国際特許分類[H01L29/772]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488)
国際特許分類[H01L29/772]の下位に属する分類
一次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.量子線FET
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT (1,960)
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの (29,475)
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの (3,053)
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