さ
に形成してもよい。
【０２８４】
ドライバＩＣのＩＣチップに対する外形寸法の優位性は長辺の長さにあり、長辺が１５
〜８０ｍｍで形成されたドライバＩＣを用いると、画素部に対応して実装するのに必要な
数がＩＣチップを用いる場合よりも少なくて済み、製造上の歩留まりを向上させることが
できる。また、ガラス基板上にドライバＩＣを形成すると、母体として用いる基板の形状
に限定されないので生産性を損なうことがない。これは、円形のシリコンウエハからＩＣ
チップを取り出す場合と比較すると、大きな優位点である。
【０２８５】
図１１において、画素領域１６０１の外側の領域には、駆動回路が形成されたドライバ
ＩＣ１６０５ａ、１６０５ｂが実装される。これらのドライバＩＣ１６０５ａ、１６０５
ｂは、信号線側の駆動回路である。ＲＧＢフルカラーに対応した画素領域を形成するため
には、ＸＧＡクラスで信号線の本数が３０７２本必要であり、ＵＸＧＡクラスでは４８０
０本が必要となる。このような本数で形成された信号線は、画素領域１６０１の端部で数
ブロック毎に区分して引出線を形成し、ドライバＩＣ１６０５ａ、１６０５ｂの出力端子
のピッチに合わせて集められる。
【０２８６】
ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体により形成されることが好適であり
、該結晶質半導体は連続発光のレーザ光を照射することで形成されることが好適である。
従って、当該レーザ光を発生させる発振器としては、連続発光の固体レーザ又は気体レー
ザを用いる。連続発光のレーザを用いると、結晶欠陥が少なく、大粒径の多結晶半導体層
を用いて、トランジスタを作成することが可能となる。また移動度や応答速度が良好なた
めに高速駆動が可能で、従来よりも素子の動作周波数を向上させることができ、特性バラ
ツキが少ないために高い信頼性を得ることができる。なお、さらなる動作周波数の向上を
目的として、トランジスタのチャネル長方向とレーザ光の走査方向と一致させるとよい。
これは、連続発光レーザによるレーザ結晶化工程では、トランジスタのチャネル長方向と
レーザ光の基板に対する走査方向とが概ね並行（好ましくは−３０°〜３０°）であると
きに、最も高い移動度が得られるためである。なおチャネル長方向とは、チャネル形成領
域において、電流が流れる方向、換言すると電荷が移動する方向と一致する。このように
作製したトランジスタは、結晶粒がチャネル方向に延在する多結晶半導体層によって構成
される活性層を有し、このことは結晶粒界が概ねチャネル方向に沿って形成されているこ
とを意味する。
【０２８７】
レーザ結晶化を行うには、レーザ光の大幅な絞り込みを行うことが好ましく、そのビー
ムスポットの幅は、ドライバＩＣの短辺の同じ幅の１〜３ｍｍ程度とすることがよい。ま
た、被照射体に対して、十分に且つ効率的なエネルギー密度を確保するために、レーザ光
の照射領域は、線状であることが好ましい。但し、ここでいう線状とは、厳密な意味で線
を意味しているのではなく、アスペクト比の大きい長方形もしくは長楕円形を意味する。
例えば、アスペクト比が２以上（好ましくは１０〜１００００）のものを指す。このよう
に、レーザ光のビームスポットの幅をドライバＩＣの短辺と同じ長さとすることで、生産
性を向上させた表示装置の作製方法を提供することができる。
【０２８８】
図１１では、走査線駆動回路は画素部と共に一体形成し、信号線駆動回路としてドライ
バＩＣを実装した形態を示した。しかしながら、本発明はこの形態に限定されず、走査線
駆動回路及び信号線駆動回路の両方として、ドライバＩＣを実装してもよい。その場合に
は、走査線側と信号線側で用いるドライバＩＣの仕様を異なるものにするとよい。
【０２８９】
画素領域１６０１は、信号線と走査線が交差してマトリクスを形成し、各交差部に対応
してトランジスタが配置される。本発明は、画素領域１６０１に配置されるトランジスタ
として、非晶質半導体又はセミアモルファス半導体をチャネル部としたＴＦＴを用いるこ
とを特徴とする。非晶質半導体は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の方法により
形成する。セミアモルファス半導体は、プラズマＣＶＤ法で３００℃以下の温度で形成す
ることが可能であり、例えば、外寸５５０×６５０ｍｍの無アルカリガラス基板であって
も、トランジスタを形成するのに必要な膜厚を短時間で形成するという特徴を有する。こ
のような製造技術の特徴は、大画面の表示装置を作製する上で有効である。また、セミア
モルファスＴＦＴは、ＳＡＳでチャネル形成領域を構成することにより２〜１０ｃｍ²／
Ｖ・ｓｅｃの電界効果移動度を得ることができる。従って、このＴＦＴを画素のスイッチ
ング用素子や、走査線側の駆動回路を構成する素子として用いることができる。従って、
システムオンパネル化を実現したＥＬ表示パネルを作製することができる。
【０２９０】
なお、図１１では、半導体層をＳＡＳで形成したＴＦＴを用いることにより、走査線側
駆動回路も基板上に一体形成することを前提として示している。半導体層をＡＳで形成し
たＴＦＴを用いる場合には、走査線側駆動回路及び信号線側駆動回路の両方をドライバＩ
Ｃを実装してもよい。
【０２９１】
その場合には、走査線側と信号線側で用いるドライバＩＣの仕様を異なるものにするこ
とが好適である。例えば、走査線側のドライバＩＣを構成するトランジスタには３０Ｖ程
度の耐圧が要求されるものの、駆動周波数は１００ｋＨｚ以下であり、比較的高速動作は
要求されない。従って、走査線側のドライバを構成するトランジスタのチャネル長（Ｌ）
は十分大きく設定することが好適である。一方、信号線側のドライバＩＣのトランジスタ
には、１２Ｖ程度の耐圧があれば十分であるが、駆動周波数は３Ｖにて６５ＭＨｚ程度で
あり、高速動作が要求される。そのため、ドライバを構成するトランジスタのチャネル長
などはミクロンルールで設定することが好適である。
【０２９２】
ドライバＩＣの実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のＣＯＧ方法やワイヤ
ボンディング方法、或いはＴＡＢ方法を用いることができる。
【０２９３】
ドライバＩＣの厚さは、対向基板と同じ厚さとすることで、両者の間の高さはほぼ同じ
ものとなり、表示装置全体としての薄型化に寄与する。また、それぞれの基板を同じ材質
のもので作製することにより、この表示装置に温度変化が生じても熱応力が発生すること
なく、ＴＦＴで作製された回路の特性を損なうことはない。その他にも、本実施例で示す
ようにＩＣチップよりも長尺のドライバＩＣで駆動回路を実装することにより、１つの画
素領域に対して、実装されるドライバＩＣの個数を減らすことができる。
【０２９４】
以上のようにして、ＥＬ表示パネルに駆動回路を組み入れることができる。
【０２９５】
また、本実施例は、実施の形態１乃至６のいずれか一と自由に組み合わせることができ
る。
【実施例２】
【０２９６】
本実施例では、薄膜トランジスタを有する発光装置について図１２に説明する。
【０２９７】
図１２（Ａ）に示すように、駆動回路部１３１０及び画素部１３１１に、セミアモルフ
