国際特許分類[H01L21/20]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
国際特許分類[H01L21/20]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/20]に分類される特許
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半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および発光装置
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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ムライトを主成分とする焼結体
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シリコン基板、これを採用したエピ構造体及びシリコン基板の製造方法
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半導体基板の接合方法
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窒化物半導体ダイオード
【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部6の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極7が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一金属板4、第二金属板5、及び、冷媒ケース16によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二金属板5は、高周波電力を効率よく伝えるため、石英窓18が取付けられている。第二金属板5及び第三金属板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
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III族窒化物複合基板の製造方法
【課題】支持基板とIII族窒化物層との接合が良好なIII族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面10mを有する支持基板10と、目標とする基板径より大きい径の主面30nを有しその主面30nから所定の深さの位置にイオン注入領域30iが形成されたIII族窒化物基板30とを、中間層20を介在させて貼り合わせ、III族窒化物基板30をイオン注入領域30iにおいてIII族窒化物層30aと残りのIII族窒化物基板30bとに分離することにより、支持基板10上に中間層20を介在させてIII族窒化物層30aが接合された第1のIII族窒化物複合基板1を形成し、第1のIII族窒化物複合基板1の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第2のIII族窒化物複合基板2を得る。
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シリコン単結晶膜およびその製造方法
【課題】薄層化された自立性のシリコン単結晶膜を提供し、また、剥離時の熱処理温度を格段に低減することができる新たなシリコン単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶膜6は、Siの含有率が、90原子%以上であり、厚みが、50μm以下であり、自立性がある。
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酸化物半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び半導体装置
【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。
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