国際特許分類[H01L21/20]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
国際特許分類[H01L21/20]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/20]に分類される特許
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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赤色発光半導体素子とその製造方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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ムライトを主成分とする焼結体
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シリコン基板、これを採用したエピ構造体及びシリコン基板の製造方法
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半導体基板の接合方法
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