ァスシリコン膜を活性層とするトップゲート型のＮチャネル型ＴＦＴを設けている。
【０２９８】
このトップゲート型ＴＦＴの作製方法は、実施の形態６に示したため、ここでは詳細な
説明は省略することとする。
【０２９９】
本実施例では、画素部１３１１に形成された発光素子と接続されるＮチャネル型ＴＦＴ
は、駆動用ＴＦＴ１３０１と表記する。駆動用ＴＦＴ１３０１が有する電極（第１の電極
と表記する）の端部を覆うように、土手や隔壁と呼ばれる絶縁膜１３０２を形成する。絶
縁膜１３０２には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、
感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド
、レジスト又はベンゾシクロブテン）、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が
構成され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香
族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサン、及びそれらの積層
構造を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有
機樹脂を用いることができる。
【０３００】
第１の電極上において、絶縁膜１３０２に開口部を形成する。開口部には、電界発光層
１３０３が設けられ、電界発光層及び絶縁膜１３０２を覆うように発光素子の第２の電極
１３０４が設けられる。
【０３０１】
なお、電界発光層が形成する分子励起子の種類としては一重項励起状態と三重項励起状
態が可能であり、基底状態は通常一重項状態であるため、一重項励起状態からの発光は蛍
光、三重項励起状態からの発光は燐光と呼ばれる。電界発光層からの発光とは、どちらの
励起状態が寄与する場合も含まれる。更には、蛍光と燐光を組み合わせて用いてもよく、
各ＲＧＢの発光特性（発光輝度や寿命等）により選択することができる。
【０３０２】
電界発光層１３０３は、第１の電極側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホー
ル輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積
層されている。なお電界発光層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることが
できる。
【０３０３】
また、電界発光層１３０３として、フルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）
、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、又はインクジェ
ット法などによって選択的に形成すればよい。
【０３０４】
具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとし
てＢＣＰやＡｌｑ₃、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ₂をそれぞれ用いる。また例えば
ＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇ
の場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ₃を用いればよい。なお、電界発光層は上記積層
構造の材料に限定されない。例えば、ＣｕＰｃやＰＥＤＯＴの代わりに酸化モリブデン（
ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物とα−ＮＰＤやルブレンを共蒸着して形成し、ホール
注入性を向上させることもできる。このような材料は、有機材料（低分子又は高分子を含
む）、又は有機材料と無機材料の複合材料を用いることができる。
【０３０５】
また白色の発光を示す電界発光層を形成する場合、カラーフィルター、又はカラーフィル
ター及び色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示を行うことができる。カ
ラーフィルターや色変換層は、例えば第２の基板（封止基板）に設けた後、張り合わせれ
ばよい。カラーフィルターや色変換層はインクジェット法により形成することができる。
勿論、白色以外の発光を示す電界発光層を形成して単色の発光装置を形成してもよい。ま
た単色表示が可能なエリアカラータイプの表示装置を形成してもよい。
【０３０６】
また第１の電極及び第２の電極１３０４は仕事関数を考慮して材料を選択する必要があ
る。但し第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりう
る。本実施例では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため、第１の電極を陰極、
第２の電極を陽極とすると好ましい。また駆動用ＴＦＴの極性がｐチャネル型である場合
、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。
【０３０７】
本実施例では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため、電子の移動方向を考慮
すると、第１の電極を陰極、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発
光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極を陽極とすると
好ましい。
【０３０８】
第２の電極を覆うパッシベーション膜として、ＤＬＣ等をスパッタリング法やＣＶＤ法
により絶縁膜を形成するとよい。その結果、水分や酸素の侵入を防止することができる。
また第１の電極、第２の電極、その他の電極により、表示手段の側面を覆って酸素や水分
の侵入を防ぐこともできる。次いで、封止基板を張り合わせる。封止基板により形成され
る空間には、窒素を封入したり、乾燥剤を配置してもよい。また、封止基板により形成さ
れる空間には、透光性を有し、吸水性の高い樹脂を充填してもよい。
【０３０９】
またコントラストを高めるため、偏光板又は円偏光板を設けてもよい。例えば、表示面
の一面又は両面に偏光板、若しくは円偏光板を設けることができる。
【０３１０】
このように形成された構造を有する発光装置において、本実施例では第１の電極及び第
２の電極に透光性を有する材料（ＩＴＯ若しくはＩＴＳＯ）を用いる。そのため、信号線
から入力されるビデオ信号に応じた輝度で電界発光層から光が出射方向１３０５、および
出射方向１３０６に出射する。
【０３１１】
また、図１２（Ａ）とは一部構成が異なる他の構造例を図１２（Ｂ）に示す。
【０３１２】
図１２（Ｂ）に示す発光装置の構造は、駆動回路部１３１０及び画素部１３１１に、チ
ャネルエッチ型のＮチャネル型ＴＦＴを設けている。
【０３１３】
このチャネルエッチ型のＴＦＴの作製方法は、実施の形態１に示したため、ここでは詳
