国際特許分類[H01L21/20]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
国際特許分類[H01L21/20]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/20]に分類される特許
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エピタキシャルウェーハとその製造方法
【課題】歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が1.0×1017〜12×1017atoms/cm3とされてなるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、酸素濃度設定熱処理の処理温度Xと処理時間Yとが、処理温度Xが800℃〜1400℃の範囲、処理時間Yが180min以下で、かつ、
Y ≧ 1.21×1010 exp(−0.0176X)
の関係を満たすように設定される。
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半導体基板の製造方法
【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板、接着層、バッファ層および活性層を有し、前記ベース基板、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層がこの順に位置し、前記ベース基板の前記接着層と接する領域にSiが存在し、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層が、窒化物半導体からなる半導体基板の製造方法であって、前記ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後、前記ベース基板の温度を1000℃以上1150℃以下に維持しつつ前記ベース基板の表面を水素ガスに暴露する水素ガス暴露工程と、前記水素ガス暴露工程の後、前記ベース基板の上に、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程と、を有する半導体基板の製造方法を提供する。
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半導体装置の製造方法
【課題】半導体基板の主面に形成した溝部表面へのイオン注入量やイオン注入深さのバラつきを抑え、イオンが注入されたドーパンド領域を活性化して、厚み、イオンドープ量、活性化状態がほぼ均一なドーパンド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に溝部を形成し、該溝部を形成した半導体基板の主面側にイオンを注入した後、イオンが注入されたドーパンド領域にレーザを照射してアニール処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ドーパンド領域にイオンを注入する前に、前記溝部の側面にレーザを照射して、該溝部の側面の表面段差を平滑化する。
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半導体結晶基板、半導体結晶基板の製造方法、半導体装置の製造方法、電源装置及び増幅器
【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。
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SiCエピタキシャルウエハおよびそれを用いたSiC半導体素子
【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】4°以下のオフ角を有するSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成され、その表面10に0.5nm以上の高さのステップバンチング9が形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、ステップバンチング9の線密度を40cm−1以下にする。
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化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体層2と、が設けられている。化合物半導体層2には、第1の不純物の活性化により発生した第1導電型のキャリアを含む第1の領域2aと、第1の不純物と同一種類の第2の不純物の活性化により発生したキャリアを、第1の領域2aよりも低濃度で含有する第2の領域2bと、が設けられている。
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SOI基板の作製方法
【課題】表面のP−V値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたSOI基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を200℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を100℃以上400℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いSi−H結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いSi−H結合を低減した。
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半導体基板の製造方法及び半導体装置
【課題】基板に形成された窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層におけるドーパント濃度がばらつくと、半導体層を用いた半導体装置の特性がばらつくので、半導体層におけるドーパント濃度のばらつきが抑えられた層を有する半導体基板を得る。
【解決手段】基板に、窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を形成する半導体層形成段階と、半導体層に、中性子線を照射して、半導体層に含まれるガリウム原子の一部をゲルマニウム原子に変換する照射段階と、を備える半導体基板の製造方法を提供する。
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β−Ga2O3系単結晶膜の製造方法
【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga2O3単結晶膜を形成することができるβ−Ga2O3単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga2O3結晶をβ−Ga2O3基板2上、又は前記β−Ga2O3基板上に形成されたβ−Ga2O3系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga2O3結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga2O3結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga2O3単結晶膜を製造する。
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有機半導体単結晶形成方法及び有機半導体デバイス
【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状(長方形など)を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。
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