Fターム[5F110EE00]の内容
薄膜トランジスタ (412,022) | ゲート (57,237)
Fターム[5F110EE00]の下位に属するFターム
材料 (32,562)
複数層 (4,783)
形状 (2,371)
複数ゲート (1,860)
サイドウォールを有するもの (2,180)
ゲート配線との接続部に工夫 (96)
ゲート配線に工夫 (273)
コンタクトホールを介して配線を設けたもの (538)
製法 (12,530)
その他 (43)
Fターム[5F110EE00]に分類される特許
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アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ
【課題】チャネル層に酸化物を用いた電界効果型トランジスタではゲート絶縁層とチャネル層の間に良好な界面を作製することが難しい。
【解決手段】基板10上に、チャネル層11と、ソース電極13と、ドレイン電極14と、ゲート絶縁層12と、ゲート電極15とが形成され、チャネル層がアモルファス酸化物からなり、ゲート絶縁層が、Yを含有するアモルファス酸化物からなる。Yを含有するアモルファス酸化物としては例えば、結晶化する条件で形成するとペロフスカイト構造となる組成を有する、Yと、MnまたはTiとを含む酸化物を用いることができる。
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