細な説明は省略することとする。
【０３１４】
図１２（Ａ）と同様に、画素部１３１１に形成された発光素子と接続されるＮチャネル
型ＴＦＴは、駆動用ＴＦＴ１３０１と表記する。第１の電極は非透光性、好ましくは反射
性の高い導電膜とし、第２の電極１３０４は透光性を有する導電膜とする点が図１２（Ａ
）と異なる。そのため、光の出射方向１３０５は封止基板側のみである。
【０３１５】
また、図１２（Ａ）とは一部構成が異なる他の構造例を図１２（Ｃ）に示す。
【０３１６】
図１２（Ｃ）に示す発光装置の構造は、駆動回路部１３１０及び画素部１３１１に、チ
ャネルストップ型のＮチャネル型ＴＦＴを設けている。
【０３１７】
このチャネルストップ型のＴＦＴの作製方法は、実施の形態５に示したため、ここでは
詳細な説明は省略することとする。
【０３１８】
図１２（Ａ）と同様に、画素部１３１１に形成された発光素子と接続されるＮチャネル
型ＴＦＴは、駆動用ＴＦＴ１３０１と表記する。第１の電極は透光性を有する導電膜とし
、第２の電極１３０４は非透光性、好ましくは反射性の高い導電膜とする点が図１２（Ａ
）と異なる。そのため、光の出射方向１３０６が基板側のみである。
【０３１９】
以上、各薄膜トランジスタを用いて発光装置の構造について説明したが、薄膜トランジ
スタの構成と、発光装置の構造はどのように組み合わせてもよい。
【０３２０】
また、本実施例は、実施の形態１乃至６、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせる
ことができる。
【実施例３】
【０３２１】
本実施例ではＥＬ表示パネルの画素の構成について、図１３に示す等価回路図を参照し
て説明する。
【０３２２】
図１３（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１〜１４１３、
行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用Ｔ
ＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有
する。
【０３２３】
図１３（Ｃ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置された電源
線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１３（Ａ）に示す画素と同じ構
成である。つまり、図１３（Ａ）と図１３（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す
。しかしながら、列方向に電源線１４１２が配置される場合（図１３（Ａ））と、行方向
に電源線１４１２が配置される場合（図１３（Ｃ））では、各電源線は異なるレイヤーの
導電体層で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線
に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１３（Ａ）、図１３
（Ｃ）として分けて記載する。
【０３２４】
図１３（Ａ）、図１３（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内にＴＦＴ１４０３、１４
０４が直列に接続されており、ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ₃、チャネル幅Ｗ₃、ＴＦＴ
１４０４のチャネル長Ｌ₄、チャネル幅Ｗ₄は、Ｌ₃／Ｗ₃：Ｌ₄／Ｗ₄＝５〜６０００：１を
満たすように設定される点が挙げられる。６０００：１を満たす場合の一例としては、Ｌ
₃が５００μｍ、Ｗ₃が３μｍ、Ｌ₄が３μｍ、Ｗ₄が１００μｍの場合がある。
【０３２５】
なお、ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値を制御す
る役目を有し、ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に対する電流の供給
を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。ま
たＴＦＴ１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを
用いてもよい。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するために
、ＴＦＴ１４０４のＶ_GSの僅かな変動は発光素子１４０５の電流値に影響を及ぼさない。
つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ１４０３により決定さ
れる。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラ
を改善して画質を向上させた表示装置を提供することができる。
【０３２６】
図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示す画素において、ＴＦＴ１４０１は、画素に対するビ
デオ信号の入力を制御するものであり、ＴＦＴ１４０１がオンして、画素内にビデオ信号
が入力されると、容量素子１４０２にそのビデオ信号が保持される。なお、図１３（Ａ）
、図１３（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定さ
れず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、明
示的に容量素子１４０２を設けなくてもよい。
【０３２７】
発光素子１４０５は、２つの電極間に電界発光層が挟まれた構造を有し、順バイアス方
向の電圧が印加されるように、画素電極と対向電極の間（陽極と陰極の間）に電位差が設
けられる。電界発光層は有機材料や無機材料等の広汎に渡る材料により構成され、この電
界発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍
光）と、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とが含まれる。
【０３２８】
図１３（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、
図１３（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１３（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１３（Ｃ）に示す画素構成と同じで
ある。
【０３２９】
ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１５によりオン又はオフが制御される
。ＴＦＴ１４０６がオンになると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、ＴＦＴ
１４０６がオフする。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光素子１４０５
に電流が流れない状態を作ることができる。従って、図１３（Ｂ）、図１３（Ｄ）の構成
は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は
直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる
。
【０３３０】
図１３（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４５０、電源線１４５１、１４５２、行
方向に走査線１４５３が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４４１、駆動用ＴＦ
Ｔ１４４３、容量素子１４４２及び発光素子１４４４を有する。図１３（Ｆ）に示す画素
は、ＴＦＴ１４４５と走査線１４５４を追加している以外は、図１３（Ｅ）に示す画素構
成と同じである。なお、図１３（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４４５の配置により、デューテ
ィ比を向上することが可能となる。
【０３３１】
また、本実施例は、実施の形態１乃至６、実施例１、実施例２のいずれか一と自由に組
み合わせることができる。
【実施例４】
【０３３２】
本実施例では、表示モジュールについて説明する。表示モジュールの一例として、発光表
示モジュールの断面図を図１４を用いて示す。
【０３３３】
図１４（Ａ）は、アクティブマトリクス基板１２０１と封止基板１２０２とが、シール
材１２００により固着された発光表示モジュールの断面を示しており、これらの間には画
素部１２０３とが設けられ表示領域を形成している。
【０３３４】
封止基板１２０２と、画素部１２０３との間には、空間１２０４が形成される。空間に
は、不活性ガス、例えば窒素ガスを充填したり、吸水性の高い材料を有する透光性樹脂を
形成して、さらに水分や酸素の侵入の防止を高めることができる。また透光性を有し、吸
水性の高い樹脂を形成してもよい。透光性を有する樹脂により、発光素子からの光が第２
の基板側へ出射される場合であっても、透過率を低減することなく形成することができる
。
【０３３５】
また、コントランスを高めるため、モジュールの少なくとも画素部に偏光板、又は円偏
光板（偏光板、１／４λ板及び１／２λ板）を備えるとよい。封止基板１２０２側から表
示を認識する場合、封止基板１２０２から順に、１／４λ板及び１／２λ板１２０５、偏
光板１２０６を設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
【０３３６】
また、封止基板１２０２及びアクティブマトリクス基板１２０１の両方から表示を認識
する場合、アクティブマトリクス基板の表面にも同様に、１／４λ板及び１／２λ板、偏
光板を設けるとよい。
【０３３７】
アクティブマトリクス基板１２０１に設けられた接続端子１２０８には、ＦＰＣ１２０
９を介して配線基板１２１０が接続されている。ＦＰＣ又は接続配線には画素駆動回路（
ＩＣチップ、ドライバＩＣ等）１２１１が設けられ、配線基板１２１０には、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路１２１２が組み込まれている。
【０３３８】
また、図１４（Ｂ）に示すように、画素部１２０３と偏光板の間、又は画素部と円偏光
板の間に着色層１２０７を設けることができる。この場合、画素部に白色発光が可能な発
光素子を設け、ＲＧＢを示す着色層を別途設けることでフルカラー表示することができる
。また、画素部に青色発光が可能な発光素子を設け、色変換層などを別途設けることによ
ってフルカラー表示することができる。また、各画素部、赤色、緑色、青色の発光を示す
発光素子を形成し、且つ着色層を用いることもできる。このような表示モジュールは、各
ＲＢＧの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
【０３３９】
図１４（Ｃ）においては、図１４（Ａ）と異なり、対向基板を用いずフィルム又は樹脂
等の保護膜１２２１を用いてアクティブマトリクス基板及び発光素子を封止する場合を示
す。画素部１２０３の第２の画素電極を覆って、保護膜１２２１が設けられている。第２
の保護膜として、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又はシリコーン樹脂等の有機材料を用い
ることができる。また第２の保護膜は、液滴吐出法によりポリマー材料を滴下して形成し
てもよい。本実施例では、ディスペンサを用いてエポキシ樹脂を吐出し、乾燥させる。さ
らに保護膜上に、対向基板を設けてもよい。その他の構成は、図１４（Ａ）と同様である
。
【０３４０】
このように対向基板を用いず封止すると、表示装置の軽量化、小型化、薄膜化を向上さ
せることができる。
【０３４１】
本実施例のモジュールは、プリント基板１２１０がＦＰＣ１２０９を用いて実装されて
いるが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式
を用い、画素駆動回路１２１１、外部回路１２１２を直接基板上に実装させるようにして
もよい。
【０３４２】
また、本実施例は、実施の形態１乃至６、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合
わせることができる。
【実施例５】
【０３４３】
本実施例では、上記実施例で示す表示パネルの乾燥剤について、図１５を用いて説明す
る。
【０３４４】
図１５（Ａ）は、表示パネルの上面図であり、図１５（Ｂ）は、図２８（Ａ）のＡ−Ｂ
における断面図、図１５（Ｃ）は図１５（Ａ）のＣ−Ｄにおける断面図を示す。
【０３４５】
図１５（Ａ）に示すように、アクティブマトリクス基板１８００と対向基板１８０１と
が、シール材１８０２によって封止されている。第１の基板と第２の基板との間には、画
素領域が設けられている。画素領域には、ソース配線１８０５及びゲート配線１８０６が
交差する領域において、画素１８０７が形成されている。画素領域とシール材１８０２と
の間には、乾燥剤１８０４が設けられている。また、画素領域において、ゲート配線又は
ソース配線、上に乾燥剤１８１４が設けられている。なお、ここは、ゲート配線上に乾燥
剤１８１４を設けているが、ゲート配線及びソース配線上に設けることもできる。
【０３４６】
乾燥剤１８０４としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のよ
うなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水（Ｈ₂Ｏ）を吸着する物質を
用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって
水を吸着する物質を用いても構わない。
【０３４７】
また、乾燥剤を、透湿性の高い樹脂に粒状の物質として含まれた状態で基板に固定する
ことができる。ここで、透湿性の高い樹脂としては、例えば、エステルアクリレート、エ
ーテルアクリレート、エステルウレタンアクリレート、エーテルウレタンアクリレート、
ブタジエンウレタンアクリレート、特殊ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、
アミノ樹脂アクリレート、アクリル樹脂アクリレート等のアクリル樹脂を用いることがで
きる。この他、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、
クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。また、この他の物質を用いても構わ
ない。また、例えばシロキサン等の無機物等を用いてもよい。
【０３４８】
さらに、吸水性を有する物質としては、化学吸着によって水を吸着することのできる分
子を有機溶媒中に混合した組成物を固化させたもの等を用いることができる。
【０３４９】
なお、上記のような透湿性の高い樹脂若しくは無機物としては、前記シール材として用
いる物質よりも透湿性の高い物質を選択することが好ましい。
【０３５０】
以上のような、本発明の発光装置では、外部から発光装置内部に混入した水を、当該水
が発光素子が形成された領域に至る前に吸水することができる。その結果、水に起因した
画素に設けられた素子、代表的には発光素子の劣化を抑制することができる。
【０３５１】
図１５（Ｂ）に示すように、表示パネルの周辺部において、乾燥剤１８０４はシール材
１８０２と画素領域１８０３の間に設けられている。また、対向基板又はアクティブマト
リクス基板に凹部を設け、そこに乾燥剤１８０４を設けることにより、表示パネルを薄型
化することが可能となる。
【０３５２】
また、図１５（Ｃ）に示すように、画素１８０７においては、表示素子を駆動する半導
体素子の一部である半導体領域１８１１、ゲート配線１８０６、ソース配線１８０５、及
び画素電極１８１２が形成されている。表示パネルの画素部において、乾燥剤１８１４は
、対向基板においてゲート配線１８０６と重畳する領域に設けられている。ソース配線と
比較して、ゲート配線の幅は２〜４倍であるため、非表示領域であるゲート配線１８０６
上に乾燥剤１８１４を設けることにより、開口率を低下せず、かつ表示素子への水分の侵
入及びそれに起因する劣化を抑制することができる。また、対向基板に凹部を設け、そこ
に乾燥剤を設けることにより、表示パネルを薄型化することが可能である。
【０３５３】
また、本実施例は、実施の形態１乃至６、実施例１乃至４のいずれか一と自由に組み合
わせることができる。
【実施例６】
【０３５４】
本実施例では、液晶滴下に液滴吐出法を用いる例を示す。本実施例では、大面積基板１
１１０を用い、パネル４枚取りの作製例を図２５に示す。
【０３５５】
図２５（Ａ）は、ディスペンサ（またはインクジェット）による液晶層形成の途中の断
面図を示しており、シール材１１１２で囲まれた画素部１１１１を覆うように液晶材料１
１１４を液滴吐出装置１１１６のノズル１１１８から吐出、噴射、または滴下させている
。液滴吐出装置１１１６は、図２５（Ａ）中の矢印方向に移動させる。なお、ここではノ
ズル１１１８を移動させた例を示したが、ノズルを固定し、基板を移動させることによっ
て液晶層を形成してもよい。
【０３５６】
また、図２５（Ｂ）には斜視図を示している。シール材１１１２で囲まれた領域のみに
選択的に液晶材料１１１４を吐出、噴射、または滴下させ、ノズル走査方向１１１３に合
わせて滴下面１１１５が移動している様子を示している。
【０３５７】
また、図２５（Ａ）の点線で囲まれた部分１１１９を拡大した断面図が図２５（Ｃ）、
図２５（Ｄ）である。液晶材料の粘性が高い場合は、連続的に吐出され、図２５（Ｃ）の
ように繋がったまま付着される。一方、液晶材料の粘性が低い場合には、間欠的に吐出さ
れ、図２５（Ｄ）に示すように液滴が滴下される。
【０３５８】
なお、図２５（Ｃ）中、１１２０は実施の形態１で得られる逆スタガ型ＴＦＴ、１１２
１は画素電極をそれぞれ指している。画素部１１１１は、マトリクス状に配置された画素
電極と、該画素電極と接続されているスイッチング素子、ここでは逆スタガ型ＴＦＴと、
保持容量（図示しない）とで構成されている。
【０３５９】
ここで、図２６（Ａ）〜図２６（Ｄ）を用いて、パネル作製の流れを以下に説明する。
【０３６０】
まず、絶縁表面に画素部１０３４が形成された第１基板１０３５を用意する。第１基板
１０３５は、予め、配向膜の形成、ラビング処理、球状スペーサ散布、或いは柱状スペー
サ形成、またはカラーフィルタの形成などを行っておく。次いで、図２６（Ａ）に示すよ
うに、不活性気体雰囲気または減圧下で第１基板１０３５上にディスペンサ装置またはイ
ンクジェット装置でシール材１０３２を所定の位置（画素部１０３４を囲むパターン）に
形成する。半透明なシール材１０３２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み
、且つ、粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しない
シール材料を選択することが好ましい。シール材としては、アクリル系光硬化樹脂やアク
リル系熱硬化樹脂を用いればよい。また、簡単なシールパターンであるのでシール材１０
３２は、印刷法で形成することもできる。
【０３６１】
次いで、シール材１０３２に囲まれた領域に液晶１０３３をインクジェット法により滴
下する。（図２６（Ｂ））液晶１０３３としては、インクジェット法によって吐出可能な
粘度を有する公知の液晶材料を用いればよい。また、液晶材料は温度を調節することによ
って粘度を設定することができるため、インクジェット法に適している。インクジェット
法により無駄なく必要な量だけの液晶１０３３をシール材１０３２に囲まれた領域に保持
することができる。
【０３６２】
次いで、画素部１０３４が設けられた第１基板１０３５と、対向電極や配向膜が設けら
れた第２基板１０３１とを気泡が入らないように減圧下で貼りあわせる。（図２６（Ｃ）
）ここでは、貼りあわせると同時に紫外線照射や熱処理を行って、シール材１０３２を硬
化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。
【０３６３】
また、図２７に貼り合わせ時または貼り合わせ後に紫外線照射や熱処理が可能な貼り合
わせ装置の例を示す。
【０３６４】
図２７中、１０４１は第１基板支持台、１０４２は第２基板支持台、１０４４は窓、１
０４８は下側定盤、１０４９は光源である。なお、図２７において、図２６と対応する部
分は同一の符号を用いている。
【０３６５】
下側定盤１０４８は加熱ヒータが内蔵されており、シール材を硬化させる。また、第２
基板支持台には窓１０４４が設けられており、光源１０４９からの紫外光などを通過させ
るようになっている。ここでは図示していないが窓１０４４を通して基板の位置アライメ
ントを行う。また、対向基板となる第２の基板１０３１は予め、所望のサイズに切断して
おき、台１０４２に真空チャックなどで固定しておく。図２７（Ａ）は貼り合わせ前の状
態を示している。
【０３６６】
貼り合わせ時には、第１基板支持台と第２基板支持台とを下降させた後、圧力をかけて第
１基板１０３５と第２基板１０３１を貼り合わせ、そのまま紫外光を照射することによっ
て硬化させる。貼り合わせ後の状態を図２７（Ｂ）に示す。
【０３６７】
次いで、スクライバー装置、ブレイカー装置、ロールカッターなどの切断装置を用いて
第１基板１０３５を切断する。（図２６（Ｄ））こうして、１枚の基板から４つのパネル
を作製することができる。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
【０３６８】
なお、第１基板１０３５、第２基板１０３１としてはガラス基板、またはプラスチック
基板を用いることができる。
【０３６９】
以上の工程によって得られた液晶モジュールの上面図を図２８（Ａ）に示すとともに、
他の液晶モジュールの上面図の例を図２８（Ｂ）に示す。
【０３７０】
図２８（Ａ）中、２５０１は、アクティブマトリクス基板、２５０６は対向基板、２５
０４は画素部、２５０７はシール材、２５０５はＦＰＣである。なお、液晶を液滴吐出法
により吐出させ、減圧下で一対の基板２５０１、２５０６をシール材２５０７で貼り合わ
せている。
【０３７１】
セミアモルファスシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴを用いた場合、駆動回路の
一部を作製することもでき、図２８（Ｂ）のような液晶モジュールを作製することができ
る。
【０３７２】
図３０は、５〜５０ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃの電界効果移動度が得られるＳＡＳ（セミアモ
ルファスシリコン）を使ったｎチャネル型のＴＦＴで構成する走査線側駆動回路のブロッ
ク図を示している。
【０３７３】
図３０において５００で示すブロックが１段分のサンプリングパルスを出力するパルス
出力回路に相当し、シフトレジスタはｎ個のパルス出力回路により構成される。５０１は
バッファ回路であり、その先に画素５０２が接続される。
【０３７４】
図３１は、パルス出力回路５００の具体的な構成を示したものであり、ｎチャネル型の
ＴＦＴ６０１〜６１３で回路が構成されている。このとき、ＳＡＳを使ったｎチャネル型
のＴＦＴの動作特性を考慮して、ＴＦＴのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネル長
を８μｍとすると、チャネル幅は１０〜８０μｍの範囲で設定することができる。
【０３７５】
また、バッファ回路５０１の具体的な構成を図３２に示す。バッファ回路も同様にｎチ
ャネル型のＴＦＴ６２０〜６３５で構成されている。このとき、ＳＡＳを使ったｎチャネ
ル型のＴＦＴの動作特性を考慮して、ＴＦＴのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネ
ル長を１０μｍとすると、チャネル幅は１０〜１８００μｍの範囲で設定することとなる
。
【０３７６】
なお、セミアモルファスシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴで形成できない駆動
回路は、ＩＣチップ（図示しない）を実装する。
【０３７７】
図２８（Ｂ）中、２５１１は、アクティブマトリクス基板、２５１６は対向基板、２５
１２はソース信号線駆動回路、２５１３はゲート信号線駆動回路、２５１４は画素部、２
５１７は第１シール材、２５１５はＦＰＣである。なお、液晶を液滴吐出法により吐出さ
せ、一対の基板２５１１、２５１６を第１シール材２５１７および第２シール材で貼り合
わせている。駆動回路部２５１２、２５１３には液晶は不要であるため、画素部２５１４
のみに液晶を保持させており、第２シール材２５１８はパネル全体の補強のために設けら
れている。
【０３７８】
また、得られた液晶モジュールにバックライトバルブ２６０４およびミラーを設け、カ
バー２６０６で覆えば、図２９にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス
型液晶表示装置（透過型）が完成する。また、バックライトを表示領域の外側に配置して
、導光板を用いてもよい。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固
定する。また、透過型であるので偏光板２６０３は、アクティブマトリクス基板と対向基
板の両方に貼り付ける。また、他の光学フィルム（反射防止フィルムや偏光性フィルムな
ど）や、保護フィルム（図示しない）を設けてもよい。
【０３７９】
なお、図２９中、２６００は基板、２６０１は画素電極、２６０２は柱状スペーサ、２
６０７はシール材、２６２０は着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィ
ルタ、２６２５は平坦化膜、２６２１は対向電極、２６２２、２６２３は配向膜、２６２
４は液晶層、２６１９は保護膜である。
【０３８０】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態７乃至１２のいずれか一と自由に組み合わ
せることができる。
【実施例７】
【０３８１】
本発明の液晶表示装置、発光表示装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカ
メラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステ
ム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピ
ュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機
又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒ
ｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディス
プレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、大型画面を有する大型テレビ等に本発明
を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図３３に示す。
【０３８２】
図３３（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体１
７０１、支持台１７０２、表示部１７０３、ビデオ入力端子１７０５等を含む。なお、表
示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、双方向ＴＶ用などの全ての情報
表示用表示装置が含まれる。本発明により、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降の
ガラス基板を用いても、比較的安価な大型表示装置を実現できる。
【０３８３】
図３３（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体１７１１、筐体１７１２
、表示部１７１３、キーボード１７１４、外部接続ポート１７１５、ポインティングマウ
ス１７１６等を含む。本発明により、比較的安価なノート型パーソナルコンピュータを実
現できる。
【０３８４】
図３３（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体１７２１、筐体１７２２、表示部Ａ１７２３、表示部Ｂ１７２４、記録媒体（
ＤＶＤ等）読み込み部１７２５、操作キー１７２６、スピーカー部１７２７等を含む。表
示部Ａ１７２３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ１７２４は主として文字情報を表
示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本
発明により、比較的安価な画像再生装置を実現できる。
【０３８５】
図３３（Ｄ）は、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なＴＶである。筐体１７
３２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部１７３３
やスピーカ部１７３７を駆動させる。バッテリーは充電器１７３０で繰り返し充電が可能
となっている。また、充電器１７３０は映像信号を送受信することが可能で、その映像信
号をディスプレイの信号受信器に送信することでができる。筐体１７３２は操作キー１７
３６によって制御する。また、図３３（Ｄ）に示す装置は、操作キー１７３６を操作する
ことによって、筐体１７３２から充電器１７３０に信号を送ることも可能であるため映像
音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー１７３６を操作することによって、筐体
１７３２から充電器１７３０に信号を送り、さらに充電器１７３０が送信できる信号を他
の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔
制御装置とも言える。本発明により、比較的大型（２２インチ〜５０インチ）の持ち運び
可能なＴＶを安価な製造プロセスで提供できる。
【０３８６】
以上の様に、本発明を実施して得た発光装置や液晶表示装置は、あらゆる電子機器の表
示部として用いても良い。
【０３８７】
また、本実施例は、実施の形態１乃至１２、実施例１乃至６のいずれか一と自由に組み
合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【０３８８】
本発明は、導体パターンを形成する発光装置製造プロセスや液晶表示装置プロセスにお
いて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため、大幅なコストダ
ウンを基板サイズに関わらず実現できる。
【符号の説明】
【０３８９】
１０ 基板，１１ 下地層，１２ 導電膜パターン，１５ ゲート電極，１７ 引出電極
，１８ ゲート絶縁膜，１９ 半導体膜，２０ 半導体膜，２１ マスク，２２ ソース
配線またはドレイン配線，２３ ソース配線またはドレイン配線，２４ チャネル形成領
域，２５ ドレイン領域，２６ ソース領域，２７ 保護膜，２８ 層間絶縁膜，２９
凸状部（ピラー），３０ 第１の電極，３４ 隔壁，３５ 封止基板，３６ 有機化合物
を含む層，３７ 第２の電極，３８ 充填材，４０ 配線，４１ 端子電極，４５ 異方
性導電膜，４６ ＦＰＣ，２２０ 導電膜パターン，２２１ レーザー光照射した部分，
２２２ ソース配線またはドレイン配線，２２３ ソース配線またはドレイン配線，２２
４ チャネル形成領域，２２５ ドレイン領域，２２６ ソース領域，２５０ 導電膜パ
ターン，２５１ レーザー光照射した部分，２５２ ソース配線またはドレイン配線，２
５３ ソース配線またはドレイン配線，２５４ チャネル形成領域，２５５ ドレイン領
域，２５６ ソース領域，２６０ ゲート絶縁膜，３０１ 下地絶縁膜，３０２ ゲート
電極，３２０ 導電膜パターン，３２２ ソース配線またはドレイン配線，３２３ ソー
ス配線またはドレイン配線，３２４ チャネル形成領域，３２５ ドレイン領域，３２６
ソース領域，４０１ レーザビーム直接描画装置，４０２ パーソナルコンピュータ，
４０３ レーザ発振器，４０４ 電源，４０５ 光学系，４０６ 音響光学変調器，４０
７ 光学系，４０８ 基板，４０９ 基板移動機構，４１０ Ｄ／Ａ変換部，４１１ ド
ライバ，４１２ ドライバ，５００ パルス出力回路，５０１ バッファ回路，５０２
画素，６０１ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０２ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０３ ｎチャ
ネル型のＴＦＴ，６０４ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０５ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０
６ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０７ ｎチャネル型のＴＦＴ，６０８ ｎチャネル型のＴ
ＦＴ，６０９ ｎチャネル型のＴＦＴ，６１０ ｎチャネル型のＴＦＴ，６１１ ｎチャ
ネル型のＴＦＴ，６１２ ｎチャネル型のＴＦＴ，６１３ ，６２０ ｎチャネル型のＴ
ＦＴ，６２１ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２２ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２３ ｎチャ
ネル型のＴＦＴ，６２４ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２５ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２
６ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２７ ｎチャネル型のＴＦＴ，６２８ ｎチャネル型のＴ
ＦＴ，６２９ ｎチャネル型のＴＦＴ，６３０ ｎチャネル型のＴＦＴ，６３１ ｎチャ
ネル型のＴＦＴ，６３２ ｎチャネル型のＴＦＴ，６３３ ｎチャネル型のＴＦＴ，６３
４ ｎチャネル型のＴＦＴ，６３５ ｎチャネル型のＴＦＴ，７００ 基板，７０１ 画
素部，７０２ 画素，７０３ 走査線側入力端子，７０４ 信号線側入力端子，８１０
基板，８１１ 下地膜，８１５ ゲート電極，８１８ ゲート絶縁膜，８２２ 配線，８
２３ 配線，８２４ 半導体膜，８２５ Ｎ型を有する半導体膜，８２６ Ｎ型を有する
半導体膜，８２７ チャネル保護膜，８２８ 層間絶縁膜，８２９ 電極，８３０ 電極
，８４０ 端子電極，８４１ 電極，９１０ 基板，９１１ 下地膜，９１５ ゲート配
線，９１８ ゲート絶縁層，９２３ ソース配線層，９２４ ソース配線層，９２５ ｎ
型の半導体層，９２６ ｎ型の半導体層，９２７ 半導体層，９２８ 層間絶縁膜，９２
９ 電極，９３０ 電極，９４０ 端子電極，９４１ 電極，１０３１ 第２基板，１０
３２ シール材，１０３３ 液晶，１０３４ 画素部，１０３５ 第１基板，１０４１
第１基板支持台，１０４２ 第２基板支持台，１０４４ 窓，１０４８ 下側定盤，１０
４９ 光源，１１１０ 大面積基板，１１１１ 画素部，１１１２ シール材，１１１３
ノズル走査方向，１１１４ 液晶材料，１１１５ 滴下面，１１１６ 液滴吐出装置，
１１１８ ノズル，１１１９ 点線で囲まれた部分，１１２０ 逆スタガ型ＴＦＴ，１１
２１ 画素電極，１２００ シール材，１２０１ アクティブマトリクス基板，１２０２
封止基板，１２０３ 画素部，１２０４ 空間，１２０５ １／４λ板及び１／２λ板
，１２０６ 偏光板，１２０７ 着色層，１２０８ 接続端子，１２０９ ＦＰＣ，１２
１０ プリント基板，１２１１ 画素駆動回路，１２１２ 外部回路，１２２１ 保護膜
，１３０１ 駆動用ＴＦＴ，１３０２ 絶縁膜，１３０３ 電界発光層，１３０４ 第２
の電極，１３０５ 出射方向，１３０６ 両矢印方向，１３１０ 駆動回路部，１３１１
画素部，１４０１ スイッチング用ＴＦＴ，１４０２ 容量素子，１４０３ 駆動用Ｔ
ＦＴ，１４０４ 電流制御用ＴＦＴ，１４０５ 発光素子，１４０６ ＴＦＴ，１４１０
信号線，１４１１ 電源線，１４１２ 電源線，１４１３ 電源線，１４１４ 走査線
，１４１５ 電源線，１４４１ スイッチング用ＴＦＴ，１４４２ 容量素子，１４４３
駆動用ＴＦＴ，１４４４ 発光素子，１４４５ ＴＦＴ，１４５０ 信号線，１４５１
電源線，１４５２ 電源線，１４５３ 走査線，１４５４ 走査線，１５００ 大型基
板，１５０３ 領域，１５０４ 撮像手段，１５０５ａ ヘッド，１５０５ｂ ヘッド，
１５０５ｃ ヘッド，１５０７ ステージ，１５１１ マーカー，１６００ 基板，１６
０１ 画素領域，１６０２ 走査側の駆動回路，１６０４ａ ，１６０４ｂ ，１６０５
ａ 駆動回路，１６０５ｂ 駆動回路，１７０１ 筐体，１７０２ 支持台，１７０３
表示部，１７０５ ビデオ入力端子，１７１１ 本体，１７１２ 筐体，１７１３ 表示
部，１７１４ キーボード，１７１５ 外部接続ポート，１７１６ ポインティングマウ
ス，１７２１ 本体，１７２２ 筐体，１７２３ 表示部Ａ，１７２４ 表示部Ｂ，１７
２５ 記録媒体読込部，１７２６ 操作キー，１７２７ スピーカー部，１７３０ 充電
器，１７３２ 筐体，１７３３ 表示部，１７３６ 操作キー，１７３７ スピーカー部
，１８００ アクティブマトリクス基板，１８０１ 対向基板，１８０２ シール材，１
８０３ 画素領域，１８０４ 乾燥剤，１８０５ ソース配線，１８０６ ゲート配線，
１８０７ 画素，１８１１ 画素，１８１２ 画素電極，１８１４ 乾燥剤，２０１０
基板，２０１１ 下地層，２０１２ 導電膜パターン，２０１５ ゲート配線，２０１８
ゲート絶縁膜，２０１９ 半導体膜，２０２０ 半導体膜，２０２１ マスク，２０２
２ ソース配線またはドレイン配線，２０２３ ソース配線またはドレイン配線，２０２
４ チャネル形成領域，２０２５ ドレイン領域，２０２６ ソース領域，２０２７ 保
護膜，２０２８ 層間絶縁膜，２０２９ 凸状部（ピラー），２０３０ 画素電極，２０
３４ａ 配向膜，２０３４ｂ 配向膜，２０３５ 対向基板，２０３６ａ 着色層，２０
３６ｂ 遮光層（ブラックマトリクス），２０３７ オーバーコート層，２０３８ ，２
０３９ 液晶，２０４０ 配線，２０４５ 異方性導電体層，２０４６ ＦＰＣ，２１２
０ 導電膜パターン，２１２１ レーザー光照射した部分，２１２２ ソース配線または
ドレイン配線，２１２３ ソース配線またはドレイン配線，２１２４ チャネル形成領域
，２１２５ ドレイン領域，２１２６ ソース領域，２１５０ 導電膜パターン，２１５
１ レーザー光照射した部分，２１５２ ソース配線またはドレイン配線，２１５３ ソ
ース配線またはドレイン配線，２１５４ チャネル形成領域，２１５５ ドレイン領域，
２１５６ ソース領域，２１６０ ゲート絶縁膜，２２０１ 下地絶縁膜，２２０２ ゲ
ート電極，２２２０ 導電膜パターン，２２２２ ソース配線またはドレイン配線，２２
２３ ソース配線またはドレイン配線，２２２４ チャネル形成領域，２２２５ ドレイ
ン領域，２２２６ ソース領域，２３１０ 基板，２３１１ 下地膜，２３１５ ゲート
電極，２３１８ ゲート絶縁膜，２３２２ 配線，２３２３ 配線，２３２４ 半導体膜
，２３２５ Ｎ型を有する半導体膜，２３２６ Ｎ型を有する半導体膜，２３２７ チャ
ネル保護膜，２３２８ 層間絶縁膜，２３２９ 電極，２３３０ 電極，２３４０ 端子
電極，２３４１ 電極，２４１０ ，２４１１ 下地膜，２４１５ ゲート配線，２４１
８ ゲート絶縁層，２４２３ ソース配線層，２４２４ ドレイン配線層，２４２５ ｎ
型の半導体，２４２６ ｎ型の半導体，２４２７ 半導体層，２４２８ 層間絶縁膜，２
４２９ 電極，２４３０ 電極，２４４０ 端子電極，２４４１ 電極，２５０１ 基板
，２５０４ 画素部，２５０５ ＦＰＣ，２５０６ 対向基板，２５０７ シール材，２
５１１ 基板，２５１２ ソース信号線駆動回路，２５１３ ゲート信号線駆動回路，２
５１４ 画素部，２５１５ ＦＰＣ，２５１６ 対向基板，２５１７ シール材，２５１
８ 第２シール材，２６００ 基板，２６０１ 画素電極，２６０２ スペーサ，２６０
３ 偏光板，２６０４ バックライトバルブ，２６０６ カバー，２６０７ シール材，
２６２０ ＣＦ，２６２１ 対向電極，２６２２ 配向膜，２６２３ 配向膜，２６２４
液晶層，２６２５ 平坦化膜

【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板表面上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜上にネガ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第１の導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１の導電膜パターンに対して、前記基板の裏面側から前記ゲート電極をマスクとしてレーザー光を照射して露光する工程と、
露光された第１の導電膜パターンを現像して、前記ゲート電極の幅と同一間隔を有して自己整合的にソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、前記第１の半導体膜および第２の半導体膜のエッチングを行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【公開番号】特開２０１１−１８７９９５（Ｐ２０１１−１８７９９５Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３８４６９（Ｐ２０１１−１３８４６９）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【分割の表示】特願２００５−１８８８３（Ｐ２００５−１８８８３）の分割
【原出願日】平成１７年１月２６日（２００５．１．２６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】